Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 574011

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Грибковский, Паращук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, ориентации, полупроводниковых

...импульсэлектрического поля в режиме возникновения стримеров, в кристалле измеряют углымежду стримерами и по измеренным значениям судят оо ориентации поверхностискола,574011 Подписно зд. Мо 15 Тираж 73 ПО Поиск Заказ 713 ография, пр. Сапунова,определению плоскость скола и укрепленному на стеклянной пластинке 3, через раз. рядный промежуток подводят высоковольтный импульс электрического поля. Образец и разрядный промежуток помещают в ди электрическую жидкость: трансформаторное масло, метилметакрилат или этиловый спирт.При амплитуде напряжения У)20 кВ в образце возникает сетка тонких (толщиной 10 4 - 8 мкм) нитевидных разрядов - стримеров, составляющих в приповерхностной области данного образца определенные углы между собой или с...

Номер патента: 929376

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Скоморохов, Соколов, Сологуб, Щепин

МПК: B23K 31/02

Метки: кристаллов, напайки, полупроводниковых, приборов

...прибора, после чего происходит пайка. После выхода рычага 3 в исходное положение. включается механизм перемещения корпусов б, который перемещает кассету с корпусами на шаг. Для повторения цикла в полуавтоматическом режиме необходимо нажать кнопку фПуск.В автоматическом режиме цикл повторяется непрерывно совмещение проекции кристалла с трафаретом производится оператором в момент присоединения кристалла.Изобретение позволяет разместитьрычаг с вакуумным захватом и кронштейн проектора в стороне от нагретого столика, тем самым исключить температурное воздействие на них,Формула изобретения ватом, механизм перемещения и подьема кристаллов размещены между механизмом установки кристаллов и механизмом подачи и нагрева корпусов, а в. рычаге...

Номер патента: 930434

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Батенев, Нечипоренко, Хабибулин

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, обрезки, полупроводниковых, приборов, рихтовки

...наверхней плоскости пуансона сзади его рабочих поверхностей.На ноже 14 установлена буферная пластина 15, передняя поверхность которой также выполнена по форме расположения выводов прибора и находится над верхней плос.костью пуансона впереди его рабочих поверхностей.Возвратно-поступательное перемещениеползуна 5 и пуансона 11 в направляющихплиты 2 осуществляется от рычажно-кулачкового привода 16.Устройство работает следующим образом,Транспортное устройство (не показано)подает в гнездо 3 полупроводниковый прибор 7, при этом выводы в месте их выхода из корпуса прибора ориентированы определенным образом относительно матрицы 6, ползунов 4 и 5 с матрицей 6 и пуансоном 11 разведены в крайние положения.В дальнейшем ползуны 4 и 5 с пуансоном...

Номер патента: 930787

Опубликовано: 23.05.1982

Автор: Домбровский

МПК: H05K 13/08

Метки: испытания, полупроводниковых, приборов

...наружной полу- муфты 7 (или находится в покое при вращении наружной полумуфты 7) в мо- Зз мент выхода из фрикционного зацепле- ния внутренней полумуфты 22 от наружной полумуфты 7.Устройство работает следующим образом. 46Включают блок питания нагревателей 19. Реостатом блока питания устанавливают нужную величину тока и напряжения нагрева (не показано). Затем включают привод 13 вращения 4 прижимного механизма 4. При включении привода 13 вращения обе полумуфты-наружная 7 и внутренняя 22 вращаются совместно с укрепленными к ним зле" ментами, так как внутренняя полумуфта 22 находится в зацеплении с наружной полумуфтой 7. При этом анодный контакт 27 не утоплен в полости направляющей 2 б,а находится в крайнем верхнем положении и выступает на 2-...

