Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 737841

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Рабинерсон, Семенов, Шевцов

МПК: G01R 15/12

Метки: вентилей, дифференциального, отсечки, полупроводниковых, сопротивления

...через два нормальнораэомкнутых ключа к двум запоминающим конденсаторам, соединенным последовательно.На Фиг; 1 представлена структурнаяэлектрическая схема предлагаемогоустройства цляйзмерения напряженияотсечки и дифференциального сопротивлениянолупроводнйковых вентилейна Фиг.2 - вольт-амперная характе -ристикд полупроводникового вентиля.Устройство содержит источник 1.. импульсовтока, который обеспечиваетпрохождение импульсов прямого токачерез испытуемый вентиль 2 и шунт 3.К муфту 3 подключены две схемы сравнения "4 и 5, Формирующие выходнойимпульс при-достижении тока в цепииспытуемого прибора соответственно0,5 и 1,5 3,. Выходы схем сравнения 4 и 5 соединены соответствейнос промежуточными блоками б и 7, которые управляют работой нормально...

Номер патента: 739650

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Зеленевская, Киселев, Тоценко

МПК: G11C 11/34, G11C 11/401

Метки: динамическое, запоминающее, полупроводниковых, приборах

...с одними из входов элементов И-НЕ 14 и, ЙЛИ-НЕ 15, другие входы которых соединены соответственно с однойизуправлякщих шин 21, первым входом элемента И-НЕ:18 и через элемент НЕ 16 с вы 0 4ходом элемента И-НЕ 18. Выходы элементов И-НЕ 14 и ИЛИ-НЕ 15 через элемент НЕ 19 и непосредственно подключены ко входам элемента ИЛИ-НЕ 17, выход которого соединен с выходом устройства. ьторой вход элемента И-НЕ 18 соединен с выходом усилителя 20.Дешифратор 10 столбцов содержит три группы элементов ИЛИ-НЕ 7 9, Входц элементов ИЛИ-НЕ 7 и одни из входов элементов ИЛИ-НЕ 8 и 9 подключены к входам дешифратора 10, другие входы элементов ИЛИ-НЕ 8 и 9 подключены соответственно к выходам элементов: ИЛИ-НЕ 7 и 8, а выходы элементов ИЛИ-НЕ 9 соединены с...

Номер патента: 516317

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Качурин, Придачин, Романов, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, синтеза, соединений, тройных

...полупроводник внедря:от ионы одного иэ компонентов, входящих в бинарное соединение, при дозе, определяемой соотношением компонентов синтеэируемого тройного соединения, и затем полупроводник отжигают в контакте с веществомтретьего компонента, например, нанесенного в виде пленки на поверхностьбинарного соединения.Существо способа заключается вследующем.Предварительным облучением ионамиодного из компонентов А бинарного соединения АХ ВМдобиваОтся отклоненияприповерхностной области кристалла отстехиометрического равновесия,При Отжиге такого образца происходит генерация большого количества вакансий другого элемента Ч . Если вовремя отжига присутствует третье вещество С, растворяющееся по типу смеТираж 844 Подписное ЦНИИПИ...

Номер патента: 742827

Опубликовано: 25.06.1980

Автор: Ефремов

МПК: G01R 27/26

Метки: емкостей, измеритель, конденсаторов, полупроводниковых

...блока соединен со:входом другого ключа, а управляющий вход вычитающего блока соединен с выходом одного ключа,На чертеже приведена функциональная электрическая схема измерителяемкостей полупроводниковых конденсаторов,Измеритель содержит йсточник сме-.щения 1, подключенный через раэвяэывающий конденсатор 2 и первичную об. - .мотку согласующего трансформатора 3к одному зажиму для подключенияиспытуемого полупроводникового конденсатора 4, источник переменного тока 5, связанный через вторичную обмотку трансформатора 3 с землянойшиной, операционный усилитель б,охваченный обратной связью по постоянному току посредством низкочастотного повторителя 7, а по переменному - посредством образцового конденсатора 8, коммутатор 9 переключайМций...

