Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1562892

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Гранковский, Зинченко, Минаков, Падалко, Сергеев

МПК: G05D 23/19

Метки: диффузионном, многослойных, нагрева, полупроводниковых, процессом, структур, формировании

...диффузант. Блок 18 интегрирования, работающий в реальном масытабе времени, выдает на блок 19 сравнения текущеезначение глубины диффузии. При достижении заданной глубины, устанавливаемой задатчиком 20, с блока 19 сравнения подается сигнал на ключ 21, который переключает программный задатчик23 температуры на снижение температуры печи. Таким образом, возможные самопроизвольные изменения температурыв печи учитываются путем изменениявремени нагрева, корректированияпрограммы нагрева,Система позволяет обеспечить требуемую глубину диффузии примесей приполучении многослойных полупроводниковых структур и в связи с этим повысить процент выхода годных приборов,Формула из обретенияСистема управления процессом нагрева при диффузионном...

Номер патента: 1565867

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Дмитриева, Марченко, Яцик

МПК: C09G 1/02

Метки: подложек, полирования, полупроводниковых, суспензия, химико-механического

Номер патента: 1569634

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Афанасьев, Козин, Михайлов

МПК: G01L 27/00

Метки: давления, датчиков, испытания, полупроводниковых, чувствительных, элементов

...давления.Одновременно с испытательным даъ лением подается на нагреватель 14 с регулируемого источника 13 тока выходная величина У., в качестве которой может быть ток или напряжение, вызывающая нагрев корпуса 1 до температуры и и, соответственно, чувствительного элемента 6. Информация о текущей температуре я, с термочувствительного элемента 4 поступает в виде. сигнала Хе и подается на сравнивающий элемент 10, где сравнивается с сигналом, поступающим с задатчика 11 температуры; разница поступает на измеритель-регулятор 12, который управляет регулируемым источником 13 токаПо результатам испытаний чувствительного элемента судят о, его эксплуатационных характеристиках.Преимуществом предлагаемого устройства является расширение функциональных...

Номер патента: 1259591

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Гуляев, Калачев, Мельник, Сизов

МПК: B23K 31/02

Метки: монтажа, полупроводниковых, приборов

...перемычки перед второй сваркой.Одновременноначалом подъема микросварочного инструмента 1 иа" чинают нагружать проволочную перемычку элементом 12, например, опусканием корпуса 4 прибора за счет упругих свойств упругого элемента, на которои закреплен элемент 12. В связи с теи, что усилие прикладывают в вершине треугольника (Фиг.2, то реакции, возиикаеиые в сварных соединениях, равны по величине и направлены вдоль оси проволоки с одинаковыми углами наклона к горизонтали, т.е. каждое сварное соединение испытываеТся одинаковым усилием.Корпус прибора опускают с постоянной скоростью с одновременным измерением величины приращения усилия иагружения с периодичностью в 1 ис, создаваемое упругим элементом, по деФормации, иаприм -р, с помощью...

Номер патента: 1577181

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Косоплеткина, Солодова, Чопоров

МПК: B23K 3/00

Метки: выводами, кристаллов, нагревательное, напайки, полупроводниковых, приборов, рамки

...стенки б прот)чки 5 ныполнеиы под углом Ю 8690 относительно рабочей понерхнос"тй 4 этого ролика. А расстояние (ши"рина В проточки 5) между ними на вход, в проточку 5 составляет 0,5"О,7диаметра подаваемой проволоки 1. Под-жмной ролик 2 содержит коническуюпроточку 7. Угловые участки 8 и 9 зуб чатого приводного ролика 3 н процессеработы вдавливаются в металлическуюоболочку проволоки 1.Устройство работает следующим образом,45При вращении зубчатого приводногоролика 3 порошковая проволока 1, прижатая к нему поджимным роликом Впроталкивается с силой Р. При этом зубчатая рабочая поверхность 4 приводного ролика 3 захватывает проволоку 15 О(располагающуюся по центру проточки5 и не касающуюся ее внутренней поверхности).Прн поджнме проволоки 1...