Номер патента: 934580

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Ершов, Лебедев, Храмов

МПК: H05K 13/02

Метки: пластин, подачи, полупроводниковых

...2, Выход фотодатчика соединен с механизмом 7вертикдльного перемещения вакуумного захвата 2, с механизмом 8 управления вакуумного клапана 3 и входомблока 9 управления. Выход блока 9управления подключен к механизму 10горизонтального перемещения вакуумного захвата 2, Отводящий лоток 4 снабжен узлом ориентации, представляющим собой наклонную плоскость 11,один конец которой закреплен на лотке 4, а другой - свободно опущен в лоток 4 с зазором по отношению к еговнутренней поверхности. Устройство работает следующим образом. Полупроводниковые пластины 12 по лотку 1 под действием вибрации хоатич.но транспортируются на позицию захвата. Источник 5 света освещает поверхность пластины 12. Вакуумный захват 2 начинает опускаться вниз вместе с...

Номер патента: 935835

Опубликовано: 15.06.1982

Автор: Файнберг

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вольт-амперных, импульсных, полупроводниковых, характеристик

...подсоединены ко входам стробоскопического осциллографа 5, коак"сиальную измерительную линию 6 за-.держки и исследуемый образец 7. Параллельно входам осциллографа 5 подсоединены две идентичные коаксиальные линии 8 и 9 задержки, нагружен 5 4ные на активные сопротивления 10 и11, а выходы осциллографа 5 подключены ко входам двухкоординатногосамописца 12. Вход синхронизации осциллографа 5 соединен с выходом генератора 1,Устройство работает следующим образом,Импульс от генератора 1 через линию 2 задержки поступает на входырезистивных зондов 3 и 4, где раз"деляется на три части. Первые два импульса через реэистивные зонды 3 и4 поступают на входы линий 8 и 9 задержки, а третий импульс подаетсянепосредственно на вход линии 6 за"держки....

Номер патента: 938216

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Масленников, Романов, Фельдман

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...нарастаниянапряжения сети, Напряжение на выходе источника2 напряжения, а следовательно, наиспытуемом приборе увеличивается.При достижении обратного тока илитока утечки через испытуемый приборщ 15 установленного предельного значения,с помощью блока 9 предельноготока срабатывает компаратор 6, навыходе которого формируется сигнал,поступающий в блок 7 управления.Сигнал с входа регулятора 1 напряжения снимается, регулятор 1 напряжения запирается, тем самым снимается напряжение с испытуемого прибора 15Одновременно с увеличением напряжения на испытуемом приборе 15, напряжение с делителя 3 с необходимымкоэффициентом запаса поступает навход расширителя 11 импульсов,а сего выхода, расширенный по длительности импульс поступает на...

Номер патента: 938219

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Беляков, Голубев, Грицевский, Груздев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, теплозащищенных, элементов

...Вп, =80 оС.Схема содержит резисторы 1 и 2, величина сопротивления каждого из ко. торых равна (1/2 Йп) - половине соб-. ственного теплового сопротивления терморегулятора, резистор 3 (Й) - контактное сопротивление терморегулятор-полупроводниковая структура, В.п - тепловое сопротивление, равное Йп, = 1/2 В., + В емкость 4, Сптеплоемкость термор.гуля 1 ора, резистор 5 и емкость 6 йт и Ст - тепловое сопротивление и теплоемкость полупроводниковой структуры, соответственно, Чт - мгновенный перегрев терморегулятора, Чп - мгновенный перегрев полупроводниковой структуры.1 В реальном теплозащищенном приборе выполняются следующие соотношения:й йт; СС,; "-т 1 где п - пк Сп а Тт = йт СтПусть в произвольный момент времени С = С; полупроводниковая...

Номер патента: 943128

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Густыньш, Зимникс, Канберга, Крейцберг, Сарканс

МПК: B65B 69/00

Метки: полупроводниковых, приборов, распаковки

...поверхность 4,.Количество вырезов А между зубьями 3определяется по формулее-а2 К+ -Хгде К - количество распакуемых приборов 5 в один ряд упаковки;а - число рядов,Причем устройство имеет контейнер 6 для распакованных приборов 5,Устройство работает следующим об"разом.Первый ряд полупроводниковых приборов 5 в упаковке вставляют в на943128 3чальные вырезы А опоры 2 так, чтобыверхняя часть приборов 5 находиласьнад опорой 2, а фланцы приборов 5 находились под опорой 2. Приведенный вдвижение прессом (не показан) толкатель 1 перемещается вниз и оказывает давление на верхнюю часть приборов 5, при этом упаковка приборов5 прижимается к краям вырезов А между зубьев 3, и приборы 5, опускаются 16в контейнер 6. Затем упаковку приборов 5 подают...

