Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1109578

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Асанов, Кустов

МПК: G01B 7/06

Метки: полупроводниковых, слоев, толщины

...толщины полупроводнико. вых слоев материала, заключающийся в том, что пропускают импульс электрического тока между материалом и жидкостным выпрямляющим электродом и измеряют глубину микроскола, вызванного локальным тепловым выбросом вещества 13. Недостатком известного способа являются недостаточно высокие точность и предел измерения,Целью изобретения является повышение точности и расширение пределов измерения толщины многослойных материалов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу на исследуемом материале под жидкостным электродсм создают косой срез и после пропускания импульса электрического тока между материалом и жидкостным электродом измеряют расстояния между границами, соответствующими областям выброса вещества...

Номер патента: 1109612

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Григулис, Пориньш, Силиньш

МПК: G01N 22/00

Метки: измеритель, параметров, полупроводниковых, электрофизических

...параметров по 33 уцро 33 опцико 3333 х мате -РИаЛОВ, СОДЕРжаЩЕМ ЩЕЛЕБОЙ ИЗЛУЧатсгПсоедцненг 3 ь 3 с СВЧ гецг ратором ц иг 3 ди-,Окатором, щелевой излучатець выполненв виде отрезка цссцм.3 г 3 т 3 цчцо 3 полос -КОБОЙ лиц 3 пгр 33 эСрац 3333 у 3 де 3 Пластинекоторой прореза 3 о це менее двух из -лучаю 3 ццх еле Ряс цело":ец.ь 3 Х друот друга на расстоянии Л /2, приэтом дл 3 гца каждой 33 злучающей щелиравна 3, а ширина (0,1-0,0)Л,Где 3 длина г 3 олцы 3 отрезке цесимметричной полоског 3 ой пицци.бНа Фиг. 1 приведена конструкцияизмерителя электрофизических параметро 3 полупроиодциковь 3 Х материалов, на Фиг.2 - разрез Л-Л ца Фиг.1;на Фцг.3 - разрез В-В ца Фиг.1.55ИзморТе 3 эпектрофизическцх параметров г 3 ог 3 прг 333 одццког 33 х...

Номер патента: 1109955

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Амазаспян, Бутаев

МПК: H04N 7/18

Метки: изображения, исследуемых, полупроводниковых, структур, формирования, фотоответного

...импульса переноса двоичного счетчика и выход ЦАП, во втором цифровом генераторе разверт ки его первым, вторым и третьим входами являются соответственно счетный вход двоичного счетчика, вход установки в ноль двоичного счетчика и управляющий вход ЦАП, а первьщ и вторым выходамисоответственно выход импульса переноса двоичного счетчика и выход ЦАП, в третьем цифровом генераторе развертки его первым и вторым выходами являются соответственно счетный вход двоичного счетчика и управляющий вход ЦАП, а выходом - выход,.ЦАП.10 50 Неискаженное фотоответное изображение исследуемой полупроводниковой структуры 5 может быть получено только при условии полного совпадения формы одноименных сигналов развертки обоих растров и синхронНа чертеже представлена...

Номер патента: 1111023

Опубликовано: 30.08.1984

Авторы: Анистратенко, Оксанич, Шевченко

МПК: G01B 7/28

Метки: изгиба, пластин, полупроводниковых

...ячейкой памяти и формирователем, измерительная головкавыполнена в виде тарированного гравитационного толкателя и датчикаперемещений, сферические наконечники которых установлены оппозитнои соосно, базовые опоры выполненыв виде датчиков касания и подключенык анализатору базирования, выходкоторого соединен с первым входомузла коммутации, второй вход последнего через электронный преобразователь соединен с выходом датчикаперемещений, выход узла коммутациичерез ячейку памяти и формировательсоединен с сигнализатором раэбра 35 40 45 50 55 коммутации выхода электронного преобразователя 13 и анализатора 15 базирования, ячейку 16 памяти, вход которой соединен с узлом 14 коммутации, а выход - с измерительным прибором 17 и через формирователь 8...

