Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 350095

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бунько, Итин, Наумов

МПК: H02H 7/10

Метки: вентилей, полупроводниковых, состояния, теплового

...контроля теплового состояния полупроводниковых вентилей путем подачи контрольных импульсов и измерения сопротивления р - и перехода между двумя электродами.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что с целью повышения надежности контрольные импульсы подают на управляющий переход вентиля в течение отрицательного полупериода анодного напряжения и измеряют сопротивление р - тг перехода между управляющим электродом и катодом вентиля.На чертеже дана блок-схема, поясняющая описываемый способ.От фазосдвигающего устройства через эмиттерный повторитель ЭП подается импульс на генератор запускающих импульсов ГЗИ. Генератор ГЗИ вырабатывает импульсы, которыми включается вентиль В силовой схемы. Во время отрицательного полупериода анодного...

Номер патента: 352771

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Бут

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, резки

...вдоль следов эцсргстичсски слабы.; кристаллографц ческих плоскостей. На фиг, 1 изображецы следы пересечения с плоскостью (111) плоскостей, слабых в эцер гетт 1 ческок Отцошеции; ца фиг, 2 показао кяк по трем естественным граням 1 роста ца цикием торце слитка цаходят цапраьлецис пло- кости (001), обозцачецьое стрелкой 2, и мсстопахождеццс базового среза 3 отцос:,тельц2 этои стрелки. Направлепие тлоскости (001) ця верхцем торце слитка будет противоположцым.Практически цахокдецие эцергегцческц слабых плоскостей и резка пластин ца кр;с НяпряВ 1 ецие 1 ка 1 заццых плоскостеи, тяк же как и (111) (111) и (111), можцо найти рентгецографическцм методом.Найденное по трсугольццку одцо цз напра- леций, например плоскости (001), прогцвополож...

Номер патента: 355698

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Библ, Булахов, Лившиц

МПК: H01L 21/00

Метки: выводами, контакта, полупроводниковых, структур

...катушка 2 электромагнита. Сквозь отверстие в основании проходит якорь 3 электромагнита. Якорь опускается в нижнее положение пружиной 4.На передней части основания 1 закреплен пружинный шарнир, состоящий из трех плоских пружин, Одна пружина 5 расположена горизонтально, а довс другие б симметрично по обе ее стороны, в плоскости, перпендикулярной плоскости пружины 5. К концам пружин 5 и б при помощи винтов прикреплен под. вижный элемент 7 из диэлектрика, на одном конце которого винтом 8 и гайкой 9 крепится контактная игла 10. Для исключения изгиба иглы при контактировании с выводом полу. проводниковой пластины игла изогнута упором 11, установленным на подвижном элементе 7 и воздействующим на иглу в точке, мак355698 фиг. 7 фиг Р сймально...

Номер патента: 356599

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Краснобаев, Кругликов, Шевцов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового

...узел автоматического выполнения арифметических операций, состоящий из блока вычитания б и блока деления б, регистрирующий прибор 7, клеммы 8 и 9 для подключения испытуемого прибора.Устройство работает следующим образом.10 Постоянный греющий ток от источника 1,проходя через испытуемый прибор, подключенный к клеммам 8 и 9 вызывает его нагрев до установившейся температуры. Инфракрасное излучение структуры и основания полу проводникового прибора попадает на соответствующие датчики 2 и 3, которые вырабатывают выходные напряжения, пропорциональные температурам структуры и основания, Полученные напряжения поступают на блок 20 вычитания 5, напряжение на выходе которого пропорционально разности температур структуры и основания испытуемого...

Номер патента: 359639

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Безверхое, Мошенский, Устинов

МПК: G05B 23/02

Метки: параметров, полупроводниковых, проверки, цифровых, элементов

...времени с помощью блоков 2 и 3 стробоскопических преобразователей входного и выходного сигналов на заданных техническими условиями на измеряемый элемент уровнях отсчета, Момент времени, соответствующий превышению входным сигналом заданного уровня, фиксируется блоком 7 дискриминатора начала отсчета временного интервала. Момент времени, соответствующий превышению,выходным сипналом заданного уровня, фиксируется блском 8 дискриминатора конца отсчета временного интервала, Блок 9 измерения временного интервала фиксирует цифровое значение трансформированного измеряемого временного интервала пересчетом синхроимпульсов, заключенных между моментами начала и конца отсчета. Для стробирования сигналов в блоках 2 и 3 блок 6 формирования...

