Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 615433

Опубликовано: 15.07.1978

Автор: Филиппов

МПК: G01R 31/26

Метки: нестабильности, параметров, полупроводниковых, приборов, электрических

...10 сра;нения кодов выявляет совпадение кодов, что означает равенство чисел во всех разрядах счетчика нестабильйостн и старшей декаде реверсивного счетчика,4Реле 5 времени через логический элемент И 9 дает разрешение на заполнение счетчика 11 нестабильности. При измере. нии нестабильности импульсы, идущие в реверсивный счетчик 8 через элемент И 9 проходят в счетчик 1 нестабильности,Предположим, что прн измерении нестабильности в интервале времени 1 в реверснвный счетчик 8 проходят шесть импульсов, так как в старшей декаде реверсивного счетчика 8 находится цифра 3, то счетчик 11 нестабильности считает только до трех, и каждый третий импульс попадает в блок 12 индикации. Для данного случая в блок 12 индикации. попадает 2 импульса, что...

Номер патента: 616599

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Алексеев, Петров, Соловьев, Тихонов, Хорунжин

МПК: H01L 21/66

Метки: ветевей, индикатор, полупроводниковых, проводимости, сплавов, термоэлектрических, термоэлементов, типа

...при разбраковке ветвей с токовым сечением ток 1 ммаЦель изобретения - повышение производительности при определении типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы.Для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы в качестве индикатора используют водный раствор азотнокислой меди,Известно, что при травлении медных изделий перед гальваническим нанесением металлических покрытий, изделия опускают в водный раствор азотной кислоты 2, при этом идет следующая реакцияЗСцфВННО- ЗСц(ЮО)т+2 КО+1 НОПолучающаяся в результате реакции азотнокислая медь взаимодействует с веществом,п-ветви616599...

Номер патента: 617271

Опубликовано: 30.07.1978

Авторы: Белов, Герасимов, Карпов, Красавина, Сурогин, Цыпкин, Чернышев

МПК: B28D 1/18

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...гайка для продольной подачи,снабженная приводом подачи, кинематически связана с винтом салазок, имеющимвозможность вращательного движения вЗО опорах.3На чертеже дана кинематическая схема предлагаемого устройства для резки пластин полупроводниковых материалов.Устройство состоит из корпуса 1 с направляющими 2 и неподвижно закрепленным ходовым винтом 3, снабженным гайкой 4 для продольной подачи, жестко связанной с червячным колесом 5 и винтовой шестерней 6. Червячное колесо 5 входит в зацепление с червяком 7, являющимся при О водам подачи, а винтовая шестерня 6 входит в зацепление с винтовой шестерней 8, которая жестко закреплена на ходовом винте 9 поперечной подачи, связанном с салазками 10 при помощи опор 11 враща тельного движения,...

Номер патента: 617398

Опубликовано: 30.07.1978

Авторы: Дорохова, Ермолаева, Кандыба, Королев, Луканов, Петрова, Чиликина

МПК: C03C 3/10

Метки: изоляции, полупроводниковых, приборов, стекло

...способности стекла для изоляции полупроводниковых приборов.Это достигается тем, что предлагаемоестекло дополнительно содержит РгОз приследующем соотношении и компонентов,мол. %: 10РЬО 26 - 43ВгОз 22 - 31УпО 12 - 3210 г 13 - 18А 1,0, 0,3 - 5,0 15МпО, 0,2 - 0,5СцО 0,2 - 2,0СЙО 0,2 - 0,5РгОа 0,2 в 1,2 20Таблица 1 Состав Компоненты 25 41,7 23,1 13,2 16 03,7 0,2 0,11,7 35 0,3 26,2 24,4 30,6 17,0 0,3 0,2 0,1 0,1 0,1 33,1 30,0 16,6 14,3 4,6 0,4 0,3 0,4 0,3 РЬО ВгОз У.пО Б 10 г МпОг Р 205 СцО СЙО Таблица 2 Температура Угол диэлекГидроли- тический Температураоплавления пленки, С КЛТРХ 107 град о,10Ом см Состав размягчения,ОСтрическихпотерь 1 Р ь 104 класс 9,5 12,1 13,8 472 465 447 64,0 69,8 72,6 680 640 600 301718,5 Стекло для...