Номер патента: 744384

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Герасимов, Панов, Рамзайцев

МПК: G01R 31/26

Метки: временных, измеритель, параметров, полупроводниковых, приборов, цифровой

...сигнал, по которому блок 8 управления дискретно"тью считывания разрешает сброс пос,1 едцей крупной дискретности сдвига стробимпульса. Дальнейший сдвиг стробцмпульса будет производиться мелкими дискрстностями до момента сравнения преобразованного мгновенного зца гения сигнала ц запомненного нулевого уровня, В этот момент в блоке автоматического сдвига стробимпульсов зафиксируется число, пропор 11 иональцое задержке стробимпульсов стробоскопического дискриминатора 7, соответствующей начальной точке отсчета измеряемого параметра на входном импульсе. После нахождения начальной точки отсчета по команде с блока управления 3 стробимпульс сдвигается на время, равное классификационному значешцо измеряемого параметра в дацном тесте,...

Номер патента: 746347

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Гончаров, Гусев, Ухин

МПК: G01R 31/26

Метки: дефектов, параметров, полупроводниковых, приборах

...быть порядка (5-;10),Напряжения с выходов аналоговых ячеек 12 памяти, выполненных, например,на конденсаторах с истоковыми повторителями, поступают на вход вычитаю- щего устройства 13, выполненного, например, на операционном усилителе, Снимаемое с выхода вычитающего устройства 13 разностное напряжение ЬО, величина которого прямо пропорциональна величине ЬС= С(Ьа) -(Япоступает на один из входов многоканального регистратора 14, выполненного, например, на основе многолучевого шлейфого осциллографа или многоканального аналого-цифрового преобразователя, На другие входы регистратора 14 поступает напряжение с выходов других блоков преобразователя 10, а также напряжение с датчика 4 температуры,Синхронизация работыустройстваОсуществляется...

Номер патента: 746775

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Игнатов, Сосновских

МПК: H01L 21/00

Метки: вибробункер, ориентации, полупроводниковых, приборов

...р рующего элемента 4. выступами ориентирующего элемента приНаиболее характерные положения при- движении не соприкасается, боров: В положении Х вывод "дприбора приВывод дф находится ближе осталь перемещении соприкасается с выступом 7 ных к ориентирующему элементу. ориентирующего элемента, который разво, Вывод брасположен ближе дру- рачивает прибор вокруг своей оси в эадангих к ориентирующему элементу. ное ориентированное положение.6 Вывод грасположен ближе других 10 В положении Й вывод 8 прибора сопк ориентирующему элементу.рщасается с выступом ориентирующегоды о= и г расположены па- элемента, но до ориентированного положе раллельно ориентирующему элементу. ния прибор не доворачивается, попадаетйР. Выводы Р и 8 параллельны на копир 8,...

Номер патента: 748250

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Писарский, Райхцаум, Смирнов, Уваров

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниковых, приборов

...следующимобразом.В исходном состоянии с генератора 1 импульсы тока не поступают, электронный ключ 2 открыт, испытуемый полупроводниковый прибор 3 закрыт сигнала на токосъемном элементе 4 и усилителе 5 нет.При поступлении импульса прямого тока от генератора"1 импульс тока положительной полярности проходит через электронный ключ 2, поступает на испытуемый полупроводниковый прибор 3 и токосъемный элемент. Испы О туемый прибор 3. открывается и через него начинает протекать прямой ток. В п.-базе испытуемого полупроводни кового прибора происходит накопление заряда, 15По окончании импульса прямого тока с генератора 7 переключающих импульсов поступает импульс отрицательной полярности. При этом в и -базе испытуемого полупроводникового прибора...