Номер патента: 383124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Астафьев, Думаневич, Крылов, Минаев, Ничуразов, Сутько, Учайкин

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, полупроводниковых, элементов

...полупроводниковыеэлементы 2. Очищающий реагент, напримервысокоомная депоннзованная вода, подается вкамеру 3, Из камеры 3 очищающий реагентнаправляется через отверстия 4 в полость 5 кассеты, а затем через направленные под углом кольцевые щели 6 непосредствеццо к полупроводниковому элементу 2.Над каждым полупроводниковым элеме;пом 5 благодаря внешнему экрану 7 в рабочей полости ячейки создается одинаковый уровень очищающего реагецта для всех ячеек. Таким образом, о 11 ннаю 1 ций реагент, попадая в камеру 3, ранимерно распределяется по поло сти 5 кассеты н цз нее равномерно подаетсяк полупроводниковых элементам, обеспечивая непрерывное и практически равномерное растворение примесей н нх унос одновременно и непосредственно от...

Номер патента: 388377

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Баранин, Катин

МПК: H05K 13/08

Метки: ориентации, полупроводниковых, элементов

...2 импульсов, дешифратора 8, контактного узла и,проверяемого элемента 4 и схем б совпадения. Генератор 1 представляет собой симметричный мультивибратор. Счетчик 2 импульсовсостоит,из трех триггеров, выходы которыхсоединены с входом дешифратора 3. С дешиф 5 ратора выдается необходимое число импульсов, соответствуБщее количеству опрашиваемых пар контактов ориентируемого полупроводникового элемента 4, которые проходят наодну из схем 5 совпадения непосредственно и10 через проверяемый прибор,При совпадении импульсов, прошедшихчерез, проводящий канал проверяемого полупроводникового элемента на соответствующуюсхему И непосредственно от дешифратора,15 выдается команда о положении полупроводникового элемента. Для пояснения работыустройства...

Номер патента: 390422

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Амазасп, Афанасьева, Григор

МПК: G01N 21/95, H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кристалла, поверхности, полупроводниковых, приборов

...изображения с усиленным или ослабленным контрастом.20 Длч получения видимого изображения используется световой сигнал, отраженный от поверхности объекта при сканировании светового зонда и регистрируемый фотоэлектронным умножителем.25 На чертеже изображена блок-схема устройства, где обозначены: 1 - телевизионная проекционная трубка; 2 в объектив; 3 - полупро водниковый прибор; 4 - видеоусилитель фотоответа; 5 в световод; б - фотоэлектронный 30 умнояитель (ФЭУ); 7 - видеоусилитель ФЭУ;390422 Составитель В. Громоедактор Б. Нанкина Техред Е. Борисова ейзерман Царькова рректоры: Ми аказ 30686ЦНИИПИ Изд.1734 Тираж 755 осударственного комитета Совета Минист по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5одписное Типография,...

Номер патента: 390601

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Закревский, Заплатников

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, полупроводниковых, разбраковки

...уплотнение 61 золотника 48. Бесконечное резиновое уплотнение 62 крут. лого сечения надето на четыре шкива 63, оси которых закреплены неподвижно, и служит для герметизации выходного отверстия иглы в нерабочем положении. На одном из шкивов неподвижно закреплено храповое колесо 64. Пластинчатая собачка 65 неподвижно закреплена на кронштейне 47 и предотвращает обратный проворот храпового колеса. Упор бб, закрепленный на отсекателе, служит для предварительного выравнивания выводов триода и обеспечивает прохождение последнего по лотку к узлу выравнивания.При работе автомата вращение от электродвигателя - редуктора 3 через муфту 4 передается на вал 5. Вал 5, вращаясь, сообщает движение рабочим органам автомата посредством кулачков б, 7, 8, 9...

Номер патента: 391475

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бинин, Ларин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических

...изображена схема предлагаемого устройства, 30 В положительныи полупериод переменного напряжения открывается тиратрон 2 а и на иснытуемый диод 4 действует обратное напряжение У,ор, которое контролируется индикатором 11. В отрицательный полупериод тира. трон 2 а закрывается, открывается тиратрон 2 б и через диод протекает ток в прямом направлении, Этот ток регулируется резистором 13 и контролируется индикатором б. Одновременно с тиратроном 2 б открываются тиратропы 7, обеспечивая тем самым подключение к измерительному мосту испытуемого диода, индикатор 9 регистрирует, падение напряжения на диоде при прохождении по нему пряИзобретение относится к конрительной технике, конкретно кдля контроля и испытаний повых диодов,Устройство работает...