Номер патента: 1580606

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Кужелев, Шерешовец

МПК: H05K 13/02

Метки: загрузки, кассеты, кристаллов, полупроводниковых, преимущественно

...3продольные пазы 24, параллельные желобам 3 и расположенные между гибкимитрубопроводами 13,Для загрузки деталей в вибрационный питатель 2 предназначен бункер25 с электромагнитным приводом 26,."а у выходного конца платы вибрационного питателя 2 установлен сборник27. Полость 18 накопителя 10 соединена с вакуумной системой через вакуумный распределитель 28,Лля поворота крышки 9 вибрационного питателя 2 предназначена рукоятка 29, установленная с возможностьювзаимодействия с микропереключателями 30, Кассета 31 для деталей 4 размещается под корпусом 15 накопителя10, Устройство может быть использовано для сборки диодов, В этом случаев гнездах кассеты 31 размещаются нижний вывод 32 и стеклотрубка 33. Иежду корпусом 15 накопителя и кассетой31...

Номер патента: 1581495

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Губич, Рубенчик

МПК: B23K 3/02

Метки: газовый, нагреватель, полупроводниковых, приборов, ремонта

...Нагревательный. элемент 6 расположен на керамическом сердечнике 5 таким образом, что каждый виток спирали смещен относительно предыдущего на угол 15-20(фиг.3).Насадка 9 устройства регулирования размера пятна локального нагрева изделия выполнена, например, в виде полусферы (Фиг4).Нагреватель работает следующим55образом.В отверстии для подвода газа корпуса 1 (Фиг.2) подается газ (аргон,азот) давлением 0,1-0,15 МПа и расходом 0,1-0,4 м /ч.На нагревательный элемент 6 черезшины 2 и 3 подается напряжение 36 В.Газ, проходя через витки спиралио6, нагревается до 700-800 С и, выходяиз сопла наконечника 4, обтекает насадку 9, образуя пятно локальногонагрева изделия определенного размера,Для изменения размерапятна локального нагрева изделия...

Номер патента: 1583814

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Богобоящий, Дроздов, Петряков, Раскевич, Рогулин

МПК: G01N 27/00

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...К - коэффициент включения, который зависит от конФигурации электродов, измерительного зазора между ними и толщины образца, Точный расчет коэффициента включения для планарного конденсатора является сложной задачей, поэтому для конкретных практических применений достаточно произвести градуировку по образцам с известными номиналами Ь определенными независимым методом.Примером конкретного применения устройства может служить устройство для измерения удельного сопротивления пластин кремния и теллурида кадмия (фиг, 1 и фиг2), Генератор 6 высокой частоты нагружен на делитель, состоящий из сопротивления образца (К ) и сопротивления нагрузки (К ), на котором измеряется сигнал, пропорциональный току, протекающему по цепи. Площадь контактных...

Номер патента: 1587083

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Гилярова, Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Рогачев, Фомин

МПК: C30B 25/02, C30B 33/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термической

...газов, а также - в вытяжную вентиляцию, имеющую связь с чистой зоной 16, Г 1 о окончании загрузки производят стыковку реактора 2 с коышкой 8, при этом подключают подачу инертного газа через патрубок 15, Плотное прилегание плоского шлифа между реактором 2 и крышкой 8 обеспечивают при помощи сильфона 11 и прижимных пружин 14, После продувки реактора 2 с загрукенными пластинами 5.инертным газом нагреватель 1 выводят в зависимости от процесса на необходимую рабочую температуру, контролируемую термопарой 18. Включают подачу ПГС (в случае пирогенного окисления - пары, образованные сгоранием водорода в кислороде с добавлением хлористого водорода, в случае диффузии, например РРС 1 э - инертным носителем).На нагрузочном конце реактора 2...

Номер патента: 1590290

Опубликовано: 07.09.1990

Автор: Трубицын

МПК: B23K 31/02

Метки: герметизации, контактной, полуавтомат, полупроводниковых, приборов, сваркой

...наезжает на наклоннуюповерхность копира 27 и перемещаетсявверх. При этом одновременно копир16, закрепленный на подпружиненномштоке 15, через ролик 17 перемещаеткаретку 18 горизонтального перемещения вправо, и поднимает один конецкоромысла 25 относительно его оси,закрепленной на каретке 18 горизонтального перемещения, при этом второй конец коромысла 25 взаимодейству"ет с фиксатором 21 и его (коромыслакриволинейная часть, взаимодействуяс роликом 28 каретки 19 вертикальногоперемещения, опускается вниз. Такжеопускается каретка 19 вертикальногоперемещения вместе с упором-досылателем 20, закрепленным на нижнем ееконце, до упора 33, размещенного накаретке 18 горизонтального перемещения,Причем опускание каретки 19 верти"кального перемещения...

