Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1671574

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Завада, Масленков, Ярош

МПК: B65G 47/31

Метки: бракованных, гибкого, демонтажа, кристаллов, него, носителя, полупроводниковых, рамки-спутника, удаления

...4 подает рагку-спутник 1 на цневгодорогкУу 10 7 (фиг. 2) несущей плигы 6 цо с и г цлбо чую зону, где фиксиру гся уцорлл 10 таУ что край раглки-ступцка 1 находися н;д Окном 8 несущей цлиПод д:.йствис.л привода 21 под ру",;,я тр; .рса 22 с 45 закрепленныгл на н=и цус оногл 24 цо вор тйкальньм направляющим 23 псэреглещается вниз, Пуансон 24 ерег. ещаясь низ открыгяет край гибкоо с-,ситлля 1.1 от рс 1 ки-спутни, а 4 по;,аег о о в оунс 8 ц су "., "0 плиты 6 и пэрегибае с доль цар валиУОз 25 и 26 глеханизма 14 за атаибкого носится13 (фиг. 4), Отср: лци край гибкого ногителя 13 афпг, 2 О,и:" ый адгез;",цо поверхностью х цуэнсс у 24. воздушныгл 55 потоко,л из сопла 9 по 1 уцмается к паре валиков 25 и 26 гехаг 11 эслл 14 захвата гибкого...

Номер патента: 1672308

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Войналович, Жаворонков, Маслов, Свирцов

МПК: G01N 21/01

Метки: дефектов, микроскопических, пластин, поверхности, полупроводниковых

...1 излучения, оптическую систему 2 для формирования и направления падающего пучка излучения, с помощью ко 1 орой повеохность полупроводниковой пластины освещается коллимированным пучком света, предметный столик 3, снабженный приводами вращения 4 и возвратно-поступательного перемещения 5 последний включает шаговый электродвигатель б и кинемэтическую передачу 7, обеспечивающую перемещение предметного столика 3 на шаг, равный диаметру пятна пучка излучения, оптическую систему 8 для сбора рассеянного излучения, фотоприемник 9, на который поступает рассеянное излучение с выхода оптической системы 8 для сбора рассеянного излучения, счетчик 10 электрических импульсое, соединенный с фотоприемником 9, систему регистрации углового положения...

Номер патента: 1672421

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Бабаян, Ованесян, Окропиридзе

МПК: G05D 23/19

Метки: интегральных, микросхем, пластин, полупроводниковых, термостатирования

...и отрицательного питающих напряжений. Коллектор и база регулирующего транзистора 4 соединены соответственнос шиной 12 положительного питающего напряжения и с выходом усилителя 2, а эмиттер регулирующего транзистора 4 подключен через стабилитрон 11 смещения к базе транзистора 3 подогрева, Между базой и эмиттером транзистора 3 подогрева включен резистор 6 смещения. Усилитель 2 подключен своим неинвертирующим входом через компенсирующий резистор 9 к базе транзистора 3 подогрева и через компенсирующий резистор 8 к шине нулевого потенциала. Резистор 5 смещения резистор обратной связи включены между инвертирующим входом дифференциального усилителя 2 и соответственно шиной 12 положительного питающего напряжения и эмиттером транзистора 3...

Номер патента: 1673653

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Исаев, Никулов

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, мос-гидридной, полупроводниковых, соединений, технологии, эпитаксии

...8, калорифер, дросселирующий клапан 10, фильтр 9 и выбросом через предохранительный клапан 15 в атмосферу с поджигом водорода в факеле 14. Парогазовая смесь в трубопроводе сброса, проходя через регулятор 18 давления, калорифер, электромагнитный клапан 16, фильтр 9, откачивается либо насосом б, либо, минуя насос б, при закрытом клапане 7 попадает в атмосферу, проходя через электромагнитный клапан 21 и предохранительный клапан 16. Если процесс эпитаксии в реакторе 2 осуществляют при атмосферном давлении, то парогазовая смесь после реактора 2 обычно проходит через оба калорифера, При этом все электронамагниченные клапаны, кроме клапана 7, и дросселирующий клапан 10 открыты и парогазовая смесь проходит через предохранительный. клапан 16....