Номер патента: 555762

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Гавриленко, Загайтов, Кононенко, Кузовкин, Прохоров, Радомысленский, Шаповалов

МПК: H01L 21/18

Метки: германиевых, диодов, полупроводниковых, точечных

...германиевый кристалл,а чертеже изображен точечный германиевый диод, собранный по предлагаемому способу.Способ осуществляется следующим образомм.Для сборки держателя с кристаллом необходимы стеклянный баллон 1 с платиновым выводом 2, предварительно очищенный известными химическими способами для обеспечения смачивания вывода припоем, навеска 3 нз припойного сплава, никелевая прокладка 4, покрытая с двух сторон нанесенным гальваническим слоем припоя 5, кристалл 6, изготовленный из германия гг-типа. Детали помещаются в конвейерную печь, где в нейтральной среде при 400 - 500 С кристалл припаивается к никелевой прокладке, а никелевая навеска - к платиновому выводу После этого555762 Формула изобретения Редактор О. Филиппова Корректор А....

Номер патента: 945929

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Караськов, Кузнецов

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...либо уменьшая передачу тепла в окружающую среду, 5Устройство работает следующим .образом,Тепло, поступающее от полупроводникового прибора, закрепленногона пластине, через корпус полупроводникового прибора передается на пластину, на биметаллическое основание,затем через него - на ребра с последующим рассеиванием тепла в окружающую среду. Биметаллическое основание, имеющее тепловой контактс пластиной, под действием полученного тепла изгибается, и зазоры междуребрами, установленными на слое сбольшим коэффициент м линейного рас- роширения, увеличивается, Чем большенагрев, тем больше изгиб и зазорымежду реЬрами, дающие возможностьпройти большему ко,ичеству хладагента. Отбор тепла от устройства уве-. 25личивается.При уменьшении...

Номер патента: 947645

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Бахтин, Гибадулин, Кузнецов, Пантуев

МПК: G01B 21/08

Метки: пленок, полупроводниковых, толщины

...и 11 и нычитающего блока 12. Выходы первой половины разрядов регистра 9 сдвига соединены с сумматором 10, выходы второй половины разрядон регистра 9 сдвига - с сумматором 11. Выходы сумматоров 10 и 11 соединены с вычитающим блоком 12Устройство работает следующим образом.При сканировании спектра излучения с помощью блока 3 сканирования, приводящего в движение диспергирующий элемент монохроматора 1, излучение,отраженное от измеряемой пленки, помещенной на приставку 2,модулируется по интенсивности н соот. ветствии с условиями интерференцииизлучения н тонких пленках, Модулированное излучение поступает в приемник 4 лучистой энергии, где преобразуется в электрический сигналинтерференции. Сигнал интерференциипоступает на гход преобразователя5...

Номер патента: 947791

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Дроздов, Патрин, Подольный, Савотин

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: неразрушающего, полупроводниковых, структур

...контроли руемой структуры.Функциональная схема устройства приведена на чертеже.Устройство содержит источник 1 света, луч которого проходит через 35 оптический модулятор 2, блок 3 управления, отклонякщую призму 4 с объективом 5, которые синхронно перемещаются по горизонтали механизмом б перемещения, электролитическую 4 О кювету 7, состоящую из прозрачного стекла 8 с нанесенным на него электродом 9 съема Фото-ЭДС в виде сетки и заполненного электролитом 10 корпуса 11, в котором Фиксируется 45 контролируемая структура 12. Кювета 7 перемещается механизмом .б в вертикальном направлении. Синхродетектор 13 подключен к структуре 12 клеммой 14 и к электрОду съема Фото-ЭДС- клеммой 15, блок 16 регистрации, клем му 17 дПускдУстройство...