Номер патента: 1112265

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Белошицкий, Каблов, Казимиров, Медведев, Мочалин, Наливайко, Нехорошков, Петров, Хрычев, Юшкин

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, полупроводниковых, сопротивления, стержней, удельного

...датчике для измерения удельного сопротивления полупроводниковых стержней, содержащем прямоугольный волновод с соосны 35 ми отверстиями в широких стенках, над которыми размещены четвертьволновые короткоэамкнутые отрезки коаксиальной линии с полыми центральными про 40 водниками длявведения исследуемого полупроводникового стержня, между одним иэ четвертьволновых коротко- замкнутых отрезков коаксиальной линии и широкой стенкой прямоугольного45 волновода установлен отрезок полого цилиндра длиной ( , определяемой неравенством Ъ/4 ( Ь с " /2, где Я длина рабочей волны в свободном пространстве.50На чертеже приведена конструкция датчика для измерения удельного сопротивления полупроводниковых стержней.55Датчик для измерения удельного сопротивления...

Номер патента: 1112594

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Ази, Видерман, Вийл, Иоспа, Коост, Косой, Кютт, Нарусон, Попов, Пукспуу, Тислер, Тоомла, Тоомсоо, Унт

МПК: H05K 13/00

Метки: испытаний, полупроводниковых, приборов

...возможностей и упрощение конструкции.. 50Указанная цель достигается тем, что устройство для испытаний полупроводниковых приборов, содержащее тепло- изолированные камеры с размещенными в них транспортирующими роторами и механизм перегрузки полупроводниковых приборов между роторами, снабжено дополнительным механизмом пе 594 2 регрузки полупроводниковых приборовмежду роторами, роторы размещены водной плоскости, а теплоизолированные камеры выполнены в виде кожуховохватывающих внешние части окружнос-.тей транспортирующих роторов,На фиг, 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 - схема расположения кожуховУстройство содержит транспортирующие роторы 1 и 2 с пазами 3 иносителями 4 испытуемых полупроводниковых приборов, механизмы 5 и 6...

Номер патента: 1114528

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Атаманчук, Денисов, Корниенко, Филимонов

МПК: B24B 9/06

Метки: пластинах, полупроводниковых, фасок

...несовпадения осн симметрии пластины н инструмента,Целью нэобретення является повышение качества обработки периферии пластин путем самоустановкн иэделия относительно инструмента вдоль осн,Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для обработки фасок на полупроводннковых пластинах, содержашем смонтированные на станине шпиндель изделия с держателем, шпиндель ннструмента с приводом его вращения н механизмом относительного перемешення инструмента н изделий, шпиндель изделия выполнен полым, а держатель установлен в нем с возможностью свободного осевого перемещения без относительного проворота.На чертеже показана принципиальная схема устройства.На подшнпннковых опорах 1 установлен зращающнйся полый вал 2 с фланцем на дном конце н...

Номер патента: 1114992

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Гороховатский, Жданок, Осокин, Пономарев, Тулуевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: испытания, мдп, полупроводниковых, приборов, структурой

...предела температуры поляризации выбирается максимально допустимая рабочая температура изделия, так как при более низких температурах поляризации некоторые механизмы электрической релаксации, присущие данному прибору в рабочем диапазоне температур, не включаются в поляризационный процесс и соответственно не проявляются в токе депо" ляризации. Последнее приводит к тому,1114 3что предлагаемый способ контролядает заниженную оценку зарядовойнестабильности изделий.Верхняя граница температурнойполяризации обусловлена тем, чтопри температуре, больше температурыэвтектики металл - кремний, происходит деградация свойств ИДП-структурыиэ-за образования растворов с повышенной проводимостью,Верхний предел напряжения поляризации выбирается 0,9 Опой где0...