Номер патента: 519045

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 21/20

Метки: газовой, многомлойных, наращивания, однослойных, полупроводниковых, селективного, структур, фазы, эпитаксильных

...друга изготов ляют один или несколько источников полупроводникового вещества, поверхность которых доступна действию химического 10 транспортного реагента лишь на локальных участках, расположенных зеркально-симметрично но отношению к предлагаемому расположению эпитаксиальных остр овков на поверхности подложки. , 15Л окализацию взаимодействия химического транспортного агенства с ограниченными по форме и размеру участками источника осуществляют путем маскирования всей поверхности источника с последую щим фотолитографическим вытравливанием окон заданного размера и конфигурации, которые обнажают соответствующие участки на поверхности источника, Далее подготовленный источник сближают с очищенной 25 поверхностью подпожки и пои достаточно...

Номер патента: 620919

Опубликовано: 25.08.1978

Автор: Разбегаев

МПК: G01R 31/27

Метки: вентилей, повреждений, полупроводниковых, последовательно, соединенных

...надежности определения неисправности вентилей.Это достигается тем, что в схему моста введен кольцевой демодулятор, отводы которого подключены к резисторам делителя напряжения и шунтирующим резисторам симметрично относительно присоединения индикатора.На чертеже показана схема предлагаемого устройства для определения повреждений последовательно соединенных полупроводниковых вентилей.Схема выполнена по принципу симметричного балансного моста 1. Два плеча моста 2, 3 образованы цепью последовательно соединенных неуправляемых полупроводниковых вентилеи, шунтированных выравнивающими сопротивлениями, а два других плеча 4, 5 образованы вспомогательным резистивным делителем напряжения. В измерительную диагональ моста между Средними620919 10...

Номер патента: 588851

Опубликовано: 25.08.1978

Авторы: Геворкян, Голубев, Каряев, Шмарцев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводниковых, структур

...подложка пропускают импульсы пост оян ного электрического тока, имеющего такое направление, что на границе разде 20 ла источник - растворасплав выделяет", ся тэйло Пельтьеу а цю. 1"анице раствор расплав - подложка поглощается такое же количество тепла. Под .действием теп- ла Пельтье происходит растворение слоя 25 источника, толщина которого определяется количествам выделившегося тепла, т. е. величиной и длительностью импульса тока, В то же время на другой границе раздела температура понижается и раст- ЗО вор расплав оказывается нересьпценным относительно компонент, насыщавших жидкую фазу (компоненты твердого раствора А 6, бо, ЬЬ .). На подложке начинаетси, кристаллизация слоя твердого рствора, ЗЮ причем концентрация...

Номер патента: 621367

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Лутц, Михаель, Райнер, Хорст

МПК: B01J 17/00

Метки: полупроводниковых, травления

...близким псущности и достигаемоизобретению являетсястекла газообразной тсмесью 1 .Известный способ не обеспечива высокой интенсификации процесса т ления полупроводниковых материалокремния.Целью изобретения является интен сификация процесса травления полупровсдниковых материалов иэ кремнияДля достижения поставленной цели в известном способе травления полупроводниковых материалов обработку проводят в реакторе при давлении 1-10 торр в тлеющем разряде.В данном способе может быть исьзована чистая травильная смесьи разбавленная газом, например водородом или аргоном.В реактор, из которого уда дух, псщают через трубопровод образное травильное средство рафторметан, разбавленный вод Давление в реакторе 5 торр. М трубопрсводом и стенкой...

Номер патента: 621997

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Гуревич, Лапушков, Романов

МПК: G01N 25/32

Метки: минералов, полупроводниковых, проводимости, типа

...с заданной точкой исследуемого минерала, Сигнал термо-ЭДС регистрируют в установившемся режиме.Особенностями этого метода являетсявысокая экспрессность измерений и низкая точность результатов, позволяющаяс большой степенью достоверности говорить только о знаке термо-ЭДС,звестен способ определения типа прЗаказ 5004/6 Тираж 1 1 12 ПодписноеБНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва Ж, Раущская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент," г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Целью изобретения является определение типа проводимости полупроводниковых минералов по знаку их термо-ЭЯС без предварительного нагрева одного иэ зондов.Поставленная цель достигается тем, что в известном способе одним...