Номер патента: 949540

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Ахманаев, Медведев, Петров, Туркин, Ураевский

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых, электрофизических

...к внутренней поверхноститорцовой стенки, при этом ось индуктивного штыря 4 смещена относительноцентра отверстия 3.Датчик работает следующим образом.Исследуеьый полупроводник 5 располагается над отверстием 3 и тем самым осуществляется ее включение вкраевое сверхвысокочастотное (СВЧ)электрическое поле резонатора 1.Пространственное разрешение датчикаопределяется геометрическими размерами области локализации СВЧ элекЗаказ 5740/33 Тираж 717 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 ефилиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 трического поля резонатора 1. Смещение центра торца штыря 4 относительно центра отверстия 3 приводит к тому, что СВЧ поле...

Номер патента: 950600

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Грешнов, Меркушин, Савинов

МПК: B65B 15/04

Метки: выводами, односторонними, полупроводниковых, упаковки

...кассеты 20 на шаг (фиг.1 и 2), пружину 41 возврата кассеты в исходное положение.Устройство работает следующим образом.Полная выгрузка приборов из технологической кассеты и укладка их на ленту осуществляется в два приема.Групповая кассета 20 с приборами 7 устанавливается на основание 19 каретки 8, которая, получая движение от электродвигателя 10 через клиноременную передачу 11, редуктор 12, распределительный вал 13, кулачок 14, рычажную систему 15, перемещает ее в зону укладки. Половина приборов 7 (через один), находящихся в кассете 20, своими головками попадают в углубления в зубьев 23 пластины 22. Головки другой половины приборов располагаются по оси симметрии ориентирующих каналов О этой же пластины 22 (фиг.З) .Планка 27 механизма 2...

Номер патента: 951198

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Ромейков, Семушкина

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходах, полупроводниковых, р-п

...Кроме того, укаэанный способ не позволяет проводить измерения времени жизни Ф неосновных носителей заряда при вы- . соких уровнях инжекции, так как прибольших активных токах погрешностьизмерения емкости известными способами становится очень велика.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах, основанный на использовании зависимости переходныххарактеристик от этого времени и заключающийся в том, что по осциллографуустанавливают нулевую длительностьвершины импульса обратного тока и 15 измеряют сопротивление цепи в прямомили обратном направлениях, по которому определяют искомое время жизни 23. 20Недостатками известного...

Номер патента: 951200

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Астахов, Шадрин

МПК: G01R 31/26

Метки: визуального, диодов, полупроводниковых, характеристик

...5 и б.Сплошной линией изображены диаграммы, соответствующие годному диоду, у которого напряжение лавинногопробоя при заданном уровне обратного тока, задаваемого с помощью дискриминатора б, больше нормы, задаваемой с помощью дискриминатора 5, Бракованному диоду соответствуют диаграммы (фиг.2 б,г), изображенные пунктирной линией.Обратная ветвь ВАХ исследуемого диода 4, наблюдаемая на экране осциллографа 2, представлена на фиг.З. Кривая 10 соответствует диоду, годному по напряжению лавинного пробоя при заданном уровне обратного тока Зд . Свидетельствует об этом яркостная метка на ВАХ диода, соответствующая току Лб . Кривая 11 соответствует бракованному диоду (метка отсутствует), Напряжение является порогом...

Номер патента: 951485

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Новолаев, Серебрянников, Титенков, Фрумкин

МПК: H01L 21/66

Метки: автомат, классификации, полупроводниковых, приборов

...с профильным кольцом 6, аксиально закрепленным на транспортирующем роторе 7, ограничительной скобы 8 с регулируемыми упорами 9 и10, контактного механизма 11, рычага12, торцового кулака 13, привода 14, электродвигателя 15. Разгрузочное устройство включает в себя электромагнит16, тягу 17 и откидывающую площадку18. Магазин 19 имеет четырнадцать емкостей для рассортированных приборов,Автомат работает сждующим образом,Из вибробункера 1 сориентированные приборы поступают в загрузочный лоток 2. Лоток 2 закреплен на оси 3 и через ролик 5 подпружиненного рычага 4 находится в контакте с профильным кольцом 6, При совмещении лотка 2 с гнездом в роторе 7, подпружиненный ролик 5 скатывается в паз кольца 6 и увлекает лоток 2 в направлении,...