Номер патента: 1115139

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Белов

МПК: H01L 23/34

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...ипродуваемый в них воздух последовательно проходит через ряд охладителей 11,Основным недостатком охладителейявляется низкая эффективность охлаждения, обусловленная ламинарным режимом обтекания охлаждающим воздухомохлаждающих ребер.Наиболее близким к изобретениюявляется охладитель, состоящий изкорпуса с контактными поверхностями,крепежными и установочными отверстиями, и плоских ребер конического сечения, утолщающихся к корпусу 2 .Однако конический промежуток между ребрами по их высоте увеличивает-.ся и создает меньшее сопротивлениепроходу воздуха у концов ребер. Основная масса воздуха иэ-за этогопроходит у концов ребер, а не у основания, чем снижается эффективностьохлаждения. Между плоскими ребрамив основном происходит...

Номер патента: 1117735

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Бабайлов, Кондратюк, Котляревская, Лабковский, Ткаченко, Фейгельман

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...цель достигается тем, что в устройстве, содержащем полупроводниковый прибор с установленными на нем охладителями, поверхз 1 ность одного иэ охладителей выполнена снаружи гладкостенной, а внутри развита за счет ребер, выполненных, на основании, причем. корпус этого охладителя теплоиэолирован от внешней среды, а второй охладитель - испарительный или жидкостный - установлен на другой стороне охлаждаемого прибора.На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид с частичным разрезом.Устройство для охлаждения полупрбводниковых приборов содержит два разнородных охладителя, прижатых с обеих сторон полупроводникового прибора 1, например таблеточного тиристора, с помощью стяжных шпилек 2. Один из охладителей содержит корпус...

Номер патента: 1117769

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Гафаров, Побережный, Чиликин

МПК: H02H 7/122

Метки: вентилей, инвертора, полупроводниковых, последовательно, резонансного, соединенных

...элементы (катушки) которых связаны с контролируемыми вентилями, а выходные контактные элементы включены в цеп реагирующего органа по схеме ИЛИ 2.Недостаток известного устройства - невысокая надежность из-за сложности схем- ного соединения выходных цепей датчиков. Цель изобретения - повышение надежности путем упрощения схемы устройства.Поставленная цель достигается тем, что устройство для контроля последовательно соединенных полупроводниковых вентилей резонансного инвертора, содержащее датчики состояния, входные элементы которых предназначены для подключения к контролируемым вентилям, а выходные контактные элементы включены в цепь реагирующего органа по схеме ИЛИ, снабжено резисторами и конденсаторами, а датчики состояния выполнены на...

Номер патента: 1119105

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Лукашевич, Плешаков, Тереня, Шатохин

МПК: H01L 21/00

Метки: баллонов, кассета, колец, полупроводниковых, приборов, припоя, торцы, установки

...что в кассете для установки колец припоя на торцы баллонов полупроводниковых приборов, содержащей .корпус с гнездами для размещения баллонов и съемные основание и крышку с элементами Фиксации колец припоя, элементы Фиксации колец припоя выполнены в виде штырей с конической рабочей частью, установленных с возможностью продольного и радиального перемещения в отверстиях, выполненных в основании и крышке, причем основание снабжено пластиной, на которой закреплены своими концами штыри осно нация.На фиг, 1 изображена кассета н сборе с основанием и крышкой; на фиг.2 баллон полупровОдникового прибора с облуженными торцами; на Фиг, 3 - кас"55 сета в рабочем положении с загруженными баллонами и установленными на их торцах кольцами припоя (узел...

Номер патента: 1128202

Опубликовано: 07.12.1984

Автор: Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, образцах, полупроводниковых, примесей

...усиления регулируемых40 усилителей 2 и 8,.Расстояние Х от металлическогоконтакта связано с емкостью С обедненного слоя полупроводника Форму-лой Х = АС , где А - некоторый коэф 45 Фициент пропорциональности.Устройство работает следующимобразом.1128202 тора 21 через Ос ношением 4Они связаны соотО= С=Х д(2) 55 3Высокочастотный сигнал с частотой от генератора 1 через регулируе мый усилитель 2, фильтр 3, где происходит подавление частоты 2 возникающей в усилителе 2, поступает на вход повторителя 4.С дополнительного выхода фильтра 3 противофазный сигнал поступает через конденсатор 22 на вход повторителя 16. Чисто гармонический сигнал с часто О той Г с выхода фильтра 3 через повторитель 4 поступает на испытываемый образец...