Номер патента: 1674295

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Арсентьев, Васильев, Гарбузов, Журавкевич

МПК: G05D 27/00, H01L 21/208

Метки: гетероэпитаксиальных, жидкофазной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...клапаном, расположенным на фланце реактора 13. Во время движения штока электромагнитный клапан приоткрывается, обеспечивая свободный ход штока в уплотнении, а во время остановок он закрывается, обеспечивая надежное уплотнение штока и предотвращая попадание воздуха в реактор. Такимобразом, предлагаемая установка позволяет перемещать подложку под расплавами спостоянной стабилизированной скоростью заданной величины.П р и м е р, Создана автоматизированная установка для выращивания сверхтонких ( 10 см) полупроводниковых слоевметодом жидкостной эпитаксии на движущуюся подложку;Установка состоит из диффузионной печи "СДО - 125", кварцевого реактора с размещен ной внутри неподвижной графитовой кассетой с подвижной частью (слайдера), которая...

Номер патента: 1578901

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бротиковский, Воскресенский, Самойленко, Тетерьвов

МПК: B01F 13/10

Метки: гидроокисного, защиты, многокомпонентного, полупроводниковых, преимущественно, приборов, раствора, стекловидного

...лереьГешивании их в сосудах выемки бака-сборника 5 из термокамерыи 2 и емкости 3 до наступления прозс целью выгрузки конечного продукта", рачности, т.е. наступления равновесия стекловидного порошка, Крдцы 1 О Уста-сртоэтилсиликата и кремниевой кислоты цовлены ца трубопроводах. На откидной, 25 в смешанном растворе, содержащем ионы крышке 11 бака-сборника 5 установле- свинца и:агюминия. После проведения на камера 12 смешения реактивов в виде перечисленных операций производят перевернутого стакана. Накопитель 13 , слияние растворов иэ емкости 3 и 4 в промывочной жидкости сообщен с поддо".камеру 12 смешения для проведения юм 7. Жосуды ф 2.ф и 3 ф 4 и30 стехиометрической реакцииф при это бак-накопитель 5 снабжены лопастными , через...

Номер патента: 1677049

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Андреев, Быстрова, Власов, Кабанов, Селин, Топчиев, Федорова, Хохлов

МПК: C09G 1/02

Метки: пластин, полирующего, полупроводниковых, состава

...полупроводниковых материалов от температуры кремнийсодержащего золя при соотношении кремнезол ь: ЭДТА: натрийдодецилсульфат: ПДМДААХ: гипохлорид натрия: вода = 1:0,0027:0,005:0,0106:5,2:23,7В табл, 2 представлена зависимость результатов получения полирующего состава для обработки полупроводниковых материалов от массового соотношения кремнийсодержащий золь; ЗДТА: натрийдодецилсульфат; ПДМДААХ: гипохлорид натрия: вода (пластины кремния, кремнезольаэросил) при температуре золя = ЗО С Из табл. 2 видно, что предлагаемый способ позволил прежде всего, улучшить качество, а именно повысить агрегативную устойчивость состава за счет его структурирования. Структурированный таким образом полирующий состав позволил повысить в 1,5 - 2,0 раза...

Номер патента: 1680513

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Гладких, Кучин, Немерюк, Черных

МПК: B28B 5/00

Метки: заготовок, полупроводниковых, резки, станок, твердых, хрупких

...7,На станине 1 установлен координатный стол 8 с возможностью шагового перемещения, а также державка, например, графитовая 9, приклеенная к державке заготовка 10. С координатным столом 8 неподвижно соединены не перемещающиеся на шаг упоры 11. Неподвижные части направляющих 12 соединены с планшайбами 5 и 6, а подвижные части 13 неподвижно соединены с ползунами 14. С планшайбами 5 и 6 неподвижно соединены упоры 15. С полэуном 14 соединен трубопровод 16, На фиг.5 показана форма ползунов 14 и 17, расположенных в выемках планшайб 5 и 6.Станок работает следующим образом, Координатный стол 8 отведен от шпинделя, на него установлена заготовка 10. Включается подача сжатого воздуха и СОЖ, затем включается вращение шпинделя 2 иподача координатного...