Номер патента: 529697

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Коробов, Лупачева, Маслов, Мясоедов

МПК: H01J 21/20

Метки: источник, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, твердый, эпитаксиального

...состава, причем направление градиента состава будет перпендикулярно направлению перемещения источникаотносительно подложки, а содержание компонента В на расстоянии х от края подложки будет определяться отношепиемФК хЬ35при х=0 содеряание Р=0%;х=/г содержание Р = 100%,Скорость перемещения источника Ъ относительно подложки при данном соотношении переносимого количества компонентов 40должна обеспечивать создание на подложке моноатомного слоя твердого раствора.При наличии двух или 21 г зон источникавремя пребывания подложки под зоной источника, соответствующей содержанию х% 45одного компонента, равноЬКх -Ра время преоывания под всем источникомЬо --Рне должно превышать времени, требующегося для перехода в газовую фазу одного...

Номер патента: 623240

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Бондарев, Добровольский, Кислицын, Мусин, Павлюк, Россошинский

МПК: H01L 21/04

Метки: арматуре, кристаллов, металлической, пайки, полупроводниковых, приборов, стабилитронов

...стабилизации выше 50 В.Поставленная цель достигается тем, что р- - и переход предварительно нагревают ло температуры, обеспечивающей возрастание обратного тока р - и - перехода выше 0,5 А, а напряжение тока основного нагрева выбирают меньше напряжения стабилизации полу роволни кового кристалла стабилитрон а.Предварительный нагрев может бьть осуществлен током, протекаюпгим в прямом направлении относительно р- - и перехода.В этом случае обратный ток основного нагрева пропускают с задержкой после окончания тока предварительного нагрева. по величине равной или большей времени тепловой диффузии в кристалле. Технологический цикл по описываемому способу следующий. Полупроводниковый кристалл стабилцтроца укладывают между залужеццыми...

Номер патента: 624180

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Голынная, Приходько, Соболев, Хоменко

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, характеристик

...прибора.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу стабильность опре- ,деляют по разности двух значений фото.-ЭДС при освещении перехода между замерами излучением мощностью, не ни624180 2 4 г же чем в 10 раз превыаающей мсхцность облучения при измерениях.Способ осуществляется следующим образом.После изготовления р .- Н -переходов на пластине полупроводника измеряется величина фото-ЭдС при освещенности Б 1 поверхности прибора, затем освещенность поверхности вбли." зи р -И -перехода увеличивают до зна чений Е ф (10+15). Е 1 на время, которое одного порядка со временем релаксации заряда на поверхностных состояниях. После этого проводится повторное измерение фото-ЭДС при освещенности Е 1 поверхности прибора. Величина...

Номер патента: 632010

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Афанасов, Кислицын, Мусин, Петров, Россошинский, Утробин, Шамыгин

МПК: H01L 21/77

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...целиток через паяемый прибор с приложением напряжения пропускают дважды,при этом полярность напряжения изменяют относительно р-и-переходакристалла диода.Дпя пайки неориентированных,кристаллов диодов. каждый диод в нриспо соблении подключают к источнику питания, затем меняют полярность подключения источника питания относительно (Р-п-перехода полупроводниковогокристалла диода и повторно подключают источник питания. Некоторое сни"жение производительности при этомкомпенсируется ликвидацией операцииориентирования,П р и м е р. Б кассету, укладываютвырубленную из медной фольги толщиной 0,3 мм гребенку с облуженнымиокунанием в припой ПОСконтактными йлощадками. На контактные площадки укладывают полупроводниковыекристаллы диодов...