Номер патента: 1129592

Опубликовано: 15.12.1984

Автор: Резников

МПК: G05D 23/19

Метки: полупроводниковых, приборов, температуры

...к которому подключен третийэлектрод полупроводникового прибора.На чертеже приведена блок-схема40 предлагаемого устройства.Устройство содержит формирователь 1 эталонного сигнала, элемент2 сравнения, источник 3 опорногонапряжения, компаратор 4, генератор455 импульсов нагрева,блок 6 синхронизации, генератор 7 измерительноготока, выход 8 генератора импульсовнагрева, дополнительный выход 9,корпус 10, полупроводниковый при 50 бор 11.Устройство работает следующимобразом (работа устройства рассмотрена для случая, когда нагреваемымполупроводниковым прибором является55 транзистор),С генератора 7 измерительного тока устанавливают начальное напряжение на полупроводниковом приборе1129592 10 вход элемента 2 сравнения от форми. рователя 1 эталонного...

Номер патента: 1129672

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Денисов, Смирнов

МПК: H01L 21/00

Метки: закрепления, планшайбе, пластин, полупроводниковых, центрифуги

...пластин, установленные на ползунах, размещенных свозможностью перемещения в плоскости планшайбы посредством ходовыхвинтов 2 .Недостаток данного устройствазаключается в ненадежном креплении пластин при вращении планшайбы,Цель - повышение надежности вработе,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройстве для закрепления полупроводниковых пластин напланшайбе центрифуги, содержащемдержатели полупроводниковых пластин,установленные на полэунах, разме. щенных с возможностью перемещенияв плоскости планшайбы посредствомходовых винтов, держатели выполнены в виде Г-образных двуплечихрычагов, шарнирно закрепленных наползунах, призем центры массы ры чагов смещены относительно точки ихкрепления на нолзунах.На фиг, 1 изображено предлагаемое...

Номер патента: 1129674

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Курманов, Тихонов, Яценко

МПК: H01L 23/34

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической

...цель достигается тем, что в известном радиаторе для полупроводниковых приборов цилиндрической формы, содержащем обжимное кольт цо с радиальными лепестками, по периметру обжимного кольца выполнены цилиндрические посадочные гнезда в которых с возможностью фиксаций установлены радиальные лепестки.На фиг. 1 изображен предлагаемый радиатор в сборе с радиальными лепестками; на фиг. 2 - радиальный лепесток.Обжимное кольцо 1 выполнено иэ металлической ленты иэ медного29674 Ъ 5 10 15 202530354045 сплава с упругими свойствами в виде обжимного кольца с цилиндрическими гнездами 2, в которые вставляется необходимое количество радиальных цельнометаллических лепестков 3 с увеличенной площадью теплорассеивання, пределы упругости...

Номер патента: 1132267

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Уродов, Фишер

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: дефектов, локальных, обнаружения, образцах, объемных, полупроводниковых

...в корпус Отбракованцых приборов без их вскрытия.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ обнаружения локальных объемных дефектов в полупроводниковых образцах, включающий воздей. ствие на образец сфокусированного рентгенов. ского излучения, направленного в толщу об. разца, и контроль качества образца И.Недостатком этого способа является невоз. можцость осуществлять контроль локальпых объемных дефектов в полупроводниковых структурах и приборах.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей преимуществен- . но для контроля качества готовых полупроводн 5 псовь 5 х приборов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, обнаружения локальных объемных дефектов в...