Номер патента: 748283

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Бахтин, Дунаевский, Епишин, Ягудин

МПК: G01R 27/06

Метки: диэлектрических, коэффициента, модуля, отражения, полупроводниковых, фазы

...материалов путем возбуждения сверхвысокочастотных колебаний в открытом двухзеркальном резонаторе, с внешней стороны одного из зеркал которого, напротив осесимметричного отверстия, размещен исследуемый образец, и из-. мерения коэффициента прохождения указанного резонатора 11 .Недостатком известного способа является большая продолжительность измерений в связи с раздельным определением различными устройствами модуля и фазы коэффициента отражения, а также в связи с необходимостью применения в процессе измерений эталонных образцов.Цель изобретения - сокращение времени измерения.Для этого в способе измерения мо ,дуля и фазы коэффициента отражения полупроводниковых и диэлектрических материалов путем возбуждения сверх-...

Номер патента: 752203

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Ворожеев, Панов

МПК: G01R 31/28

Метки: анализатор, временных, полупроводниковых, приборов, характеристик, цифровой

...2, который совместно с системой автосдвига стробимпульсов 1 задает частоту генератора тестовых импу;ьсов 3. Последний же, в свою очередь, предназначен для формирования амплитуды, смешения, длительности и задержки тестовых импульсов, подаваемых,на вход испытуемого прибора, например ИС, помещенного в контактное устройство 4. Блок управления измерением б своими входами связан со стробоскопическим дискриминатором б и коммутатором 7. Блок управления изме)ением 5 управляет работой системы авто- сдвига 1, формирователем частоты тестовых импульсов 2, генератором тестовых импульсов 3 и блоком сравнения и коррекции параметров генератора тестовых имнульсов 8, включающего в себя устройства памяти и цифро-аналогового преобразования значений...

Номер патента: 752838

Опубликовано: 30.07.1980

Автор: Староверов

МПК: H05K 13/00

Метки: выводами, гибкими, полупроводниковых, приборов, сортировки

...гнезда ротора 2 снизу и имеющее пазы на позицияхвыгрузки, которые закрыты площадками 6 рычагов, щарнирно установленных на основанин 5, исполнительные механизмы 7 иподпружиненную фрикционную пластину 8.Транспортирующий ротор 2 имеет прерывистое вращение, например от мальтийского м.еханизма,Механизм 4 ориентации содержит неподвижно установленную над транспортирующим ротором 2 фрикционную направляющую, служащую для поворота приборавокруг оси, и фиксирующую пластину 10,схватывакпцую часть ротора 2 под фрикционной направляющей 9,Устройство 3 подключения снабженоустановленными соосно двумя неподвижными ножами 11, 12, оцин из которых(12) выполнен Г-образной формы. Наножах закреплены контактные пластины.Передняя заостренная, часть ножа 12...

Номер патента: 763839

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Бусыгина, Гук, Даровских, Ельцов, Кириллова, Шуман, Юрре

МПК: G03C 1/68

Метки: пассивации, пластин, поверхности, полупроводниковых, состав

...непосредственно над поверхностью полупроводниковой пластины - хлор поступает только иэ полимерного слоя, помещенного на поверхности, а не продувается в течение всего процесса окисления через трубу.раствор состава для пассивации готовят, растворением в неполярном растворителе толуол, трихлорэтйлен, хлороформ) циклополиизопрена или эпоксидированного циклополиизопрена 4 Й и хлорсодержащих каучуков - хлоропренового или хлоркаучука, Приготовленный .раствор наносят центрифугированием (2500 об/мин, 20-30 с) на поверхность кремниевых пластин типов щ р и и в диапазоне сопротивлений от 0,1 до 300 Ом/см (бр 1; 1 у 0; 10; 100 У 300), сушат при бСС для удаления растворителя, затем окисляют в дифФузионной печи типа СДО при 150 С в течение 1-2 ч,...