Номер патента: 391761

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых

...сквозным и со стороны, противоположной охлаждаемому горячему основанию 3 полупроводникового прибора 4 (диода, тиристора и т. п,), заглушено резьбовой пробкой б с упругой прокладкой б, например резиновой. Полость А после плотного вворачивания основания 3 заполнена легкоплавким металлом, например сплавом Вуда, а затем заглушена пробкой 5, Металл в зоне 7 соприкасается не только с торцовой, но и с боковой поверхностью основания,При включении прибора в работу темпера тура основания растет и достигает температуры плавления металла в полости А. Тепло, отводимое от основания, затрачивается на плавление металла в зоне 7,при практически стабильной температуре полупроводникового при бора, что позволяет допустить многократнуюего...

Номер патента: 392836

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Курносов, Лаврова

МПК: H01L 21/47, H01L 31/00

Метки: герметизации, полупроводниковых, состав

...составы для герметизации полупроводниковых приборов на основе эпоксидных, кремнийорганических, полиуретановых и других соединений, используемые для изготовления широкого ряда полупроводнико вых приборов в пластмассовых корпусах.Однако кремнийорганические соединения имеют низкую механическую прочность, известные составы на основе эпоксидов недостаточно термостойки (до 125 - 150 С) и имеют высокие значения диэлектрических потерь. Поэтому такие составы не могут быть применены для герметизации приборов, работающих в ВЧ и СВЧ диапазонах длин волн. В связи с этим ВЧ и СВЧ приборы классическими методами герметизируют в металлокерамические корпуса без применения пластмасс,Цель изобретения - разработка состава для герметизации...

Номер патента: 397857

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контактов, надежности, омических, полупроводниковых, приборов

...характеристики р-и перехода прибора. При наличии нарушений омцческого контакта наблюдаются высокочастотные деформации вольт-амперной характеристики. Импульс напряжения, возникающий на контролируемом прибора при пропусканци через397857 ваемые на входы нуль-органа 9, не совпадают.Нуль-орган 9 срабатывает, возбуждая исполнительное устройство 12. В случае посто янного обрыва на выходе генератора 1 формируется прямоугольный импульс и подчеркивается высокочастотная составляющая спектра.В случае постоянного короткого замыкания 10 перехода исследуемого прибора работает блокобнаружения постоянных коротких замыканий 10, выходной сигнаал которого через логическую схему 11 возбуждает исполнительное устройство 12,15 Устройство контроля...

Номер патента: 397995

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/56

Метки: жидким, защиты, кассета, компаундом, полупроводниковых, приборов

...покрытия. В та- О ких кассетах выполнены ячейки ц пазы подвыводы прибора цлц перфоленты. Пазы выполняются для,предотвращения растекания исидкого кОхопаунда по ВыВодам за пределы допустимого. Такцс кассеты надежны в рабо те, долговечны, однако сложны в изготовлении, так как требуется высокая точность при выполнении пазов под выводы ц ячеек, Обычно их выполняют сборными.Цель изобретения состоит в упрощении О конструкции металлических кассет с ацтцадгезиоцным покрытием для формирования двусторонней замкнутой защитной оболочки.Поставленная цель достигается путем использования поверхностного натяжения жцд кцх материалов ц тем, что в обеих частяхкассеты в плоскости разъема и местах контакта с устанавливаемой между ними лентой с приборами...

Номер патента: 399798

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Урбонас

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, заряда, измеритель, переключения, полупроводниковых

...импульсов обратного напряжения. Индикаторное устройство 18 в этом случае показывает суммарную величину заряда переключения.При поступлении с обоих выходов 11 и 12 схемы 13 управления единичных уровней на схему совпадений 5, на выходе последней образуются пачки из двух импульсов, следующие с периодом повторения импульсов прямого тока. Импульсы в пачках смещены на четверть периода повторения пачек. Эти импульсы запускают генератор 14 импульсов обратного напряжения, выходные импульсы которого приведены на фиг, 2 з. Как видно из фиг, 2 з, первый импульс пачки совпадает с импульсами прямого тока, а второй - с паузой между импульсами прямого тока. Эти импульсы попадают на измеряемый диод 15, и на выходе детектора 16 появляются...