Номер патента: 635536

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Гюнтер, Юрген

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентации, пластин, полупроводниковых, спосб

...1;ОЛМПЭОВО:НИКОНЫ. ПО.;10 ЖКД.;, КОГО,)ЫЕ ООЛЯП 310 т 1 з 23,ичныъ 1 и пост 051 нными репе ток, например, при выращивании йаАВР цаС)ЯА или на 62 Р. При облучении лазер НЫ.1 ИСТОЧНИКО СВЕТЯ ВСЛЕДСТВИЕ ЛдфРЯК- ц)1.1 .Язе:10 го,)тчд пд этоЙ сетке:1 ислокапиЙ 30311 икаст л:111)рЯкпионное изобрджеиие 0 в фо.,е лвук псрпен.1 икулярно )псрекрс)ци635536 Способ ориентаци 11 полупроводнеиковь.хпластин, преимущественно с эпитаксиальным слоем, имеющим сетку, дислокаций, включающий облучение их поверхности, наблюдение картины отражения на экране 15 с пеэекэестьем и перемещение пластин досовмещения картины отражения с перекрестьем шкалы, о т л и ч а ю щ и й я тем, что, с целью упрощения процесса ориентации и уменьшения потерь полупроводнико ного...

Номер патента: 635557

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Белопухов, Качеровский, Клименко, Королев, Фурсов

МПК: H02J 3/46

Метки: выпрямителей, нагрузки, параллельно, полупроводниковых, работающих, распределения

...управляющих сш цапов; ЬП, - БП - блоки переключения управляющих сигналов; БСУС, - БСУС - блокисравнения управляющих сигналов; БСТУ - БСТУ - блок сравнения тепловых уровней,Работа указанной блок-схемы осуществляется следующим образом.дСигналы от датчиков тепловых уровней (ДТУ) каждого силового блока (СБ) подают в соответствующие блоки формирования управляющих сигналов (БФУС), а также в блок уравнения тепловых уровней 10 (БСТУ) . Сформированный в каждом ЬФУС управляющий сигнал подают в блок переключения (БП) управляющих сигналов. Блок переключения имеет два фиксированных положения: Регулирование и 1 з Сравнение. Команда на положение БП формируется в блоке БСТУ и при 1,(Ь( (1 блок БП, фиксируется в положении Регулирование,...

Номер патента: 636562

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Гамаюнов, Паленик, Пащенцев, Смирнов

МПК: G01R 31/26

Метки: неразрушающего, полупроводниковых, приборов, силовых, ударного

...со генератор 1 сину ударного тока, и литель 3 (11, /2 =(11 / =гЬ, ), сх ГЬ 1, блок индика зистор 8. Устройство ра зом.ается тем,блока дев цепиюченный км блокиелем тока, емым приа друВыход схемытором им3 636562 формула изобретения Составитель В. НемцевРедактор Т,Орловская Техред З,фанта КоРРектоРП,МакаревичЗаказ 6933/36 Тираж 1070 Подписное11 НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035 москва иРакескак иао. а.45 Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул,Проектная, 4 Испытуемый прибор (диод, тиристор) подключают к клеммам и запускают управляемый генератор 1 синусоидального импульса ударного тока, амплитуда которого превышает значение ударного тока, предусмотренное ГОСТом для данного типа...

Номер патента: 640216

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Гудков, Невский, Сушков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легирования, полупроводниковых, профиля

...персонал, сложно, наладить серийное производство для использования установки в про. мышленности.Известен также способ 2профиля легирования полупматериалов Ба р - и-переходаШоттки путем подачи на ис трации альной рохож- линейО в том ты на кп пл ности где С=еяда-Ущая. Прп включенванного меандром- 1,0 Кгц, в измерися низкочастопныйкоторый легко уси,и подается:на,реги посто ая составля А соя И Лlопределения роводниковых х и барьерах следуемый обеьда-Мое унрощя тому, ч ние схемы достигао отношение частот Существен ЗО ется благодаИзобретение относится к роля свойств полупроводны быть использовано как для так и для непрерывной регис ля легирования в полупровод риалах на р - п-,переходах. единением заяаки-ии така ВЧ, модулиронизкой частоты...