Номер патента: 765909

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Сабо, Титаренко

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного, электрического

...амплитуда сигнала термо-ЭДСбудет зависеть от направления тока;Ч+ =+йПЭй + . ГЭ й й (тепло(тепло Пельтье выделяется на контакте)Ч =-,(ПЭй .д.ГЗ й Я(тепло Пельтье поглощается на контак"те),Исключая из этих уравнений теплоДжоуля, имеемьЧ =ч + -ч:Ы пэй =Ыт Эйтак как П = сТДальнейшие элементарные преобразо"вания с целью исключения параметраа(,приводят к следующему выражениюдля термического сопротивления Кгде Ч = Ч+ ЧВ выражении для й. величины Ч , ТЯ( ФДЧ( и йз изменяются непосредственно, а безразмерный коэффициент Й,зависящий от соотношения сопротивлений материала зонда и полупроводника,является подгоночным параметрам, изменяясь в пределах 0,5-:1,0.С учетом того, что контактированиезонда с полупроводником происходитпо вершинам...

Номер патента: 767870

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Сабо, Титаренко

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эдс, этингсгаузена, эффекта

...по ним практически полностью подавлен, так какблок в целом однороден по тепловымсвойствам, что обеспечивается оптимальным соотношением толщин пластиндиэлектрика и металла (10 к - 20).Наличие большого .количества зондов,контактирующих с образцом по двумего оппозитивным граням, позволяетисследовать микронеоднородности вполупроводниках, измеряя распределение четырех кинетических коэффициентов (ЭДС Нернста-Эттингсгаузейа,термо-ЭДС, постоянная Холла, Удельная электропроводность).Держатель с образцом 1 монтируютв вакуумной камере, находящейся взазоре электромагнита. Внешний нагреватель (на чертеже не показан), управляемый автоматическим регулятором, задает требуемую температуруизмерений. Измерения кинетических коэффициентов проводят...

Номер патента: 769321

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Бочкин, Захаров, Никифорова-Денисова

МПК: G01B 11/24, G01D 13/00

Метки: пластин, полупроводниковых, прогиба, фотоэлектрическое

...оправку 13, при этом пластина опирается на ребро лекальной линейки б, При наличии прогиба у контролируемой пластины между ее поверхностью и ребром ле,кальной линейки образуется щель. С генератора прямоугольного ,напряжения электронного блока 2 через регулировочные резисторы блока 1, соответствующий ключ излучающих диодов электронного блока 2 напряжение прямоугольной формы ультразвуковой частоты 1 поступает на один изизлучающих диодов.ВКаждый ключ по сигналу управления, поступающему с распределителя импульса электронного блока, последовательно подключает прямоугольное переменное напряжение с частотой к . соответствующему излучающему диоду 5. Каждый .из шести излучающих диодов. последовательно высвечивается - излучает поток,...

Номер патента: 769420

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Золян

МПК: G01N 27/14

Метки: жидких, полупроводниковых, силы, термоэлектродвижущей

...участке контура путем местного нагрева создают фиксированный градиент температуры Т - Т, причем значения Т, и Т устанавливают выше температуры плавления полупроводникового материала, и, таким образом, образуется замкнутая последовательная электрическая цепь из твердой и жидкой фаз материала.Всю описанную выше систему поме.щают в поле постоянного магнита так, чтобы оно пересекало плоскость контура.В результате взаимодействия магнитного поля с током в контуре, вызванном ТЭДС, контур поворачивается на определенный угол, величина которого зависит от величины ТЭДС, Угол поворота контура принимают за меру ТЭДС,П р и м е р 1. Для предварительной проверки предлагаемого способа была изготовлена спаянная из тинной меди,и константана...

Номер патента: 769664

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Белопухов, Фурсов

МПК: H01L 35/34

Метки: воздушного, охлаждения, полупроводниковых, приборов

...подключенный к исполнительному органу.На чертеже изображена описываемая установка,Установка содержит воздуховод 1 с охлаждаемыми приборами 2, эжектор 3, насадку 4, подключенную к исполнительному органу 5 системы 6 управления, соединенному с магистральюсжатого воздуха, и управляющим регистрирующим прибором 8, соединенным с блоком 9 измерения и формирования управляющего сигнала.Установка работает следующим образом.Сигнал, пропорциональный температуре контролируемых полупроводниковых приборов, подается в блок 9, где он преобразуется и сравнивается с допустимой температурой (заданной), определяющей границу режима конвективного охлаждения, При достижении температуры заданного уровня в блоке 9 срабатывает пороговый элемент, и сформированный...