Номер патента: 1680735

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Акопов, Арутюнянц, Гитис, Исагулянц, Кашинская, Конышева, Неумоева, Пойманов, Путилина, Рязанцева

МПК: C08L 63/04, C09K 3/10

Метки: герметизации, интегральных, полупроводниковых, пресс-материал, приборов, схем

.... ратуре 800 С в течение 8 ч.Стандартные образцы для проведения испытаний получали методом литьевого прессования при температуре 1655 фС, удельном давлении 15,0 ИПа с последунмцей термообработкой при температуре 200 С в течение 8 ч.Удельное объемное электрическое сопротивление определяли по ГОСТ 6433,2-.71 при постоянном напряжении 100-105 В на трех дисках диаметром 50 мл толщиной О, 8-1,0 мм.Влагопоглощение пресс-материала ,в процессе выдержки в автоклаве определяли на трех образцах диаметром 50 мм, толщиной 2 мм. Расчет влагопоглощения проводили по изменению массы образцов после выцержки их в автоклаве емкостью 500 мл, содержащем 50 мл деионизованной воды, герметично закрытом и помещенном в термостат со ф;Т=120 С. Взвешивание...

Номер патента: 1684725

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Дипчак, Константинов, Подъячев

МПК: G01R 27/26

Метки: детекторов, излучений, параметров, полупроводниковых, ядерных

...1,5-2 ,гдел л постоянная нремени формирования переходной характеристики усилителя 1), а на выводе 10 - блокирующий импульс првмс 1 гольной формы длительностью 10, кторцережает измерительный импульс нв. 11 зе 1 т льный импульс,л проходя через измеряемый ППЛ 4, формирует на входе усилителя 1 зарядовый импульс, амплитуда которого пропорциснальна емкости ППД. Этот импульс усиливается зарядочувствительным усилителем 1 и регистрируется амплитудным вольтметром 6, который проградуированединицах емкости. На управляющий вход электронного ключа 7 подается блокирующий импульс от вывода 10 генератора 5, который переводит электронный ключ 7 из состояния проводимости в состояние отсечки на время прохождения по усилителю 1 измерительного...

Номер патента: 1684728

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Линник, Сысоев, Титов, Шлык

МПК: G01R 27/26

Метки: емкости, полупроводниковых, структур

...автогенератора, выход которого соединен с сигнальным входом блока 9, введенного вкачестве элемента обратной связи между блоком 8 и варикапом автогенератора. Выход блока 9 соединен с варикапом 6. Управляющий вход блока 9соединен с одним из выходов блока 10управления, второй выход кбторого 45подключен к управляющему входу выключателя 3.Устройство для измерения емкостиполупроводниковых структур работаетследующим образом, 50В зависимости от сигналов блока 10управления устройство обеспечиваетдва режима работы: режим стабилизациичастоты и режим измерения емкости,к частоте опорного генератора блока 8. Блок 9 передает выходной сигнал блока 8 на варикап 6 и Г - (Я,",:В режиме измерения емкости блок 9 находится в состоянии хранения, выключатель...

Номер патента: 1684833

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Альтман, Головнин, Гордон, Деневич, Левин, Рифтин, Сухоруков, Церфас

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов, эластичная

...3510 ВНИИПИ Государственного 113035, раж Подписноекомитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 10 сеты за счет оптимизации соотношенияглубины ячеек и высоты кассеты, прикоторой достигается максимальный срокслужбы кассеты,Эластичная кассета для герметизации полупроводниковых приборов, выполненная в Форме прямоугольного параллелепипеда с основными ячейками, выполненными на одной из больших сторсн параллелепипеда, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью снижения материалоемкости кассеты при повышении ее надежности, на противолежащей большей стороне параллелепипеда выполнены дополнительные ячейки, расположенные зеркально симметрично...

Номер патента: 1686280

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Мазов, Нечунеев, Пятов

МПК: F25D 3/10

Метки: исследования, криостат, полупроводниковых, свойств, электрофизических

...насосом, охлаждают жидким азотом и опускают в сосуд Дьюара. Охлаждение объектодержателя осуществляется через хвостовой элемент 5. Установку температуры осуществляют с помощью нагревателя 8. Температуру измеряют термометром 9,Предлагаемый криостат позволяет регулировать температуру по линейному, квадратичному, ступенчатому законам. Мини. мальная рабочая температура 4,5 К,Цилиндрическая обечайка 12, установленная между стенкой и объектодержателем,обеспечивает экранировку образца 6 от колебаний температуры газообразного гелия за счет равновесности ее температуры, обусловленной постоянством температуры верхней и нижней частей. Колебания температуры газообразного гелия происходят из-за испарения жидкого гелия, попадания воздуха через...

