Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1829758

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Бреслер, Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, изготовлении, источника, полупроводниковых, приборов, твердого, фосфора

...кассеты устанавливают 100 рабочих кремниевых пластин диаметром 76 мм (в каждую по 50 шт. пластин) с формируемым силовым модулем, представляющим собой тройной транзистор Дарлингтона. В этих кремниевых пластинах имеется эпитаксиальный слой птипа и созданы базовые области р-типа биполярных транзисторов с параметрами базы как в примере 1 (после диффузии галлия), в которых вскрыты эмиттерные области для диффузии фосфора. В испарители на кварцевых кассетах насыпают порошок пирофосфата кремния с дисперсностью 0,5- 100 мкм,Далее процесс производят как в примере 1, с выдержкой на рабочей температуре55 1150 С в течение 3 ч, а затем после выгрузки кремниевых пластин дальнейшие технологические операции для создания силовых модулей; вскрытию...

Номер патента: 786705

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Асеев, Ли

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, сверхрешеток

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК, включающий создание на МДП-структуре периодически меняющегося поверхностного потенциала, отличающийся тем, что, с целью улучшения выходных параметров сверхрешеток и упрощения технологии, периодически меняющийся потенциал создают путем проецирования электронного изображения системы кристаллических плоскостей вспомогательного монокристалла на поверхность МДП-структуры.

Номер патента: 1277840

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Прохоров, Романова, Янсон

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.

Номер патента: 1743314

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, микросборку, полупроводниковых, сборки

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ В МИКРОСБОРКУ, включающий нанесение термопластичного адгезива на металлический носитель, формирование сборки из полупроводниковой пластины, адгезива и металлического носителя, надрез сборки со стороны полупроводниковой пластины для разделения на полупроводниковые кристаллы, съем кристаллов с носителя и приклеивание кристаллов на предварительно разогретую плату микросборки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, адгезив наносят слоем толщиной 0,05 0,25 мм, надрез сборки осуществляют на глубину адгезива, равную 60 92% его толщины при съеме каждого кристалла осуществляют разогрев соответствующего участка носителя до температуры на 10 50oС, превышающей температуру плавления...

Номер патента: 1393249

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Пересветов, Рудаков

МПК: H01L 21/56

Метки: герметизации, интегральных, микросхем, полупроводниковых

СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий нанесение на рабочую поверхность микросхемы герметизирующего средства, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем за счет повышения степени герметичности, в качестве герметизирующего средства используют крышку из того же полупроводникового материала, что и микросхема, крышку устанавливают на слой металла, предварительно нанесенный по периметру рабочей поверхности микросхемы, и проводят зонную плавку металла с градиентом температуры в направлении от рабочей поверхности микросхемы к наружной поверхности крышки до появления расплавленного металла на наружной поверхности.

Номер патента: 814057

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Васильев, Золототрубов, Ключанцев, Литвинов

МПК: G01R 31/26

Метки: обратных, полупроводниковых, приборов, токов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОБРАТНЫХ ТОКОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ по авт. св. N 673939, отличающееся тем, что, с целью уменьшения времени измерения и повышения достоверности источника контроля, в него введены анализатор относительного приращения измеряемой величины, генератор временных меток, счетчик и схема И НЕ, при этом выход генератора временных меток подключен к первым входам измерителя напряжения, анализатора и счетчика, вход генератора и вторые входы счетчика и анализатора подключены к выходу устройства синхронизации, выход измерителя подключен к третьему входу анализатора, выход счетчика и первый выход анализатора раздельно подключены к входам схемы И НЕ, а объединенные второй выход анализатора и выход схемы И - НЕ подключены к...

Номер патента: 1396862

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/316

Метки: полупроводниковых, приборов, структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...

Номер патента: 1572342

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гладков, Махаев

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, климатических, полупроводниковых, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КЛИМАТИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее проходную камеру с размещенными в ней нагревателем и накопителем, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и повышения эффективности теплообмена, оно снабжено диаметральным вентилятором, причем нагреватель и рабочее колесо диаметрального вентилятора расположены в проходной камере параллельно оси накопителя, а длина нагревателя и длина рабочего колеса диаметрального вентилятора равны длине накопителя.

Номер патента: 1132732

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Анисимов, Годик, Матвеев

МПК: H01L 21/314

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов

1. СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий нанесение слоев фосфорно-силикатного стекла и поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и эффективности защиты от ионов щелочных металлов, после нанесения поликристаллического кремния структуру подвергают термообработке в окислительной среде, содержащей пары фосфора, затем наносят второй слой поликристаллического кремния, который уплотняют термообработкой в окислительной среде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку слоем поликристаллического кремния ведут при температуре 1273 1373 К.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что содержание паров фосфора в окислительной среде составляет 0,1 0,2

Номер патента: 1780469

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Крячков, Куваев, Носухин, Царева

МПК: H01L 23/18

Метки: герметизации, интегральных, пластмасса, полупроводниковых, приборов, схем, термореактивная

ТЕРМОРЕАКТИВНАЯ ПЛАСТМАССА ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающая эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и кварцевый песок в качестве наполнителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения теплопроводности и электросопротивления, наполнитель дополнительно содержит порошок синтетического алмаза при следующем соотношении компонентов, об. ч.Кварцевый песок 5Алмазный порошок 1 106при этом кварцевый песок и алмазный порошок равномерно распределены по объему пластмассы, а объем наполнителя в пластмассе составляет 20 80% ее объема.