Номер патента: 1053597

Опубликовано: 30.12.1984

Автор: Лошкарев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, электрофизических

...выполненного в виде двухвстречно включенных источников 1 и2 тока, образца 3 полупроводника,переменного резистора 4, первой схемы 5 деления, схемы 6 извлеченияквадратного корня, второй и третьейсхем 7 и 8 деления соответственно,регистраторов 9 и 10, подвижностии концентрации основных носителейзаряда соответственно и магнита 11.Устройство работает следующим образом.Источники тока 1 и 2 создают падения напряжения на образце 3 и переменном резисторе 4, противоположные по знаку. В отсутствие магнитного поля с помощью переменного резистора 4 в точке Я устанавливаетсянапряжение, равное нулю относительно общей шины. При этом падение напряжения Од на образце 3 и переменном резисторе 4 будет одинаковым повеличине. На регистратор 9...

Номер патента: 1133239

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Голосов, Грушов, Молочко, Раков, Соловей, Халымский, Шалимо

МПК: C03C 3/14

Метки: герметизации, корпусов, полупроводниковых, приборов, стекло

...корпусов полупроводниковых приборов, включающее, мас.%:РЪО 61-672 по 14-1713-16Б 7.071-3Мко 0,1-2А 1 г О,1-32 г 02 0,1-2 Указанное стекло также не может быть использовано для спаивания со сплавом 29 НК, так как КТР превышает 7910 7 град , кроме тйо, у него недостаточно высокие электроиэоляционные характеристики. и химическая стойкостьЦелью изобретения является снижение КТР и повышение химической стойкости. Эта цель достигается тем, чтостеклоф для герметизации корпусов полупроводниковых приборов, включающееОг ф В 7 О 2 пО А 17 О РЬО 2 гО 7дополнительно содержит чго при5 следующем соотношении компонентов,мас.Ъ:Б 7 Ог 3,64-7,34Нго 33,68-42,162 по 34,51-39 р 8310 А 1 гО 7 6,17-6,24РЬО 9,56-13,452 гог 0,02-0,750,03-2,22При составлении шихт...

Номер патента: 1136248

Опубликовано: 23.01.1985

Автор: Гитман

МПК: H02H 7/10

Метки: вентилей, защиты, полупроводниковых, тепловой

...а выход - с входом исполнительного элемента.Кроме того, датчик тепловой перегрузки содержит компаратор, ключ, усилитель и интегратор, причем один вход компаратора является входом датчика, другой вход соединен с выводом для подключения источника опорного напряжения, выход компаратора подключен к управляющему входу ключа, подключенного выходом к входу усилителя, соединенного выходом с входом интегратора, выход которого является выходом датчика тепловой перегрузки.На чертеже представлена функциональная схема предлагаемого устройства.Устройство для тепловой защиты вентилей многофаэного преобразователя 1 содержит установленный в соответствующей шине питания датчик 2 тока; выход которого присоединен к входу преобразователя...

Номер патента: 1136272

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Анкудинов, Грузов, Сердюков

МПК: H02M 1/08

Метки: импульсов, полупроводниковых, преобразователей, управляющих, формирователь

...усилителя, один иэ входов.которого через транзистор связан с 72 2общей точкой а управляющий электрод. транзистора подключен к источнику управляющего напряжения, оба входа операционного усилителя подключены через резисторы к выходу генератора модулирующей частоты, а транзистор подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема формирователя.формирователь содержит генератор 1 модулирующих импульсов с числом выходов, соответствующим количествуканалов управления, ключ 2 управления дифференциальный усилитель 3, резисторы 4-7, ключевой транзистор 8, промежуточный усилитель 9, коммутатор 10, выпрямитель 1.Выход генераторамодилирующих импульсов непосредственно соединен с . одним...