Номер патента: 1686483

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Колотуша, Павленко, Пельтек

МПК: H01B 3/10

Метки: паста, полупроводниковых, приборов, электроизоляционная

...1 - 1,4 ляется повышеы при сохраневойств, ием исходных ри 120 С в течев в смесителе и Оптимальное общее содержание наполнителей в пасте составляет 60 - 90 мас,0)ь, Снижение их содержания ниже 60 мас,;ь резко ухудшает теплоп роводность, повы шение свыше 90 мас,% значительно снижает пластичность пасты, что приводит к ухудшению теплового контакта, Снижение в пасте содержания нитрида алюминия менее 20 мас.% приводит к ухудшению теплопроводности пасты, повышение свыше 30 мас.% не приводит к повышению (существенному) теплопроводности, однако снижает электроизоляционные свойства и повышает стоимость пасты. ст рмула изобретени Электроизоляцион проводниковых при кремнийорганический миния с размером час чаю щаяся тем,что...

Номер патента: 1689089

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Данилюк, Копыл, Слынько, Хандожко

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, полупроводниковых, резки, струнной

...со средним размером зерна 15 мкм,Подача кристалла на струну осуществляется с помощью электродвигателя с регулируемой частотой вращения, Сопротивление цепи, содержащее сопро нвление 9, сопротивление самоо кристалла от зоны до контакта 4, и сопротивления между струной и кристаллом в зоне резания В(т) измеряют с помощью схемы, приведенной на фиг, 1, В начале реза измеряют Вопт, Цилиндрический слиток ФЗО мм с удельным сопротивлением р = 2,8 Ом см, закрепленный ,на подвижном столике, до подачи абразивной суспенэии приводят в соприкосновение со струной, после чего приводят в движене нить и после подачи абразивной суспензии следят за изменением В В начальный момент В(т) = 2 кОм = Яо, Изменение В(т) со временем изображено на фиг. 4,...

Номер патента: 1689874

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бородовский, Булдыгин, Тарло

МПК: G01R 27/28

Метки: времени, жизни, заряда, носителей, образцах, полупроводниковых

...9. 20Полупроводниковый образец 10 закрывает конец цилиндрического резонатора 11, отрезки прямоугольных волноводов 12, запредельное отверстие 13 служит вводом от импульсного источника энергии света. 25Устройство работает следующим обраОт генератора 1 СВЧ-сигнал через вентиль 2 и циркулятор 3 попадает в цилиндрический резонатор 4, одной из стенок 30 которого является исследуемый полупроводниковый образец, В конце цилиндрического резонатора 11 возбуждают колебания типа Ео 1, причем для резонансной длины отрезка круглого волновода надлежащее 35 расположение плужнеров в симметрично расположенных трех отрезках прямоугольного волновода практически исключает возбуждение низшего типа колебаний Н 11. При импульсном освещении проводимость по...

Номер патента: 1690026

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Баранов, Негрескул, Фокин, Чиник

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное, параметров, полупроводниковых, приборов, сильноточных

...8 обеспечивает механизм прижима в виде витой пружины 12, установленный на стержне, Электрический ток подводится к стержню проводом 13, который прикрепляется гайками 14, а потенциальный регистрирующий сигнал снимается с помощью провода 15.и розетки 16. Стержень приводят в движение, например, вручную с помощью ручки 17 или с помощью линейного двигателя, Первоначальное усилие упругого контакта на контролируемый прибор 5 регулируют с помощью винта 18.Конструктивно упругий контакт выполнен в виде тонкостенной осесимметричной чаши, жестко прикрепленной кромкой к выступу стержня в торце, а контактирующий элемент - в виде перевернутого стакана с закругленной кромкой стенок и закрепленного жестко к внешней поверхности дна чаши. Такое...

