Способ изготовления полупроводниковых меза-структур

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...

Номер патента: 1605139

Опубликовано: 07.11.1990

Автор: Христич

МПК: G01B 9/00

Метки: геометрических, параметров, периодической, структурой, элементов

...близким илиравным 90 О, проволоки0,03 мм,проводят напыление, например, углерода при остаточном давлении не выше4 .10 ГПа, убирают трафарет.На поверхности МКП останутся двепересекающиеся полосы без покрытия,С помощью микроскопа необходимо выбрать один канал, находящийся в центре перекрытия полос, и определитьего контрольные параметры с учетомвсех погрешностей. Нижний пределширины полос, свободных от поглощающего покрытия, объясняется необходимостью иметь в центре перекрестияне менее одного полного контролируемого микроэлемента при случайном расположении теневого трафарета, еслимикроэлементом считать отдельнуюструктурную единицу; либо канал(сердцевину), либо перемычку (оболочку), Верхний предел - не болеедвух полных микроэлементов,...

Номер патента: 1829751

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Винке, Мокроусов, Палашов, Чистяков

МПК: H01L 21/02

Метки: газового, полупроводникового, сенсора, чувствительного, элемента

...пластину разделяют на чипы размеров 2 х 3 мм, монтируют в металлостеклянные Способ изготовления чувствительногоэлемента полупроводникового газового сенкорпуса 5 и методом ультразвуковой сварки подсоединяют внешние выводы 6 из алюминиевой проволоки диаметром 40 мкм,Апробацию чувствительных элементов к адсорбции паров воды осуществляют на вакуумной установке, в измерительную ячейку которой вмонтируют образец. После откачки системы до давления остаточных-4газов до 10 Торр осуществляют напуск паров воды до давления 1 Торр и измерение относительного изменения сопротивления. Относительное изменение сопротивления на постоянном токе при 20 С составляет 210 У 0.Оценку чувствительности элемента к парам аммиака осуществляют на гостированном...

Номер патента: 1598813

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H03B 1/02

Метки: активного, аппаратуре, использования, кратковременного, образования, одноразового, основе, полупроводниковой, радиоэлектронной, структуры, элемента

Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре, например для генерирования электрических колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности активного элемента, через полупроводниковую структуру диодного типа пропускают в прямом и обратном направлении электрический импульс для инициирования в ней необратимого электрического или термоэлектрического пробоя с последующей подачей на образованный нелинейный элемент рабочего тока и напряжения.

Номер патента: 1064497

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Гладченко, Сокол

МПК: H05K 13/08

Метки: магнитных, параметров, пластине, полупроводниковых, структур, электрических

...7, и рычага 15, выполненного в виде вилки и закрепленного в центрах 16, которые делят плечи рычага 15 в отно. шении 1:1 Ограничитель 17 колебаний, выполненный в виде рычага, поджат пружиной 18 к направляющим 14 и закреплен на оси 19 на несущей плите 8.Упругая направляющая обеспечивает связь подвижной рамки,13 с несущей плитой 8, состоящей из мембран 20, укрепленных по наружному диаметру в корпусе 21 при помощи набора шайб 22 и гайки 23, связанных по внутреннему диаметру с помощью колонки 24, набора шайб 25 и гайки 26.Устройство работает следующим образом.После предварительной ориентации .проверяемой пластины относительно зондов (вручную оператором) в режиме фАвтоматф срабатывает механизм перемещения зондовой карты по осикоторый...