Номер патента: 1138768

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Габов, Карасев, Муртазин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, параметров, полупроводниковых, электрических

...и вторым входами сумматора 15, выход которого соединен с опорным входом второго цифроаналогового преобразователя (ЦА 11) 6, выход которого соединен с управляющим входом стабилизатора 17 тока, выход которого соединен с выходом блока 3 задания тока, выход генератора 14 переменного напряжения соединен с опорными входами первого цифроаналогового преобразователя 9 и фазовогр детектора 12, выход которого соединен с вторым входом блока 7 фиксации результатов, а сигнальный вход фазового детектора 12 соединен с выходом избирательного усилителя 11, вход которого соединен с выходом блока 1 О вычитания, первый вход которого соединен с выходом полосового фильтра 4, а второй вход с выхо- дом первого цифроаналогового преобразователя 9, цифровой...

Номер патента: 1140966

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Грапонов, Романов

МПК: B28D 1/14

Метки: алмазное, диэлектрических, отверстий, подложках, полупроводниковых, сверло

...Кроме того, низкая жесткостьобусловлена наличием зазоров между тонкостенными цилиндрами и отсутствием устройства, обеспечивающего надежное и плотное сжатие этих цилиндров по контактнойповерхности в радиальном направлении.Низкая жесткость режущей части сверла является причиной возникновения вибраций ипоявления сколов и трещин на кромкахобработанных отверстий, а также сниженияточности и качества обработки.Цель изобретения - расширение технологических возможностей сверла, повышениестойкости и улучшение качества обработки.Поставленная цель достигается тем, чтоалмазное сверло для обработки отверстийполупроводниковых и диэлектрических подложках, содержащее корпус с режущимиэлементами и механизмом крепления, режущий элемент выполнен в виде...

Номер патента: 630983

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Амазасиян, Горюнов, Саркисян

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, поверхности, полупроводниковых, приборов

...прибор 10, видеоусилитель 11сигнала Фотоответа,Устройство работает следующимобразом. Поляризованный свет от источника 1 направляется через электрооптическую ячейку 2 на сканирующее устройство 3. Последний формирует растр, который расщепителем 4светового луча расщепляется на двечасти: растр видеолуча и растр зондирующего луча. Первый из них проходит через поляризатор 5 и объективом 7 проецируется на экран 9,а второй - растр зондирующего лучаобъективом 8 фокусируется на поверхность исследуемого образца (поляризатор 6 не используется). Сигналфотоответа усиливается электроннымусилителем 11 и подается на электрооптическую ячейку, которая с поляризатором 5 составляет модуляторинтенсивности видеолуча. На экране9 Формируется...

Номер патента: 1149148

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Вилисов, Захарова, Медведев, Нечаев

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых

...индуктивный стержень, а на другой выполнено измерительное отверстие, в которое введен свободный конец индуктивного стержня, элементы свяструктуры, которая размещена навнешней поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием исоединена с введенным источникомпитания, при этом в светоизлучающейполупроводниковой плоской структуревыполнено отверстие, соосное с измерительным отверстием, а его диаметрравен диаметру измерительного отверс,ь:3 черте)Ре приведена конструкцияПатчика параметров полупроводниковых материалов.1149148 Составитель Р. КузнецоваРедактор О. Юрковецкая Техред С.Легеза Корректор И. Муска Заказ 1871/29 Тираж 897ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5...

Номер патента: 1161529

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Губа, Дмитриева, Захаров, Киризий, Либо, Огенко, Чуйко

МПК: C09G 1/02

Метки: полирования, полупроводниковых, состав

...в качестве соли аммония "углекислый, хлористый или фтористыйаммоний.Полученную композицию используют 25для полирования образцов арсенидагаллия,фосфида галлия, а также германия.Производительность процесса полирования оценивают по съему материалав единицу времени, степень чистотыполируемой поверхности определяютпутем измерения микронеровностейповерхности при помощи профилометрапрофилографа.П р и м е р 1. Готовили композицию состава, мас. :Золь двуокисикремния (силиказоль) 4,3Карбонат аммония 1,3Калий железосинеродистый 8,4Алкамон ОС(метил"метилдиэтиламмонийбензосульфонат) , 0,04 9 2Вола 85,96Композицию использовали для полировки поверхности образцов арсенида галлия, Скорость съема составляла 1,0-1,5 мкм/мин, микронеровности не привышали...