Номер патента: 921385

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бабаджанов, Оксанич, Спектр, Тузовский, Шаповал

МПК: H01L 21/66

Метки: меры, образцовой, полупроводниковых, слоев, толщины

...низкая долгове ность меры, обусловлен н ая возмок ность ю от клеи вания пластины от подложки е процессе эксплуатации,ааеВЦелью изобретения является повышение точности воспроизведения толщины и долговечности образцовой меры.Цель достигается тем, что в известном способе изготовления образцовой меры толщины полупроводниковых слоев, основанном на шлифовке и полировке плас;ины из полупроводникового материала до получения номинальной толщины, пластину из921385 Техред М,Моргентал Редактор О. Юркова Корректор Т. Палий Заказ 4637 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 готавливают...

Номер патента: 1691002

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Безрадетский, Дюков, Куделя

МПК: B23K 11/06

Метки: герметизации, корпусов, полупроводниковых, приборов, прямоугольных

...8 поворотного стола. На поворотном столе в узле крепления закреплен керамический корпус 9 полупроводникового прибора, к которому приваривают крышку 10, Наличие контакта роликов 3 с крышкой 10 контролируют, иуправление механизмами торможения 2 и 8 осуществляют посредством блока регистрации контактирования 11.Работает устройство для герметизации прямоугольных полупроводниковых приборов следующим образом. Корпус полупроводникового прибора 9 с. прихваченной к его рамке крышкой 10 устанавливается и фиксируется на поворот- ном столе 4. Затем механизм линейного перемещения поворотного стола обеспечивает движение полупроводникового прибора на позицию сварки. При этом тормоза 2 роликовых электродов 3 зафиксированы, а тормоз 8 вращения поворотного...

Номер патента: 1691913

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Бакулина, Клименко

МПК: H01L 23/46

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...прибсры могут быть закреплены на нескольких или на всех плоскостях радиатора, Благодаря пересечению отверстий в обьеме радиатора Образуется достаточно развитая поверхность теплообмена, а наличие отверстий со всех сторон радиатора способствует актив ому его охлаждению при различных направлениях охлаждающего потока, Размещение приборов на всех или на нескольких плоскостях дает преимущество для более равномерного распределения в обьеме радиатора тепловых нагрузок,На чертеже показан радиатор с закрепленным на нем охлаждаемым прибором,Радиатор состоит из плиты 1, имеющей форму прямоугольного параллелепипеда или куба с закрепленным на ней охлаждаемым прибором 2, Через три плоскости плиты 1 просверлены сквозные отверстия 3, причем...

Номер патента: 1691994

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Карамышева, Кузнецов, Новиков

МПК: H05K 13/02

Метки: выводами, гибкими, ориентированной, подачи, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...12 и 13 равнг, диаметру ножки +0,05 мм, причем верхнял часть планки 12 находится ниже верхних точек планок 11 и 13, Планка 12 выполнена Г-образной формы и в заходной части имеет сечение ножевой формы. Яирина планки 12 в верхней части равна трем диаметрам ножки транзистора, По обе стороны рычага 9 закреплены упоры 19 с подшипниками 20, Сверху на транспортирук)щем лотке 8 установлен фиксирующий механизм в виде крышки 21 с вырезом 22 под головку ориентируемого попупроводника. Ориентирующий в горизонтальной плоскости элемент выполнен в виде пары боковых призм 23, установленных на осях 24, соединенных в нижней части планкой 25, Оси 24 размещены в кронштейнах 26, которые установлены на осях 27, Между планкой 25 и кронштейнами 26 на осях 24...

Номер патента: 1700623

Опубликовано: 23.12.1991

Автор: Труфанов

МПК: H01H 3/08, H02H 7/085

Метки: защиты, контактных, перегрузки, переменного, полупроводниковых, токовой, устройств, энергораспределителей

...Вклочения;16- произвольному моменту Вьгключения не СООТВВТСТВУЮЩЕМУ НУЛЕВОМУ ЭЗЧЕНЛО энерГОс 8 ти; з - имГульс срзбзтывзния триГ" герного нуль-индикатора 4 в моменты времени, соответствующие э, ,.э автоматической задержкой включения (выключения); и - импульс с выхода триггерноГО нуль"индикзтОрз , усиленный ПО мощности и напрякению, необходимый для срабатывания предварительных реле.Устройство работает следующим образэм,НЗ ПЕРВЫЙ ВХОД (Ог,1) ЗМПЛИТУДНОГО комгвраторз 1 и вход амплитудного компз. рзторз 14, блокз фазового управления амплитудой наг.ряжения 11 ерез второй диодный мост 13 с трансформатора 12 подается опорное напряженке, синхронное с напряжением питания сети (см.фиг. 2 а), нз второй вход амплитудного компзрзторз 1 Явх,2)...