Номер патента: 642653

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Масленников, Романов

МПК: G01R 31/26

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...спусковыеустройства соединены между собой, каждое из них соединено с сигнальнымустройством, и одно из спусковых устройств соединено с источником анодного напряжения и генератором пилообразного сигнала, а другое с обоиминуль-органами, 5На чертеже представлена схемаописываемого устройства.На схеме показаны генератор 1 одиночного пилообразного импульса, нульорган 2 и нуль-орган 3, представляющие собой диодно-регенеративные пороговые устройства с дискретно регулируемым порогом срабатывания, порогсрабатывания которых устанавливаетсяна уровне граничных значений отпирающих тока и напряжения управления,спусковые устройства 4 и 5, сигнальное устройство 6 брак, сигнальноеустройство 7 годен, резисторы 8и 9, источник 10 анодного напряженияи...

Номер патента: 646278

Опубликовано: 05.02.1979

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26

Метки: допустимой, мощности, полупроводниковых, приборов

...помощью генератора 5 измерительного тока выставляется начальное нвпряженио эмиттер-база ЦэочПриэтом для всех испытуемых приборов данной партии выполняется условие;Затем с помощью источника 1 напряжения сравнения выставляется напряжение сравнения Оса из условия:)ср э-Кнац ( э о) "где- заданная температура перехода, при которой необходимо измеритьмошйость полупроводникового прибора;1 о - температура окружающей среды;(температурно-зависимый параметр в прямое падение напряжения У д. ).По сигналу "Пуск" блок синхрониза 55ции 4 начинает периодически включатьгенератор 3 греющего тока и выключатьна это время генератор 5 измерительноготока. Время рабаты генератора 3 греющего тока значительно больше времени ра 4 Оботы генератора 5 измерительного...

Номер патента: 646389

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Гимельфарб, Коробов, Лупачева, Маслов

МПК: H01L 21/36

Метки: градиентом, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, состава, эпитаксиального

...вдвух направлениях; собственно варизонныйэпитаксиальный слой 8,Таким образом,роцесс наращивания варизонного слоя складывается из трех этапов: наращивание в течение времени т, буферного слоя (фиг, 1, а); наращивание пере.ходцого слоя в течение временит переходного слоя переменного состава в двух направлениях из перемещающегося составного источника переменного состава (фиг. 1, а );наращивание собственно варизоцного слояв течение времени тв из неподвижного источника переменного состава (фиг. 1, б).Согласно предлагаемому способу выращивацце эпитаксиальной структуры с градиентом состава в плоскости роста эпитаксиального слоя производят при использовании твердого источника с градиентом состава по поверхности, скомпонованного в графитовом...

Номер патента: 608376

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Воронин, Дроздов, Коробов, Маслов, Нечаев

МПК: H01L 21/20

Метки: наращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...направлении расстояние между соседними окнами остается неизменным и составляет величину 10 мкм. Таким образом доля плошадей участков, не покрытых защитной пленкой, изменяется от 26 О/о для края, где расстояние между двумя ближайшими окнами составляет 10 мкм, до 15 О/, у противоположного края,Предложенное устройство твердого источника было применено для получения эпитаксиального слоя арсенида галлия с релье фом поверхности в виде клина.Подготовленный источник и подложку закрепляют на держателях так, чтобы поверхность источника с окнами была обращена к подложке из арсенида галлия и их поверхности были плоско-параллельны и отстояли друг от друга на расстоянии 500 мкм. Держатели с источником и подложкой помешают в реактор и нагревают...

Номер патента: 334852

Опубликовано: 25.02.1979

Автор: Артемов

МПК: C09D 1/02

Метки: завод, полупроводниковых, приборов

...характер: частицы аморфного аэросила, распределяясь равномерно по поверхности и адсорбируясь вовпадинах микрорельефа, созцают условиядля преимущественного химического растворения пиков, тем самым способствуянеселективному травлению полупроводникаПолирование деталей из подупроводниковых материалов предлагаемой композицией имеет преимущества перед применением других составов.Вследствие аморфности наполнитедя(аэросила) в кристаллическую структуру полупроводника не вносятся нарушения и напряжения; частицы его не внеп 25 низованную воду, порциями при переме 55 шивания подируюший состав имеет жид 45 50 55 5 10 35 20ряются В тело материала а В вице Остатков носят поверхностный характер,что в случае использования кремния несчитается...