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Кастрюлев, Розес, Сидорова, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, приборов, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Номер патента: 1799196

Опубликовано: 20.12.1995

Автор: Переверзев

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...фоторезистомустанавливается на подложкодержатель 2,нагреваемый с помощью резистивного нагревателя 1 до верхней (конечной) температуры Тк и охлаждаемый с помощьюхолодильника 3 до базовой (начальной) температуры Тн, причем контроль за температурой осуществляется посредством блока 9 управления через термопару 10, являющуюся датчиком температуры. По завершении 5 обработки при температуре Тк полупроводниковая пластина 11 снимается с подложкодержателя 2. Цикл нагрева в процессе обработки завершен и начинается цикл охлаждения, который служит подготовкой к 10 приему следующего изделия, По сигналу иэблока 9 управления открываются клапаны 6, 7 для подачи воды и воздуха соответственно, в результате чего в холодильник 3 по спиралевидному...

Номер патента: 1356901

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Амальская, Гамарц, Ганичев, Стафеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, рекомбинационных

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий облучение образца модулированным по интенсивности возбуждающим излучением с длиной волны из области межзонного поглощения исследуемого материала, облучение возбужденной области полупроводника зондирующим излучением с длиной волны из области поглощения свободными носителями заряда, измерение относительного изменения интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения и определение эффективного времени жизни * расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности раздельного определения объемного времени жизни to и скорости поверхностной...

Номер патента: 1795827

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Баранов, Грачев, Гройсман, Загрядский

МПК: H01L 21/316

Метки: окисления, пирогенного, пластин, полупроводниковых

...движения продуктов сгорания водорода в кислороде вдоль реакто ра.Сущность изобретения заключается втом, что реактор разделен на камеру окисления, расположенную в рабочей зоне нагревателя, и камеру сгорания, в которой З 0 происходит взаимодействие Н 2 с 02, Камерасгорания расположена относительно нагревателя таким образом, что та ее часть, которая снабжена трубками для подачи водорода и кислорода находится внутри наЭ 5 гревателя с температурой не менее температуры самовоспламенения водорода, а остальная - за пределами нагревателя и снабжена воздушной рубашкой охлаждения, Обе камеры, окисления и сгорания, соф 0 единены переходной трубкой, ось которойнаправлена под углом к продольной оси реактора, Наличие воздушной рубашки охлаждения...

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Зотов, Колмакова, Матвеев

МПК: H01L 21/28

Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Номер патента: 1225423

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Скорняков

МПК: H01L 21/328

Метки: полупроводниковых, слоистых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий сплавление кремниевых пластин в присутствии алюминия методом зонной перекристаллизации с градиентом температуры и диффузию легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и воспроизводимости электрических параметров p n-перехода слоистых полупроводниковых структур, сильнолегированную кремниевую пластину p-типа проводимости с концентрацией акцепторной примеси более или равной 1019 см-3 сплавляют с второй кремниевой пластиной p-типа проводимости, легированной до концентрации акцепторной примеси менее 1019 см-3, p-слой полученной p+ p-структуры уменьшают до...

Номер патента: 1581124

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Бачурин, Верников, Енишерлова-Вельяшева, Левин, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/24

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование двухслойной полупроводниковой структуры путем термокомпрессионного соединения в инертной среде двух кремниевых подложек и создание в одном из слоев полупроводниковой структуры активных областей приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и улучшения электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре, перед термокомпрессионным соединением кремниевых подложек на соединяемой поверхности, по крайней мере одной из них, формируют пленку германия толщиной 0,5 - 2,0 мкм с удельным электрическим сопротивлением не выше удельного сопротивления каждой подложки, а...

Номер патента: 574063

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Беднова, Русинов

МПК: H01L 21/469

Метки: защитного, покрытия, полупроводниковых, приборов, состав

СОСТАВ ДЛЯ ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий оксиды свинца, бора и цинка, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и теплофизических характеристик покрытия, он дополнительно содержит мелкодисперсный синтетический алмаз при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бора - 13 - 16Оксид цинка - 4 - 5Мелкодисперсный синтетический алмаз - 15 - 20Оксид свинца - Остальное

Номер патента: 1662294

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Алейникова, Белых, Малахов, Сутырин

МПК: H01L 21/308

Метки: пассивации, полупроводниковых, примесных, структурах, центров

...5 10 15 20 25 30 35 Использование алюминиевого слоя способствует устранению распыления и образования нарушен ного слоя полупроводниковой структуры, а также приводит к повышению плазмостойкости резистов, что очень важно при формировании субмикронной топологии в процессе пассивации примесных центров в субмикронных областях.П р и м е р. При изготовлении структур полевых транзисторов на арсениде галлия, согласно изобретению, необходимо было пассивировать электрически активные центры в эпитаксиальном слое на глубине 0,1 мкм, На пластине арсенида галлия с зпитаксиальным слоем 0,15 мкм с концентрацией и 1,2 10 см создали рисунок методом + . 1 В 1электронолитографии на установке ЕВА. Размер подзатворной области 0,8 мкм. В качестве маски...