Номер патента: 399799

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...трения и обеспечивает плавносизмерительного зонда как при опускани.и при подъеме.Ь предложенном устройстве поршни гид системы выполнены из тонкостенных томп ковых сил ьфонов, В такой гидросистеме сильфонами вибраций не возникает, узкие каналы гидросистемы также способствуют гашению колебаний.Дроссельная игла имеет резиновое уплотнение 34, в результате получается закрытая гидросистема. Постоянная нагрузка на зонд твердым весом и постоянная скорость опускания поршня гидросистемы при подходе зонда к поверхности измеряемого образца, обеспечивают воспроизводимый динамический удар зонда. Давление на острие зонда возрастает постепенно, так как после касания острием зонда поверхности измеряемого материала палец 17 продолжает еще некоторое...

Номер патента: 406245

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ведерннкон, Кононович, Фейгинов

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковых, скрайбироваиия

...16. Го 3 имеет направляю е 1 цястся вертпкальп 51 ощпмп призмаи И. скалкам 19 горцзоппсремещяется ползупок ухарем 22, взяпмоде 11 .1 пазом каретки 7 и альпое ее перемептеп 1 м. а 20 осуществляется по- винта 2 и гайки 25,аправляющив каретки 13 льцем 21 и с 1 С ИЯКЛОЦПЬ ощим вертик цецпе ползуц м ручки 23,Г 1 отальпой 20 с пя в 1 ющ 51) вызыва 1 Перемет средство в.еа, 30 УСТАНОВКА ДЛЯ СКРАЙЬИ 1 ОВА 11 ИЯ Г 1 ОЛУПРОВОДНН 1(ОВЬХКаретка 17 в верхней части имеет паз, в котором перемещается и фиксируется оптическое устройство совмещения 1.Установка работает следующим ооразом.Первопачальио настраивают двупольпос устройство совмещспия 1 И)иг. 1) опюситсльпо линии реза, для чего на вакуумном патроне 5 закрепляют пробную пластинку н проводят па...

Номер патента: 409318

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Куйбышевский

МПК: G01D 21/00, H01L 29/00

Метки: автотракторных, например, полупроводниковых, режима, теплового

...устройства и по тарпровочным графикам позволяют произвестиколичественную опенку температурного режи 15 ма выпрямителей. С целью упрощения регистрации и суммирования продо 1 кительноститепловой перегрузки неэлектпческие величины (температура окружающей среды и интенсивность воздушного охлаждения) преобразу 20 ются (например, с использованием терморезисторов и измерителя частоты вырабатываемого генератором тока) в соответствующиеэлектрические величины, которые легко обрабатываотся автоматически.25 В автоматичеоком устройстве происход;тобработка непрерывно поступающей информации и вырабатывается необходимый сигнал.В процессе эксплуатации выпрямительногоблока режимы тепловой перегрузки наступаютЗа дискретно и отличаются...

Номер патента: 361187

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бобкова, Богатырев, Конов, Куликов

МПК: C09J 11/00, C09J 5/00

Метки: пластин, полупроводниковых, фиксации

...иксации по ожках пос термическ ем, что, с оверх посте пластин, феннламн Предлагаемый способ относится к области технологии производства изделий электронной техники, а именно к способам производства полупроводниковых приборов,Известен способ фиксации полупроводниковых пластин на подложках посредством адгезива с последующим термическим удалением его.Недостатком известного способа является необходимость последующего удаления скрепляющих веществ с поверхности как полупроводниковой пластины, так и подложки.По предлагаемому способу с целью исключения загрязнения поверхностей полупроводниковых пластин и подложки в качестве адгезива используют дифениламин.Дифениламин квалификации чда или технический, предварительно возогнанный, расплавляется в...

Номер патента: 365756

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Анстранга, Витол, Матвеева, Мисуркин, Стручаева

МПК: H01L 23/26

Метки: влагопоглотитель, полупроводниковых

...цель достигается тем, чтоиспользуют смесь борцого дцгидрцда и молекулярцого сита, взятых в соотцошеццп соот 2 о ветствсццо 9 - -1:1- - 9, Иногда в указаццуюсмесь вводят геттероцосптель, например КВ-З.Борцьтй ацтццрпд прц определенных псходшях обработках и соотцошсциях с молскуляр;-, цым ситом в случае избытка влаги в корпусе прибора прц тсрмообработке поглощает влагу. В случае создания более осушающей среды цо сравцсцшо с цсобходимоц -- отдает впутрешцою влагу в атмосферу прибора. Вези совос количество борного дцгттдрида, молеку.Ц 1 ИИПИ Комитета по делам изоорстений и огкоытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 45 с)бп, тпп Костромского управлсппп пз атслпств, полш рафаи и кпп;кпо. горгопсп. лярного сита и...