Номер патента: 654662

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Воробкало, Горюк, Губа, Малютенко, Огенко, Тертых, Хабер, Чуйко

МПК: C09G 1/02

Метки: композиция, полирования, полупроводниковых, химико-механического

...в процессе полировки образуются царапины и дефекты структуры, а качество обработки поверхности ухудшается.Присутствие щелочного травителя приводит к образованию на поверхности водонерастворимых окислов и загрязнению поверхности полупроводников ионами калия, что приводит к ухудшени 1 о электрофизических свойств полированной поверхности.Цель изобретения - улучшение структурных и электрофизпческпх характеристик полированной поверхности.Достигается это тем, что предлагаемаякомпозиция содержит аэросил, модифицированный многоатомным спиртом, в качестве травителя - 40/о-ную молочную кислоту и 90%-ную азотную кислоту, в качестве много атомного спирта - этиленгликоль или диэтиленгликоль при следующем соотношении компонентов, вес. %;Аэросил,...

Номер патента: 657546

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Еремеев, Чернявский

МПК: H02M 3/335

Метки: высоковольтный, детекторов, источник, полупроводниковых, постоянного

...Образом.При включении низковольтного преобрвзомтеля 4 сетевого напряжения в постоянное через переменный резистор 5, 50первичную обмотку повышающего трансформатора 6 и ключ 7 начинаег протекатьток, возрастающий по закону:Е 551-8ЯИ)где Е - напряжение низковольтного источ-ника питания 4; Ч Ч 1 1 Ч 1 Е 1 По такому же закону изменяется напряжение в точке А, являющейся входом дискриминатора уровня 2. При достижении напряжением в точке А величины, установленной блоком установки уровня 1, происходит срабатывание дискриминатора уровня 2. Выходной импульс, этого дискриминатора запускает одновибратор 3, который вырабатывает импульс, запирающий ключ 7. К моменту эапирания ключа 7 в магнитном поле повышакяцего трансформатора 6 запасена энергиями...

Номер патента: 661230

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Грушенков, Зейналов, Переверзев, Переверзева, Пряхин, Смирнов

МПК: F28F 3/04

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...фиг. 1 изображен радиатор, продольный разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху,Радиатор содержит пластину 1, на поверхности которой выполнены шипы 2, например конической формы, Шипы снабжена ребрами 3, образованными прорезями 4 в теле последнего. Ребра выполнены продольными с переменным сечением, увеличивающимся от свободного конца шипов и к их основанию. Когда радиатор имеет цилиндрическую форму, а охлаждающий агент движется по касательной к нему, турбулизация увеличивает - ся, если ребра выполнены спиральными.Радиатор работает следующим образом, Охлаждающий агент с помощью принудительной циркуляции омывает шипы 2 с ребрами 3 пластины 1, Ребра 3 способствуют турбулизации охлаждающего агента и, следовательно, интенсификации...

Номер патента: 661435

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Хазен

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, приведенного, силовых, сопротивления, теплового

...полупроводникового прибора 40. С датчиком тока связана также катушка 5 управления, помещенная в защитный электромагнитный экран, внутри которой размещены, например, магнитоуправляемые контакты 6, 7 и 8 типа Геркон: нормально замкнутые 7 и 8 в цепях мостового измерителя 1 падения напряжения на р - п-переходе и нормально разомкнутый 6 в гальванической цепи 26 холлов ского преобразователя 3 мощности, Катушка 5 управления также может быть совмещена с датчиком 4 тока силовой цепи 42, если магнитоуправляемые контакты 6, 7 и 8 типа Геркон поместить в виток, образованный кабелем силовой цепи 42, Выходы блоков 1 и 3 через сглаживающие, например, Т или П-образные К - С фильтры 9и 10, с индуктивностями 32 и 37, емкостями 33, 34, 35 и 36,...