Номер патента: 1268015

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Гурский, Паращук, Пендюр, Таленский, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллических, кристаллографической, неоднородности, образцов, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии...

Номер патента: 1828717

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Елисеев, Кузнецов, Старостин

МПК: H01L 21/265

Метки: группового, ионного, легирования, пластин, полупроводниковых

УСТАНОВКА ГРУППОВОГО ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащая систему вертикального электростатического сканирования ионного пучка, барабан для размещения полупроводниковых пластин на его боковой поверхности, установленной с возможностью вращения вокруг своей оси и маску с окном, расположенную между системой вертикального сканирования и боковой поверхностью барабана, отличающаяся тем, что, с целью расширения области применения, окно в маске выполнено в виде щели, имеющей переменную в вертикальном направлении ширину.

Номер патента: 1835967

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Антонюк, Виноградов, Дьяченко, Ильичев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...раствор соляной кислоты или поваренной соли. С целью повышения точности локальных измерений за счет уменьшения размеров области приложения обедняющего постоянного и переменного напряжений в качестве электролита 2 целесообразно использовать вещество, электрол итическая диссоциация в котором наступает при оптическом облучении, например, лейкоцианиды трифенилметановых красителей. Проводящий канал к исследуемому участку образца создается при облучении вещества в ограниченной области, размеры которой определяются размерами сечения возбуждающего луча, временем жизни неравновесных ионов и их подвижностью в исходном веществе,Предлагаемый способ состоит в следующем: к исследуемому участку образца подводят зондирующее излучение миллиметрового,...

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 1491271

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Парашук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, неоднородности, полупроводниковых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, основанный на погружении кристалла в диэлектрическую жидкость, возбуждения в кристалле стримерных разрядов одиночными импульсами напряжения с помощью электродов, один из которых выполнен игольчатым, а другой плоским, и регистрации траекторий стримерных разрядов в кристалле со стороны одной из плоскостей кристалла при перемещении игольчатого электрода над его поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности путем определения блочной структуры кристалла, перед возбуждением стримерных разрядов ориентируют поверхности кристалла относительно его кристаллографических плоскостей, одновременно с регистрацией стримерных разрядов со стороны...

Номер патента: 1508867

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получение сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной поверхности подложки, заполнение углублений алюминием, создание градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры, до заполнения углублений алюминием в углублениях по их центрам выполняют дополнительные углубления, при этом отношение объема дополнительного углубления к объему основного углубления находится в диапазоне от 1 : 4 до 1 : 1000, а ширина дополнительных...

Номер патента: 1376839

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Лизин, Тояков

МПК: H01L 21/02

Метки: микросхем, полупроводниковых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОСХЕМ, включающий создание элементов микросхем, сборку ее в корпус, термоэлектротренировку путем нагрева микросхемы и воздействия на нее внешним электрическим полем, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и процента выхода микросхем, проводят термоэлектротренировку до сборки микросхем в корпус.

Номер патента: 1496566

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Лебедев, Одиноков, Пугин

МПК: B05C 1/06, H01L 21/50

Метки: клея, монтаже, нанесения, полупроводниковых, преимущественно, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ КЛЕЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПРИ МОНТАЖЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее планшайбу с приводом ее вращения, дозатор клея, установленной над планшайбой, ракель для выравнивания слоя клея на планшайбе и механизм переноса клея с планшайбы на изделие, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможнотей и повышения качества клеевого соединения, оно снабжено расположенным между дозатором и ракелем механизмом перемешивания клея на планшайбе, выполненным в виде соединенного с приводом вращения конического ролика, установленного с возможностью взаимодействия своей боковой поверхностью с рабочей поверхностью планшайбы, причем на конической поверхности ролика вполнены два участка с винтовыми канавками...

Номер патента: 1514175

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получения сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной ее поверхности, заполнение углубления алюминием, создания градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры по подложке, до заполнения углублений на дно углублений по центру наносят пленку двуокиси кремния, при этом отношение площади пленки двуокиси кремния к площади дна углубления находится в диапазоне от 1 : 2 до 1 : 1000, толщина пленки двуокиси кремния составляет от...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 760837

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Власов, Кокин, Манжа, Чистяков, Шварц

МПК: H01L 21/20

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отношению к подложке для формирования эмиттера, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров элементов, сокращения технологического цикла и повышения процента выхода годных, вскрытие окон в диэлектрической пленке проводят по периметру скрытого слоя и внутри его, а диффузию примеси для формирования базовых областей...