Номер патента: 1594724

Опубликовано: 23.09.1990

Автор: Васильев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор

...фиг, 1 показан радиатор, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид сбоку.Радиатор выполнен в виде оребренного основания 1 с монтакной площадкой 2 для 10 охлаждаемых элементов 3, Основание 1 образовано двумя наборамиЦ-образных скоб 4, вложенных одна в другую и соединенных горизонтальными полками 5, Два набора У -образных скоб 4 соединены между собой 15 внешними поверхностями 6 горизонтальных полок, Монтакная площадка 2 размещена на торцовых поверхностях горизонтальных полок 5. Причем минимальная толщина наборами-образных скоб 4 рав на внешнему диаметру О охлаждаемого элемента 3, а максимальная больше б на толщину двух горизонтал ьн ых полок 1 Х-образных скоб 23. 25Радиатор работает следующим образом,При работе полупроводникового...

Номер патента: 1594725

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Бельницкий, Дудник, Соловьев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической

...радиатор, установленный на охлаждаемом приборе, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид сбоку.Радиатор содеркит разрезное обжимное кольцо 1 со сквозным разрезом 2 рас-. ширяющимся в сторону внешнего периметра кольца 1, сквозными цилиндрическими торцовыми отверстиями 3 по внешнему периметру со сквознымипрорезями 4 в стооону внутренней поверхности кольца 1 и сквозными торцовыми отверстиями 5 па внутреннему периметру со сквозными прорезями б в сторону внешней поверхности кольца 1, Сквозные прорези б расположены по осям симметрии соответствующих сквозных торцовых отверстий 5, Сквозные торцовые отверстия 5 выполнены в виде нескольких цилиндрических отверстий 7 и 8, частично перекрывающих друг друга (на фиг, 1 показан вариант выполнения в...

Номер патента: 1597536

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Гузенко, Корниенко, Федчук, Шаповал, Шевченко

МПК: G01B 11/30

Метки: пластин, поверхностной, полупроводниковых, сверхрешетки, симметрии, типа

...пластину 11 полупроводника наносят слой анизотропного жидкого диэлектрика, Затем пластину 11 со слоем диэлектрика устанавливают на электроде 4 неподвижной части 2 держателя.Прозрачный электрод 7, жестко закрепленный на повторной части 3, приводят в контакт со слоем диэлектрика,нанесенного на пластину 11, Обе части 2 и 3 держателя скрепляют с помощью накидных пружйнных стопоров 6,входящих в кольцевой паз 9. Прикладывая к электродам 4 и 7 П-импульс.: электрического поля, поворачиваютмолекулы слоя анизотропнаго жидкогодиэлектрика. Затем поворачивают прозрачный электрод 7 на угол 0 - 90",С помощью шариковых подпружиненныхфиксаторов 5 и сферических углублений 8 угол поворота Фиксируют, Осве,щают устройство от источника 1 света длина...

Номер патента: 1599449

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Фомин

МПК: C30B 29/06, C30B 31/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...со стороны загрузки подают предварительно закрученный инертный газ - азот с расходом до 300 л/ч,Рабочую зону реактора подогреваютдо 900-1100 С. В процессе пирогенного окисления в реактор со стороны,противоположной загрузке, подают пары воды, которые образуют сжиганиемводорода с расходом 600 л/ч в кислороде с расходом 400 л/ч с добавлением хлористого водорода в количестве15-20 л/ч,В процессе проведен япластин отработанную п1599449 формула изобретения Составитель В, Безбородова Техред И,Иоргентал Корректор А, Пбручар Редактор Л. Веселовская Заказ 3123 Тираж 346 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1600856

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Бабаянц, Ребров, Силин, Чистилин

МПК: B08B 3/02

Метки: пластин, плоских, полупроводниковых, преимущественно

...с полупроводниковыми пластинами.Устройство для осуществления способа очистки плоских деталей, преиму-щественно полупроводниковых пластин,содержит моечную камеру в виде цилиндрического промывочного резервуара 1, в стенке которого имеется выпускной патрубок 2, крышку 3, трубку4 с соплами 5, поворотный столик 6,закрепленный по оси 7, приемные узлы8 для кассет 9 с полупроводниковымипластинами 10, ось 11, первый 12 ивторой 13 регулируемые упоры, пружину 14.На фиг. 1-3 показаны углы: М -угол наклона пластин, В - угол разворота кассеты с пластинами, направление вращения поворотного столика 6 -стрелка А, направление разворотаприемных узл-в 8 с кассетами 9стрелка Б.На фиг. 1 пунктирными линиями выделено направление моющей идкостиили осушающего...