Номер патента: 366423

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26

Метки: нестабильности, обратных, переходов, полупроводниковых, токов

...с испытуемым полупроводниковым прибором образует управляемый делитель напряжения,Устройство работает следующим образом.С приходом импульса Пуск триггер 2 и счетчик 5 устанавливаются в такое состояние, прои котором ключи 7 - 12 закорачивают сопротивления 18 - 18, а триггер разрешает поступать импульсам с выхода генератора 4 через ключ д на счетный вход счетчика б. Счетчи 1 к, управляя ключами 7 - 12, увеличивает ступеньками сопротивление делителя; прои этом увеличивается ступеньками и напряжение Ь, снимаемое со средней точеки делителя, которое подается на вход схемы 1 сравнения:Редактор А. Батыгин Корректор А, Степанова Заказ 432/14 Изд. Лгз 114 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...

Номер патента: 366516

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Адоньев, Петров, Сапрыкин

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, загрузки, кристаллов, полупроводниковых

...ступенчатый паз. Узел снабжен неподвижным ограничите.лем, образующим при смыкании с отсекателем канал, являющцйся направляющей для подающего кристаллы шибера.5 Для загрузки кристаллов в кассету с вертикальным наполнением,на позиции загрузки установлен подпружиненный упор и толкатсль вертикального перемещения.На чертеже изображено предложенное уст ройство.Устройство снабжено отсекателсм 1 со ступенчатым пазом и неподвижным ограничителем 2, образующим при смыкании с отсекателем канал, вдоль которого движется шцбер 15 8. На позиции загрузки установлена кассета 4с вертикальным накоплением кристаллов, Определенное положение кассеты поддерживается фиксатором 5. Кассета имеет зажцмные конусы о и 7, подпружиненный пружиной 8 20 упор 9 и...

Номер патента: 367377

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Биленко, Дворкин, Шехтер

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, концентрации, материалах, неразрушающий, носителей, подвижности, полупроводниковых

...полупроводниковых материалах.Применение призмы с показателем преломления и близким к показателю преломления пг исследуемого материала, позволяет повысить точность определения электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Например, при исследовании кремния птипа с концентрацией носителей заряда У= 10"см-з точность определения концентрации и подвижности носителей заряда составляет - 4% и 16% соответственно при использовании призмы из высокоомного кремния и 19% и 30/о, если призма выполнена из высокоомного германия. Допустимая относительная погрешность измерения коэффициента отражения составляла 0,0; установки угла падения - 10.Условие близости значений телей показапгпреломления п и аз, и= - :1, может бытьи,легко реализовано...

Номер патента: 370683

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кислицын, Лебига, Мусин, Россошинский

МПК: H01L 21/326

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...на единяемых элементо О осадки пуансонов, с личаютиийся тем, чт чества пайки, в в сжимающее усилие исходного.Изобретение относится к производ лупроводниковых приборов, в часттехнологии присоединения выводов кводниковым элементам электроннройств.В,известном способе сборки полупроводниковых приборов, основанном на укладке элементов прибора в кассету и их импульсном нагреве при одновременном сжатии двумя пуансонами происходит разрушение палупроводникового материала или возникновение остаточных;напряжений вследствие различия коэффициентов термического, расшнрения,металлических,выводов,и полупроводникового кристалла, При этом возникающие остаточные напряжения будут тем больше по величине, чем больше усилие сжатия пуансонов.Цель...

Номер патента: 371535

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Боренко, Сушенцов, Теректьев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нестабильноёшейштглз, обратных, перехрдсш1блиагй, полупроводниковых, токов

...точности ири раздельном контроле дрейфовой и релаксационной составляющих обратного тока пере.; одов. ния непосредственно соединены с блоком принятия решения.На чертеже представлена блок. схема устройства.5 Устройство содержит блок 1 задания режима на испытуемом переходе с токосъемным элементом, соединенный с усилителем 2, выход которого соединен с входами блока т скользящего усреднения, блока 4 выделения релакса ций и блокад задания весовой функции; входыблоков 3 и 4 подключены к двум выходам блока б, а выход блока 3 соединен с входамп блока б памяти, блока 7 принятия решения и блока 4, выход которого подключен к входам бло ков б и 7.Контроль нестабильности обратного токаперехода осуществляется следующим образом.Измеряемый сигнал...