Номер патента: 773536

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Хотько

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых

...(обозначенцточками) производится измерение прямого падения напряжения. В этот полупериод тиристор Т открыт, в результате создается цепь протекания прямого тока через испытуемый диоц - начало обмотки 3, тиристор Т, диод Д 1,испытуемый диод, резистор В 1, конецобмотки 3. Токи в остальных обмоткахотсутствуют (обратными токами диодов 2 ОД 2, ДЗ, Д 4 пренебрегаем). Прямое падение напряжения измеряется приборомУ . При смене полярности на вторичных обмотках происходит измерение обратного тока, В данном случае, как ив схеме известного устройства, создаются две цепи тока. Первая цепь - этоцепь, создаваемая низковольтной обмоткой 4 через диод Д 2 и резистор В 1,которая устраняет постоянную составляющую подмагничивания сердечника Мтрансформатора от...

Номер патента: 773538

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Добровольскис, Кроткус

МПК: H01L 21/66

Метки: дрейфовой, материалах, носителей, полупроводниковых, скорости

...в осциллографах 5 и 6.Наэтих импульсах можно выделить триобласти:- область, в которой электрическое поле в образце слабое,концентрация носителей тока близка, рравновесной, а подвижность соответствует подвижности при законе Ома,Й - область сильного электрического поля с соответствующими этомуполю концентрацией и подвижностьюносителей тока, Ф - вторая, областьслабого поля, во время которой концентрация остается равной концентрации в конце импульса сильного поля,а подвижность соответствует законуОма, 39Импульсы электрического поля вобразце с омическими контактами снимаются с находящегося в держателеобразца высокоомного резистивногоделителя импульсы же, пропорциональные величине тока в образце - свключенного последовательно к образцу...

Номер патента: 773792

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Бойко, Панасюк

МПК: H01L 21/203

Метки: варизонных, гетеростуктур, полупроводниковых

...воздействием на область перекрытия молекулярных потоков и достигают изменением одного из параметров: геометрияиспарители-подложка, скорость конденсации испаряемых материалов, скоростьдвижения подложки.Предлагаемый способ полученияполупроводниковых варизонных гетероструктур иллюстрируется примерами.П р и м е р 1. Получение полупроводниковых гетероструктур, образованных материалами А 5 е 9 и Аь 5,:Исходные материалы загружают вразличные испарители, разогретыедо 390 С и 370 ОС соответственно, которые обусловливают определеннуюскорость испарения. Испаряемый материал конденсируется на движущуюсяподложку. Расстояние между испарителями устанавливают равным 5 см, аиспарителей до подложки - 2 см. Привыбранной геометрии расположения искорости...

Номер патента: 773793

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Дубинин, Кружанов, Овчинников, Сафронов

МПК: H01L 21/8222

Метки: биполярных, интегральных, полупроводниковых, схем

...окна для загонки примеси во вторые области,например области р+. При загонкеримеси во вторые области открытыкна, вскрытые как для загонки в перФвые, так и для загонки во вторыеобласти, и примесь попадает в те идругие области. Это накладывает требование на последовательность операций эагонки. Первой должна производиться загонка той примеси, концентрация которой в изготавливаемой конструкции должна быть больше, В этомслучае вторая загонка не изменяеттип проводимости в первых областях.Если, например, конструкция такова,что концентрация в областях и+ должна быть больше, чем концентрация вобластях р+, то первой из двух указанных операций загонки должна производиться эагонка донорной примесив области и+.Разгонку акцепторной и...

Номер патента: 777756

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Бобков, Маханьков

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания

...5Устройство содержит пневмокамеру 1,образованную основанием 2 и упругой диафрагмой 8, выполненной, например, из резины, на которой расположена полупроводниковая пластина 4, На крышке б устройства закреплен упругий элемент б, выполненный, например, из термостойкой резины, Во внутренней части крышки б расположены нагревательный элемент 7 и сферическая опора 8, выполненная из легкоплавкого материала с температурой плавления 50 - 100 С, например из сплава Вуда. Пространство между крышкой б и сферической опорой 8 образует пневмокамеру9, соединенную, как и пневмокамера 1, спневмомагистралью (на чертеже не показана).Устройство работает следующим образом.Полупроводниковую пластину 4 после 25операции скрайбирования укладывают наупругую...