Номер патента: 952619

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Вилков, Елизаров, Зимицкий, Чигринский, Шуваев

МПК: B28D 1/18

Метки: пластин, полупроводниковых, резки

...19 с зазором установленыцилиндрические штанги 21, концы которых жестко закреплены в корпусе. 30Большее основание вакуумного стола 5 имеет постоянные магниты 22.Устройство работает следующим образом.Перед началом обработки, узел 6 сов 3 Фмещения настраивают относительнолинии реза, чля чего на вакуумномстоле 5 закрепляют пробную пластину и надрезают ее. Затем визирнуюлинию оптического устройства сов Омешают с линией реза. В дальнейшемвизирная линия служит базой приориентации рабочих пластин. Рабочуюпластину 23 закрепляют совместно сметаллическим кольцом 24 на адгези-онной пленке 25 и устанавливаютна вакуумном столе. При этом металлическое кольцо притягивается к магнитам 22 и пленка облегает конус стола.В этом случае алмазный круг...

Номер патента: 414925

Опубликовано: 30.08.1982

Автор: Винецкий

МПК: H01L 21/263

Метки: полупроводниковых, структур

...оси Х образца. Кристалл облучается высокоэнсргстцчсскими квантами (Х, у-сучи), либо электронами высоких энергий; возможно также облучение протонами, нейтронами и другими видами ядерного излучения с энергией, достаточной для образования в образце радиационных дефектов.Вид и энергию радиации и условия облучения (температуру) выбирают таким образом, чтобы образующиеся в результате облучения радиационпые дефекты представляли собой электрически активпыс центры, противоположные по сравнению с легирующей примесью, - доноры в образцах р-типа или акцепторы в и-типе. Доза облучения должна быть такой, чтобы концентрация введенных радиацией доноров в р-(акцепторов в п-) образце оказалась между минимумом и максимумом концентрации легирующей...

Номер патента: 957321

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Белоусов, Бурмистров

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, подложек, полупроводниковых

...и снабжены размещенными в них графитовыми стержнями 6 с диэлектрическими вкладышами 7, а в каждом графитовом стержне 6 выполнены пазы 8, совмещенные с пазами 3 и 4 каждого диэлектрического стержня, при этом диэлектрические вкладыши 7. одного графитового стержня размещены в каждом четном его пазу, а другого графитового стержня - и ка.кдом нечетном его пазу. Вкладыши 7 фик ируются в диэлектрическом стержне спомощью отверстия 9. В торцах графитовых стержней 6 предусмотрены резьбовые отвсрсгия (нс показаны) для крепления .оковедущих шин от внешнего источника 1 итания.Таки м образом, четные подложки 5, размсщенные в кассете, будут иметь:-лектричсский контакт с одним графитовым стержнем, а нечетные подложки - с другим. Набор гюдложек 5 в...

Номер патента: 957376

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Анкундинов, Грузов

МПК: H02M 1/08

Метки: импульсов, полупроводниковых, преобразователей, управляющих, формирователь

...9с обратной связью.Формирователь работает следующимобразом, 20Генератор 1 модулирующих импульсовработает на стабилизированной повышен.ной частоте Ги 7 (15-20)Гп, где гпцастота формируемых на выходе устройства импульсов, Однополярные импульсы с выходов генератора подаются навход элемента И 2 каждого канала,на другой вход которого поступают управляющие импульсы О от источникауправляющего напряжения, Одновременно управляющие импульсы поступаютна один из входов ключа 3 управления,на другой вход которого подаютсяимпульсы генератора, промодулированные по частоте следования управляю 35щих импульсов в элементе И. Ключ 3преобразует импульсы управления вдвухполярные импульсы, модулированные частотой генератора, и подает ихна вход...