Номер патента: 371536

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лавриненко, Настаченко, Сннеоккй

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, переходных, полупроводниковых, приборов, процессов

...генератор 8 импульсов управления, блок 9 задержки, коммутатор 10, схему 11 индикации. Точечный диод 12 и транзистор 18 входят в состав электронного ключа 8.10 Амплитудный дискриминатор 4 настраиваютна напряжение уровня отсчета, используя источник 5 питания с регулируемым входным напряжением, по вольтметру постоянного тока.Источник 1 питания задаст режим по 15 аноду А - катоду 1( (коллектору к-эмиттеру э)полупроводникового прибора 2; и диоду 12 электронного ключа 8 приложено прямо смещающее напряжение на аноде А (коллекторе к) полупроводникового прибора 2.20 Напряжение в точке А повторяет процесс наполупроводниковом приборе 2 при отпертом диоде 12 электронного ключа 3 и равно напряжению уровня отсчета при запертом диоде 12,Импульсы...

Номер патента: 378999

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Теш

МПК: H01L 21/66

Метки: герметичности, полупроводниковых

...колебания создают кавитационные процессы в жидкости, при которых возникают местные ударные волны с большими мгновенными пи ками давления. Ударные волны при гидродинамическом ударе о поверхность контролируемых изделий и разность давлений между атмосферным и откаченным в объеме изделий резко повышают проникающую способность 15 жидкости в объеме негерметичных изделий.По предлагаемому способу испытывают изделия на герметичность следующим образом.Контролируемые изделия помещают в вертикальном положении в сетчатое приспособ ление, имеющее полое фторопластовое кольцо, Вертикальное расположение изделий выбирают из условия наименьшего экранирования контролируемых поверхностей от ультразвуковых колебаний, Приспособление с изде лиями...

Номер патента: 379940

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Калинин

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, полупроводниковых

...упорами (9 и имеет скосы 20, выполненные в форме зуба звездочки. Скосы 20 взаимодеиствуют с роликами 11 при фиксации кассет. 1 по шагу относительно нижних блоков смыкания.Каждый блок смыкания закреплен (способ крепления не показан) на тележках 21.Каждая тележка 21 оснащена двумя роликами 22 (см. фиг. 3 и 4), соосно которым размещены две каретки 23 с возможностью вращения на своих осях, Каретки 23 имеют колеса 24. Тележки 21 установлены на замкнутом монорельсе 25 и соединены между собой шарнирными тягами 26. Монорельс 25 установлен на плите 27 и имеет отверстие 28 (см, фиг. 2). Цепь блоков смыкания охватывает две одинаковые звездочки 29 (на фиг. 1 и 2 условно показаны только их начальные диаметры, на фиг. 2 показан профиль зубьев...

Номер патента: 380219

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кот, Юрлова

МПК: H01L 21/479

Метки: полупроводниковых, приборов

...микрона и соответствующей режиму осаждения плотностью, насуопензию помещают в сп .- 25, В электрическом контакте с дятся два электрода, на кото- постоянное напряжение, Элекором происходит осаждение аморфного полупроводника, выполняют из ре. зистивного материала.В качестве такого материала можно использовать манганин с удельным сопротивлением 0,42 - 0,48 ом лтлт 2/м, константан с удельным сопротивлением 0,48 - 0,52 ом млР/м, окись олова и др,В зависимости от того, какой прибор готовится, выбирают ту или иную форму электрода и соответствующий материал для его изготовления, С помощью дополнительного источника тока на резистивном электроде создают потенциальный рельеф, в простейшем случае вида ота Е=сопз 1, что в свою очередь...

Номер патента: 381119

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/288

Метки: заготовок, полупроводниковых, приборов, припоя, сборки

...не восстанавливается при пайке в водороде (не диссоциирует в вакууме) и препятствует полной смачиваемости поверхности. Низкое качество контактов снижает надежность и циклостойкость приборов и повышает их тепловое сопротивление.Согласно предлагаемому способу, с поверхности прокатанной ленты или вырубленных заготовок удаляется пленка окислов химическим или механическим путем и наносится тонкий слой металла, окислы которого восстанавливаются водородом (например, слой никеля) или диссоциируют (например, слой серебра) при нагреве в процессе пайки до расплавления припоя. Нанесенный металл защищает припой от окисления, а в процессе пайки растворяется в припое. Толщина металлизации определяегся химическим составом припоя. Этот способ...