Номер патента: 1304668

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Максименко, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/308

Метки: микроструктур, полупроводниковых

...,"Опонируют ультрафиолетовым излучениемПо заданному рисунку и проявляют.Образцы помещают в ВЧ-диодный реактор и травят А 1 или Я 1.0 . Режимытрявленл и результаты исследований, полученные на растровом электронном микроскопе, приведены в таблице,Ограниченная плотность высокочастотной мощности в начальных стадиях Ятравления не вызывает чрезмерногоразогрева подложек, приводящего к текучести Фоторезиста. В то же времяпроисходит эадубливание слоя Фоторезиста с поверхности вглубь пример- З 5нр со скоростью 0,1-0,15 мкм/мин. Впоследней сгадии травления с наиболеевысоким уровнем плотности мощности итемпературы эадубленный слой Фотореэиста препятствует деформации края 40маски. Угол на краю маски сохраняет-.ся близким к 90 что соответг...

Номер патента: 1602652

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Глаголев, Кононец, Пентегов, Стемковский, Шейковский, Шульман

МПК: B23K 31/02

Метки: герметизации, конденсаторная, контактная, корпусов, полупроводниковых, приборов, сварочная

...момент опускание электрода 2 приостанавливается. Между корпусом 26 прибора и его крышкой 25 сохраняется зазор, позволяюшнй откачать полость прибора (вместе с камерой) и заполнить ее газом заданного состава, При дальнейшем опускании стакана 1 корпус" ные детали 25 и 26 прибора сжимаются электродами 2 и 3. 1( корпусу прибора подается сварочный ток, который от контактной колодки 16 трансформатора через гибкую шину 17 подводится к утолщенному фланцу 18 стакана 1, распределяется по нему и затем, по более тонким стенкам стакана и его дну подводится к верхнему электроду 2 и корпусу 26 прибора. После прохождения тока и герметизации прибора шток 20 цилиндра привода отводится вверх, поднимая стакан 1 с электродом 2, и освобождает...

Номер патента: 1602727

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Илларионов, Шутеев

МПК: B25H 7/00

Метки: маркировки, полупроводниковых, приборов

...полупроводниковых приборов, общий .вид;на Фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.Устройство для маркировки содержит основ ание 1, на котором р аз мещена ванна 2 с краской. В ванне 2 установлен маркировочный диск 3, а кее корпусу прикреплен нож 4 для снятия излишков краски. Нож 4 имеет 0- 20образную форму. С основанием 1 жестко связана посредством кронштейна(не показан) плита 5. На последнейразмещены две направляющие 6, расположенные по обе стороны от маркировочного диска 3. Боковая плоскостьодной из направляющих 6, обращеннаяк торцу маркировочного диска 3, установлена под углом к нему. Граньнаправляющей б для контактированияс полупроводниковым прибором 7 представляет собой эвольвенту для обеспечения точечного контакта,Устройство для маркировки...

Номер патента: 1605289

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Беневоленский, Кубрин, Лисов, Тянгинский

МПК: H01L 23/34

Метки: диэлектрических, подложек, полупроводниковых, термической

...зону ее контакта спринудительно охлаждаемым подложкодержателем. Для этого во время обработки подложки, когда она изгибаетсяпод действием на нее теплового потока,с помощью интерферрометрического контроля измеряют прогиб подложки, находят область ее максимального прогиЬа и изгибают подложкодержатель таким,оЬразом, чтобы ликвидировать этот зазор. 25На подложкодержатель 1 помещают. подложку 2 (фиг.2), во время воздействия на нее теплового потока освещают подложку когерентным монохроматическим излучением, в качестве источника которого используют лазер 3.Луц лазера сканирует по всей подложке и по интерференции в зазоре междуподложкой и подложкодержателем определяют .оЬласть максимального прогиба,интерференция регистрируется с помо-щью...

Номер патента: 1608486

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Михалев, Монахов, Петров, Попов, Степанов

МПК: G01N 5/00

Метки: момента, нарушенного, окончания, полупроводниковых, слоя, структур, травления

...1. Полупроводниковая структура 3 с нарушением в результате механической обработки приповерхностным слоем закрепляется на элементе 2. Далее сосуд заполняют травителем и производят балансировку весов с учетом массы сосуда с травитенем, массы элемента с закрепленной полупроводниковой структурой и действующей на них выталкивающей силы.При достижении балансировки весов производят их включение для регистрации суммарного эффекта от увеличения массы травителя за счет растворения в нем нарушенного слоя и от уменьшения массы и объема полупроводниковой структуры в процессе травления.Напряжение, возникающее при движении катушки 10 в поле магнита 11, определяет скорость травления нарушенного слоя. Изменения веса и скорость регистрируют с помощью...