Номер патента: 779911

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Задорожный, Лихтцинтер, Шпилевой

МПК: G01R 27/00

Метки: двухполюсников, емкости, перехода, полупроводниковых, р-п, сопротивления, шунтирующем, элементов

...в цепи обратной 20связи операционного усилителя 19,блок20 фазочувствительных детекторов сотсчетными устройствами,Устройство работает следующим образом.Источник 1 вырабатывает переменноенапряжение фиксированной частоты, которое через делитель частоты 2, управляемый программным устройством (ПУ),поступает на стабилизатор 3. Применение управляемого делителя частоты 2 З 0позволяет выбрать рабОчую частоту исходя иэ предполагаемой величины измеряемой емкости 16 и выполняется путем подачи соответствующего кода от(ПУ) для обеспечения работы операционного усилителя 19 на линейномучастке характеристики .Напряжение на выходе суммирующегоусилителя 14 образуется в результатесуййирования выходных напряжений, поданных соответственно на входы 9 и110:...

Номер патента: 779937

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Ахманаев, Левдикова, Медведев

МПК: G01R 31/00

Метки: камера, параметров, пластин, полупроводниковых

...пластины 10 в еМкостной зазор резонатора.Величина коэффициента включения К 20 определяется соотношением емкостей С, С, С 1, и может быть найдена иэ выражения 1с где С.САНСИ ЕВ т 30 ПСсщ ф 4 Г.бк: -Ср " емкость, обусловленная наличиемнеконтролируемого зазора между полупроводниковой пластиной 10 и торцомстержня 5;С - емкость между выступом 2 и стенкой короткозамкнутого отрезка 1 запредельного волновода; 40С - емкость полупроводниковой пласЮтины 10 под торцом стержня 5;Я - площадь торца стержня 5; йптолщина полупроводниковой пластины10,45Величину К можно определить либо, расчетным путем, либо, эксперименталь йо методом возмущения, измеряя зависимость резонансной частоты резонатора от толщины полупроводниковой плас"тины...

Номер патента: 780082

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Балюра, Рейнштейн, Шанин, Шатохин

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов

...предлагаемое устройство; на фиг, 2 - разрезустройства по оси эксцентрикового 6вала (ближний левый стакан с магнитного захвата условно снят)", на Фиг. 353 - увеличенное изображение возможных положений кристаллов на плоскости кассеты,Устройство состбит из,корпуса 1, на котором смонтированы дна эксцентриковых вала 2Платформа 3 с помощью кронштейнов 4 установлена на эксцентриковых валах, На платформе смонтированы шесть магнитных захватов 5, на которые устанавливаются стаканы б. 4 Привод эксцентриковых валов осуществляется электродвигателем 7 через клиноременную передачу 8,9,10 и зубчатые пары 11,12. Кассета 13 с помощью заглушки 14 устанавливается в 50 стакане б,в который навалом насыпаютя переходы 15, 16, 17, В кассете имеются сквозные,...

Номер патента: 781721

Опубликовано: 23.11.1980

Авторы: Тарвид, Терпигорев, Шаронов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...параметра, задаются требуемые режимы измерения и вырабатывается 50 аналоговый. сигнал, пропорциональный величине измеряемого параметра, ко. торый поступает на цифровой измеритель 15 и там преобразуется в двоично-дясятичный код. ЦиФровой компара тор 16 сравнивает величину измеренного параметра с нормой и выдает результат сравнения в виде логического уровня на декодер 17, который в зависимости от результата сравнения и записанного на шинах 8 кода режима адреса-ф 0 . ции выбирает одно из пятИ возможных направлений дальнейшего контроля: включение следующего теста+1), тестов ТО и Т 1, групп ГО или Г 1, адрес которыхзаписан на шинах 11, лри чем индексы 0 и 1 в обозначениях тестов и групп указывают на логический уровень цифрового...