Номер патента: 1163126

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Красуцкий, Рудюк

МПК: F28F 3/04, H01L 23/46

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...о рф оф офоф р О,ф Р . Ооф 000 офр00 офрф 00000 Ффф Оо ф офф о 0Оф Рффрфр О 0000 ефф Оф о фо Фо0 0ффф ффр000 фф 0ОООфф оеф ф орфф фо Оффорфффф фррооф О 00000Ф 00000 Рофффофф 00 фрр0000000 О Офо ррррр Оф 00 орОО оф Оф Офф ф фро ф ф .Ор0 ф фф 0 г игЗ Риг г Составитель Ю. Карпенко Техред С.йовжий .Корректор В, Бутяга Редактор О.Юр Тираж 623 Государственного комитета елам изобретений и открытий осква, Ж, Раушская наб.о 4/ 13 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 1Изобретение относится к радиаторам для охлаждения полупроводниковых приборов и может быть использовано в электротехнике.Цель изобретения - интенсификациятеплообмена.На фиг, 1 изображен радиатор,поперечный разрез; на фиг. 2 - видА на фиг. 1: на фиг. 3 - узел 1 нафиг,...

Номер патента: 708877

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/306

Метки: активации, полупроводниковых, раствор, структур

...кислоты с рН 1-6, инертные к полупроводниковым материалам и их окислам, и фтористый аммоний при следующем соотношении ингредиентов, мас. 7; 1 10 -5.1 КОт 0,5 донасыщения Ионы золотаФтористый аммонийВода деиониОстальное эованная В растворе отсутствует свободная плавиковая кислота, благодаря чему степень воздействия его на защитные окислы незначительна. Скорость снятия атмосферного окисла с поверхности полупроводников легко регулируется количеством добавляемой кислоты, Поскольку каталитически активные центры на поверхности полупроводникового материала в процессе активации возникают при непосредственном (контактном) восстановлении ионов золота атомами полупроводника, использование окисляющих кислот нежелательно. Кислоты должны быть...

Номер патента: 1164636

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Баканов, Загинайлов, Кощей, Сатонин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, разбраковки

...содержит двепусковые 16 и 7 кнопки, четыре формирователя 18-21 импульсов, элемент 2 И 22, элемент 2 ИЛИ 23; КЯ-триггер 24, генератор 25, тактовый счет-чик 26, распределитель 27 импульсов, 30адресный счетчик 28, причем первыйвывод первой кнопки 16 соединен спервым входом элемента 2 И 22 черезпервый формирователь 18 импульсоввыход элемента 2 И 22 соединен с вхо5 дом адресного счетчика 28, выходкоторого подключен к первому выходу блока 5 управления, второй входэлемента 2 И 22 соединен с инверсным выходом КС-триггера, Б-вход 40которого соединен с первым выводомварой кнопки 17 через второй формирователь 19 импульсон, а К-вход -с выходом элемента 2 ИЛИ 23, который 45также подключен к К-входу тактовогосчетчика 26, первый вход элемента2 ИЛИ...

Номер патента: 1164637

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Аблязов, Бабич, Луханин

МПК: G01R 31/26

Метки: визуальной, индикации, полупроводниковых, приборов, характеристик

...коммутатор содержит делитель частоты, соединенный входом с входдм электронного коммутатора и с перным входом КВ-триггера, соединенного вторым входом с выхо Дом делителя частоты, выходом - с нходом линии задержки, соединенной первым, вторым, третьим, четвертым и пятым отводами соответственно. с первым, вторым, третьим, пятым и1 О шестым выходами электронного коммутатора, соединенного четвертым выходом с выходом четвертого элемента ИЛИ, соединенного первым и вторым входами с четвертым и пятым отвода ми линии задержки соответственно.На фиг, 1 приведена схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 схема электронного коммутатора; на фиг.3 - временные диаграммы работы 2 О устройства; на фиг4 - временные диаграммы работы электронного...