Номер патента: 1608551

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Лузан, Орешкин

МПК: G01N 27/22

Метки: глубоких, параметров, полупроводниковых, структурах, центров

...время формирования0 опорного сигнала величина управляющегосигнала и соответственно период импульсовзадающего генератора 8 остаются неизменными. Период импульсов задающего генератора 8 строго пропорционален величине5 управляющего сигнала, поэтому управляющий сигнал можно использовать в качествевеличины, характеризующей период задающего генератора и характеризующей постоянную времени релаксации,0 Выбор арифметической операции (сложение или вычитание) осуществляется триггером 14, Высокий уровень сигнала навыходе триггера соответствует операциисложения, низкий уровень - операции вычи 5 тания, Триггер 14 имеет счетный вход и входустановки. Если управление осуществляется по входу установки, то счетный вход блокируется. Управление по счетному...

Номер патента: 1199151

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Долгополов, Иванов, Кохан, Рогачев, Сологуб, Хайнацкий

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых, процессом

...с преобразователя 1.(кри-: вая А на фиг.2) модулируется модуля-, тором 3 частотой 1 кГц и также подается на тракт усилителя,Если постоянная составляющая выходного напряжения усилителя 6 отличается, от 11 , то интегратор 11 изменяет коэффициент усиления усилителя п 6 (при уменьшении выходного нанряже= ния увеличивает коэффициент усиления и наоборот). Например, если напряже 4. ние с преобразователя 10 уменьшается на 12%, то коэффициент усиления увеличивается примерно на 12%.Сигнал с преобразователя 1 прохо" дит тот же тракт усиления. Кроме того, влияние флуктуаций давления и мощности на его выходной сигнал таков же, как на преобразователь 10, поэто,1 му уменьшение выходного напряжения преобразователя 1 на 12% будет ском".пенсировано...

Номер патента: 1612268

Опубликовано: 07.12.1990

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов

...выход генератора 4 соединен с щупом 1, а между вторым выходом генератора 4 и земляной шиной включен элемент 5,1 индикации.Устройство работает следующим образом.На первом и втором выходах генератора 4 формируются импульсные последовательности в противофазе с уровнями,акаэ 3829 Тираж 560 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 здательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина,оизводств соответствующими нулевому напряжению, и например, положительному напряжению Е,При проведении контроля биполярного транзистора последний своими тремя выводами подключается к щупам 1-3. При этом база транзистора подключается к щупу 1, а коллектор и эмиттер соответственно,...

Номер патента: 1613271

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Карлюченко, Кочан, Куришко

МПК: B23K 11/06

Метки: герметизации, корпусов, полупроводниковых, приборов, прямоугольных

...сторонамкорпуса.На чертеже приведена схема устройства для реализации описываемого способа.Устройство содержит предметный столик 1, корпус 2 полупроводникового прибора, крышку 3 полупроводникового прибора,сварочные ролики. 15Способ герметизации прямоугольныхкорпусов полупроводниковых приборовконтактной шовной сваркой выполняют следующим образом, На предметном столике1, который расположен под сварочными роликами 4, устанавливают корпус полупроводникового прибора 2 с крышкой 3,зафиксированной относительно основания корпуса 1, Для выполнения процессагерметизации корпус 2 выводят в плоскость 25действия сварочных роликов 4 и перемещают ролики вдоль боковых кромоккрышки 3, При одновременном перемещении четырех роликов по контуру в...

Номер патента: 1436775

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Гончаров, Деев, Скуратовский

МПК: H01L 21/306

Метки: жидкостного, пластин, полупроводниковых, травления

...сторон. 10Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключенияпод;равливация рабочих сторон плас- итиц. 15В предлагаемом способе полупроводниковые пластинысовмещают попарнорабочими поверхностями, на которьксформированы интегральные схемы,После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованнойводы, Благодаря наличию слоя льдамежду совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа".нию температуры жидкого травителяниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, аэкэотермическая реакция, возникающаяпосле окунания полупроводниковыхпластин...