Номер патента: 783888

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Матвеев, Митрофанов, Чеховской

МПК: H01L 21/77

Метки: пластин, полупроводниковых, тара

...10 на 2-3 ммбольше толщины основания 1, что обеспечивает герметизацию всего объемамежду основанием 4 и крышкой 5 засчет обжатия их кромок 8, 9, обращенйых к основанию 1, резиновым кольцом 10.На резиновом тороидальном кольце10 выполнены радиальные выступы (отростки) 11 для открытия доступа вгнезда 2 путем нажатия на эти выступы по направлению стрелки (Фиг. 1).Число выступов 11 соответствует числу гнезд 2.В крышке 4 выполнены гнезда 12дяя неочищенных пластин, которые не."герметично закрыты дополнительнойкрышкой 13. Число гнезд 12 равночислу гнезд 2, Дополнительная крышка13 имеет вырезы 14, при помощи ко-.-тбрых послеповорота по стрелке В(Фиг. 2) она фикСируется и удерживается винтами б с,фигурной головкой.,Для удобства работы и...

Номер патента: 783890

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Сафонов, Сидорова

МПК: H01L 21/00

Метки: кольцевыми, пластин, плоских, полупроводниковых, преимущественно, прокладками, разделенных, сортировки, стапелированных

...3. В нижней части фигурных штырей 8 имеется выступ, Под нижней частью транспортирующего диска 3 установлен неподвижно ролик Я 10.За нижней частью транспортирующего диска 3 установлены приемник 11 для полупроводниковых пластин и при-емник 12 для кольцевых прокладок, находящиеся на одной платформе 13, перемещающейся по винту 14 на разрезной гайке 15. Винт 14 вращается череэ зубчатую передачу 16 от сектора 17, установленного на транспортирующем диске 3, на котором установЛена ог- ЗО раничительная планка 18.Направляющие 1 установлены перпендикулярно плоскости транспортирующего диска 3, при этом направляющие 1, транспортирующий диск 3 и платфор- З 5 ма 13 установлены наклонно.Устройство работает следующим образом.Пакет 2 полупроводниковых...

Номер патента: 788053

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: зависимости, заряда, материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых, температурной, холловской

...электромагнитом 10.Устройство работает следующим образом.Образец 4 подключается к источнику1 напряжения и между потенциальнымиконтактами 6 и 7 устанавливается заданное напряжение, С изменением температуры образца 4 изменяется электропроводность объема полупроводника итоковых контактов 2 и 3, в результатепроисходит перераспределение паденийнапряжения на токовых контактах и наобъеме полупроводника, расположенноммежду потенциальными контактами 6 и 7.При этом блок 5 обратной связи,снабженный схемой управления источником 1 напряжения, позволяет изменятьнапряжение между токовыми контактами2 и 3 так, чтобы падение напряжениямежду потенциальными контактами б и 7оставалось постоянным, Таким образом,каждому значению температуры...

Номер патента: 788227

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Масленников, Потутинский, Ушаков

МПК: H01L 21/68

Метки: пластин, полупроводниковых, транспортирования

...вращения (на чертеже условно не показан). Оси валиков развернуты в трех плоскостях под углом одна относительно другой. При этом угол, образованный отрезками, проходящими через центры валиков 3 и 4, составляет 130-140, а вертикальнаяоплоскость симметрии каждой проточки совпадает с вертикальным расположением пластины 5 в упомянутой канавке .Камеры 1 и 2 снабжены загрузочной щелью 6 и перегрузочной щелью 7 с направляошими. Под валиками 3 в камере 1 установлены цилиндрической формы щетки 8, выполненные, например, из фторопласта. Подача. рабочих компонентов осуществляется с помощью форсунок 9, 10 и 11.Установка химической обработки с использованием предлагаемого устройства для транспортирования полупроводниковых пластин работает следующим...