Номер патента: 1701562

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Асалханов, Дашанимаев, Желаев

МПК: B28D 5/04

Метки: вакуумного, монокристаллов, полупроводниковых, скола

...устанавливать нужное расстояние поверх т)сти образца от плоскости фланца 11,Предлагаемое ус гройсггво обеспечи Вэенадежный раскол кристаллов с боль 1 ВОЙ ЭНЕРРИай СВЯЗИ МЕЖДУ КРИСтЭЛПИЧаскпми Изобьете)Ра Отн"; л: к устройствамдлЯ обработки ГОл" и ООВОД.ТкОВЬх мдтеоиалов и)лака бьп ь .спо;эо;но при подготовке О ээ ОВ то. 1 ОпВОЯ "лковых мОнОкриста)ЯО 1) с это арно-Тс-ой.товерхностью, 51.РальО иэобРетениЯ ЯвляетсЯ поВышениа наде:кности работы усройства,На черте 1 е предстэвпен обший видпредлагаемого устройства,Устройство для ва.:уум-.ого скола полупроводниковых м,нокриатэплов содержитразмешенн,й В Вакуумной камере корпус 1,в котором устэновла) даэжэтепь кристалла2, выпо)1 а 1 Ныь, В виде цэ гоНого па грона 3,закрепленного,э стар.1 а 4,...

Номер патента: 1701759

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Крылюк, Куликовская, Раренко

МПК: C09G 1/02, C30B 29/10, C30B 33/08 ...

Метки: композиция, кристаллов, поверхности, полировки, полупроводниковых, химико-механической

...1. В качестве твердой фазы использовали ультрадисперсные порошки немодифицированного кремнезема размером 20-38 ОА с поверхностью, содержащей группы 9 ОН, Химически активный компонент - моноэтилендиамин.Гидрофильный характер аминоэтоксиазросила (АЭА) позволяет очень легко вводить его в водные среды и получать стабильные водные дисперсии Е = Я - О - СНг - СНг - ИНг.Продукты, образующиеся при полировке, удаляются с поверхности за счет хорошей абсорбцион ной способности, обусловленной сильноразвитой поверхностью АЭА, а также благодаря комплексообразованию за счет наличия аминогрупп, что позволяет избежать "замазывания" дефек.тов поверхности и обеспечить высокую эфФективность на протяжении всео процесса,При приготовлении полировальных...

Номер патента: 1704194

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Кузнецов, Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: годности, группам, пластине, полупроводниковых, разбраковки, структур

...активной части структур, проверку электрических параметров указанных областей. маркировку структур по результатам проверки. о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности разбраковки, контрольные области формируют на поверхности, свободной от защитных пленок, в количестве, соответствующем числу групп годности, а маркировку производят нанесением меток на зти области,2. Способ поп,1, отл ича ющийс я тем, что нанесение меток производят злектроэрозионны," путем. Составитель И.Петрова Редактор С,Патрушева Техред М.Моргентал Корректор С.ЧерниЗаказ 65 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035. Москва. Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,...

Номер патента: 1704303

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Жаров, Явношан

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...контакта витков пружины 4 со с)енкс)1 ко) уса 1 (ц,)иче)1 нижний вок вделав основание корпуса 1 40 высокой теплоприводност 11 глатеридла, облздиэщего цдглчтьо формы )этэ 1 летдлп) пруж 1 на 4 начин ет сжи):,дться. При этом верхи)й диск нддд"лиг.де-. На 1 ерэсилдвленцое Глдвящес-; вещество 3, прижимая 45 его к осговд)п)ю корпуса 1, Расплзви шееся вещесво 3 вдоль стенок корпуса 1 подни мается к крышке 8 и заполняет сФрдзовавв)ееся пространство эд плас) иной 5. 1 аботд радио: лементд 2 Г)рсдппхкзется до полного 50 проплзвле)11 я пл;,51 егОся ве)ест вд 3, Гоцссс охлаждения рддГОЭЛЕмЕн)З 2 идет очень интенсивно, поскольку у греющей повег)хОсти скззывдется Г)Остопно поджимаем)й слой еще нерасплавленного 55 ппд Л,егося вес),ествд 3. Рдлее...