Номер патента: 661436

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Ковальков, Медведев, Ошемков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: временных, измеритель, параметров, полупроводниковых, приборов

...нем транзистор12 надежно заперт. Через транзистор13 ток также не протекает, посколькузаперты транзисторы 5 и 7Пусковой импульс запускает формирователь 1 тестового импульса прямо-угольной формы. На фиг. 2,а показанслучай, когда длительность фронта тестового импульса не равна нулю. Придостижении входным напряжением 1)ВХ(1)уровня По ток Д,1 начинает перераспределяться между транзисторами 4 и 5,а несколько позже, когда Пвых(1) сравнивается с Поп 2, начинает йерераспре"деляться между транзисторами б, 7 иток генератора 9 Ю (фиг. 2,в,д). Пе-риоды времени между моментами пересечения входным напряжением Овх (1.)уровня Ццц и выходным Пвых (1) уровняравны измеряемью задержкам включения 1 и выключения 12 испытуемогоприбора 3., Поскольку...

Номер патента: 661438

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилей, испытаний, полупроводниковых

...интервале (г - 14 конденсаторы 24 и 25 26 перезаряжаются токами 8 и 1 о (фиг. 2 в)через отпертые вентили. Перезаряд емкости 24 происходит по контуру, включающему вентили 8 и 17 индуктивности 23 и 11; связь 35 и обмотку фазы 29 трансформатора 28.Перезаряд емкости 26 происходит по контуру, включающему вентили 10 и 17, индуктивности 25 и 13 и обмотку фазы 29 трансформатора 28.Токи 8, 1 о перезаряда конденсаторовимеют синусоидальную форму. Требуемая величина токов и частота обеспечиваются соответствующим выбором параметров колебательных контуров перезаряда.Напряжения конденсаторов 24, 26 такжеимеют синусоидальную форму и прикладываются соответственно к запертым венти О лям 7 и 9 (1.1 э фиг. 2 б) сначала вобратном направлении на интервале- 1,...

Номер патента: 661881

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Шамардин

МПК: H05K 13/08

Метки: группового, испытания, мощных, полупроводниковых, приборов

...электродами 4. Для протокахладагента в теплоотводе выполнены охлаждаюшие каналы 5. На теплоотводе 1 5соосно с гнездами 2 жестко закрепленоэлектроизоляционное кольцо 6, имеющее восемь прямоугольных пазов 7 для четырехупругих захватов 8, расположенных наоцилиндрической втулке 9 под углом 90друг к другу. С помошью втулки 9 и винтов 10 соединены верхняя 11 и нижняя12 части корпуса контактного узла, вкоторый вмонтированы контакты 13 спружинами 14 и штырями 15. В корпусе35"контактного узла также выполнено отверстиедля монтвка жгута 16 электропроводов, закрепленного винтом 17. Йля поджв.- тияупругих захватов 8 на корпусе уста 40,новлена втулка 18,Установка прибора на испытания и под-ключение к контактному узлу осуществляются следующим...

Номер патента: 662884

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Белов, Исаев, Лебедев, Мелков, Ребони

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперных, изотермических, полупроводниковых, приборов, характеристик

...преобра ует сигнал изменения коллекторного тока вуправляющий сигнал на вход Х регистрирующего устройства 4. На входУ уотройства 4 поступает пилообразное напряжение с выхода источника 1.Двухкоордийатное регистрирующее устройство 4, будучи подготовлено крегистрации синхфоимпульсом блокаб, начинает отображать (вычерчиватьна бумаге, высвечивать на экране) 60график Функции 3 ф Р(Ю) при Тф соп 91ф 84 4(Зс - ток стабилизации; ц - линейно возрастающее напряжение) .Через промежуток времени с выбранный с учетом постоянной времени регистрирующего устройства 4, возрастание коллекторного напряжения заканчивается на заданном уровне 0, а затем резко падает до уровня 01 . В этот момент в описанной выше цепи отрицательной обратной свя зи Формируется...