Номер патента: 1619203

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Лихтштейн, Львович

МПК: G01R 29/26

Метки: измеритель, полупроводниковых, приборов, шума, эдс

...3 и 7 разомкнуты,контакт реле 22 также разомкнут. Контакт 13 замкнут. После замыкания петли обратной связи происходит установка напряжения на выходе объекта контроля, равного заданному напряжениюиспьггания.Величина емкости во входной цепииспытуемой микросхемы определяетсявеличиной паразитной емкости монтажаиспытательной панели и составляет не-сколько пикофарад. Эта емкость заряжается входным током испытуемой микросхемы. За счет изменения на входемикросхемы (на коцценсаторе 6) изменяется выходной ток объекта контроля.Операционный усилитель 23 в блоке 15поддерживает заданный режим испытания - компенсирует изменение напряжения на выходе испьггуемой микросхемы,вызванное изменением ее выходноготока,Длительность второго такта составляет 3 -...

Номер патента: 1619356

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Веприк, Краснянский, Никифоров, Феклистов

МПК: H01J 37/26

Метки: исследования, микроскопе, пластин, полупроводниковых, электронном

...пластина помещается на столик 1 под зондовую карту 5, которая опускается до образования зазора примерно в 1 мм между ней и пластиной. Затем объем вокруг столика вакуумируется и произ" водятся исследования. Для осуществления контакта игл 7 с пластиной опускают подвижное. кольцо 6, пропуская электрический ток через терморегулирующий элемент 10. Поскольку элемент 10 контактирует с гофрированным наполненным кольцевым газом элементом 9, происходит либо расширение,либо сжатие газа, что воздействует на гофрированные стенки кольцевого элемента 9. Тем самым осуществляется подъем-опускание кольца 6 с иглами 7. Полупроводниковая пластина перемещается по осям горизонтальным, а также вращается при поднятом кольце 6 .зондовой карты 5 за счет...

Номер патента: 1621190

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Буянов, Карташов, Кундышев, Митрофанова

МПК: H05K 7/20

Метки: испарительного, охлаждения, полупроводниковых, приборов

...теплоаккумулирующим материалом 11, В качестве искусственной полимерной пленки исПользована пленка марки ПЭТФ. Полупроводниковые приборысжаты с элементами 5 жесткости и токоведущими шинами 12 посредством прижимных элементов 13. Элементы 5 жесткости выполнены из теплопроводного материала,Устройство для испарительного ох" лаждения работает .следующим образом,При протекании тока через полупроводниковый прибор 7 выделяется теплота, которая передается через стенку элемента 5 жесткости, стенку корпусав его зоне 4 испарения теплоаккумулирующему веществу 2, в качестве которого использован жидкии теплоноситель например вода, Жидкий теплоноситель закипает и его пары поднимаются в зону 3 конденсации корпуса 1, где конденсируются и стекают по...

Номер патента: 1621196

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Жаров

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...работает следующим об-,разом,В процессе работы радйоэлемента 4выделяемое им тепло идет сначала наразогрев плавящегося вещества 2, азатем на его плавление.В моментдостижения плавящимся веществом 2температуры плавления или несколькобольшей включается цепь 10 электромагнита 5 такой полярностью, что полюс электромагнита 5, примыкающий ккрышке 3, совпадает с соответствующимполюсом шайбы 9. Возникающая отталкивающая сила обеспечивает давлениепластины 8 на столб плавящегося вещества 2, обеспечивая непрерывно плотный контакт еще нерасплавившегося вещества 2 с крышкой 3, на которойразмещен радиоэлемент 4. Уже расплавившееся вещество 2 вдоль стенки переходит в освободившуюся за пластинойобласть. Это обеспечивает высокоэффективный отбор тепла...

Номер патента: 1624354

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Гордиенко, Городжа, Емец, Стрилько, Тхорик, Шварц

МПК: G01R 27/02

Метки: полупроводниковых, распределения, структур, электропроводности

...из от края пласти ны к центру соответственно. Теоретическая кривая на фиг,2 соответствует отношениям Яг =- 0261-0,3 и ЯЗ- РФ=0,4 дляТ" 30045 К, а теоретическая кривая на фиг.3 - Яг = 0,4 и Яз - 0,4 для Т 77 К.Экспериментальные значения напряжения О 1 на потенциальных зондах и значения функции 1(р) = полученные для 50Ойразличных температур Т.При сопоставлении теоретической кривой с экспериментальными значениями смещение ЛЬ = 1(р )-и, где О 1О 1 55РКЕ 1- потенциал на внешнем слое образца;р в - сопротивление на квадрат внешнего слоя, равно Ь Ь-0,25 и Ь Ь-0,3 для Тметра структуры (точки А и В), неподвижный потенциальный зонд располагают на конце перпендикулярного диаметра (точка С), подвижный потенциальный зонд последовательно перемещается...