Номер патента: 1705783

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Векштейн, Котов, Олоничев, Очкуров, Шпилевой

МПК: G01R 31/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...значением (НГЗ) прямого импульсного падения напряжения на контролируемом диоде 16 (Опри); верхним граничным значением (ВГЗ) Опри, константой "0,1 Ои" и константой "0,90 и", где О, - значения амплитуды импульсов относительно нулевого уровня, формируемых генератором 1. Амплитуда импульсов Ои выбирается равной удвоенному значению Одри, Значения НГЗ и ВГЗ определяются с учетом разброса Опри относительно некоторого среднего значения, принимаемого эа номинальное для контролируемого типа диодов.По результатам сравнения реально полученных значений падений напряжения на диоде 16 с уставками судят о правильности его включения и виде дефекта.Проверяемая плата с диодами 16 при ключается к блоку 7 коммутации. По включении питания блок 10 формирует...

Номер патента: 1074161

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Арендаренко, Барил, Минаждинов, Мягков, Овечкин, Слепнев, Федоров

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, полупроводниковых, соединений, эпитаксии

...подложкодержателем соосно с нимпо высоте (0,1-0,15)Вд и выполненв виде тора диаметром (11-1,2)Ппс отверстиями на внутренней его поверхности, гдеи диаметр подложкодержателя. Кроме того, экран расположен от подложкодержателя на высоте (О 3 0,4) 0 п,На чертеже показано устройстводля газовой эпитаксии полупроводниковых соединений.Устройство вклюцает реакционнуюкамеру, состоящую из крышки 1 и основания 2, внутри которой расположены подложкодержатель 3 в видедиска с отверстием 4 в центре длявывода ПГС, газораспределитель 5,выполненный в виде тора с отверстиями на внутренней его поверхностидля ввода ПГС, установленный надподложкодержателем 3 соосно с ним,и экран 6, расположенный над газораспределителем 5. Подложкодержатель 3 может быть...

Номер патента: 1707799

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Детинов, Златковская

МПК: H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор

...выполнен в виде пружинного разрезного кольца 1, устанавливаемого на корпусе (не показан) полупроводникового прибора 2. с радиально направленными профилированными лепестками 3, расположенными на торцах 4 и 5 пружинного разрезного кольца в шахматном порядке. Профилированные лепестки 3 выполнены в виде отдельных пластин, свободные концыб и 7 которых повернуты вокруг своей продольной оси 8 на 90/, Упругое разрезное кольцо между лепестками охвачено упругой стяжкой 9.Радиатор работает следующим образом.Пружинное разрезное кольцо 1 своей внутренней поверхностью 10 охватывает корпус полупроводникового прибора 2. С целью улучшения теплового контакта на внутреннюю поверхность 10 пружинного кольца 1 нанесен теплопроводящий слой типа невысыхающей...

Номер патента: 1709430

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Золотарева, Лурье

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета-накопитель, пластин, полупроводниковых

...исключает линдр с фланцем для плотной стыковки с попадание на них пыли и влаги и делает технологическими модулями. Вкладыш 5 в возможным(при соответствующей герметивиде поворотного диска размещен в поло эации технологических модулей) реализасти 3 и прижат(подпружинен) кфторопласту цию технологического процесса в б футеровки и крышке 2. Ось вкладыша гер- помещениях обычного типа, Объединение метиэирована в осевом отверстии основа- функций разгерметизации кассеты в модуль и ния с помощью вильсоновского уплотнения подачи пластин на позицию загрузки упро. Верхняя поверхность вкладыша 5 имеет 25 щает задачу автоматизации процесса, сводя заглубленные круглые гнезда 8 для горизон- его к повороту вкладыша на заданный угол, тального...