Номер патента: 960672

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Баринов, Романов, Щепетов

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, классификации, полупроводниковых

...измерительную позицию, которая служит дляполучения информации о положении диодаС приходом диоца 15 на первую измерительную позицию (клеммы 17 - 20)по команде, идущей. от схем 2 управле-ния, с выхода генератора 1 импульсов нана клемму 17 поступает первый положительный импульс опроса, который приналичии контактирования диода 15 склеммами 17 - 20 проходит на все 4входа логической схемы И 3 и выделяется на ее входных сопротивлениях (непоказаны). Это вызывает появление навыходе логической схемы И 3 импульса,управляющего работой схемы 4 ориентации и схемы 5 переключения,В случае, когда диод оказываетсявключенным в обратном направлении(диод. 6), то при наличии контактырования диода 16, с клеммами 17 - 20 второй положительный импульс спроса с...

Номер патента: 960744

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Барабанщиков, Булаев, Жуков, Степкин, Якимов

МПК: G05B 23/02

Метки: полупроводниковых, узлов

...18 и реверсивный счетчик 19 не проходят. Кроме того, в исходном состоянии с прямого выхода триггера 14 запрещается работа усилителя 7, и поэтому перемещения по оси Х(У) не происходитВ случае, если время отработки шага перемещения по оси Х(У) больше времени опускания зондовых головок (длительности отрицательного импульса), работа далее будет происходить следующим образом. По окончании дей-. ствия отрицательного импульса с Формирователя 9 сигналов. задержки ( задний Фронт импульса) на измеритель 3 поступает сигнал начала измерения и снимается запрет с логического эле25 мента И 17, чем обеспечивается прохождение импульсов стабильной частоты на счетчик-регистр 18. Поступление импульсов на счетчик-регистр 18 и распределитель 12...

Номер патента: 961901

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Колычев, Щепин

МПК: B23K 20/10

Метки: внутренних, выводов, инструмент, интегральных, полупроводниковых, приборов, присоединения, схем

...цель достигается тем,что в инструменте, содержащем стер жень, имеющий продольную канавку нарабочем торце и боковое капиллярноеотверстие для подачи привариваемойпроволоки, боковое капиллярное отверстие выполнено овальным, при З 0 этом длина большей оси овала равна(2-3) й, а длина меньшей оси овала равна (1,2-1,4)с 1, где д - диаметр привариваемой проволоки.На Фиг. 1 и 2 показан инструмент в двух проекциях; на фиг. 3 - узел 1 на Фиг. 2; на фиг. 4 - сечение по 5 А-А, на Фиг. 3.Инструмент состоит из цилиндрического стержня 1, на конусном, торце которого имеется рабочая площадка 2 с пазом 3 и боковое капиллярное отвер стие 4.Работа инструмента осуществляетсяФ ледтющим образом,Проволоку пропускают через боковое капиллярное отверстие 4...

Номер патента: 964555

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Митус, Петручук, Спиридонов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: камера, параметров, полупроводниковых, приборов

...варактора с переносом и инжекциейпостоянное смещение и измерительныйСВЧсигнал) .20 Изменением частоты СВЧ-сигнала илисмещения на измеряемом образце устанавливается резонанс последовательногоконтура по минимуму мощности, проходящей через камеру. В этом, случае послее 25 довательное эквивалентное сопротивление5, образца В равно ческую пластину, при этом одни концыдвух проводящих полосок отделены зазорами от противоположных сторон контактной площадки, а другие их концьгконтактируют с внутренними проводниками коаксиального разъема и отрезка коаксиальной линии соответственно, третьпроводящая полоска одним концом соединена с контактной площадкой, а другимконтактирует с внешним проводникомотрезка коаксиальной линии,На чертеже...

Номер патента: 964556

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Гохт, Зеевалд, Крюгер

МПК: G01R 1/00, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: иглоноситель, микросхем, полупроводниковых

...множества одинаковых изогнутых остриев игл, чтобы игла была образована заменяемо с повторным применением всех остальных частей иглоносителя,без демонтажа последнего,и чтобыпри смене иглы плоскость, образованная иглой и изогнутыи острием иглы,располагалась перпенд)лкулярно к верхней поверхности полупроводниковоймикросхемы.Иглоноситель для проверки полупроводниковых микросхем на полупроводниковой подложке,ииеющий )1 глу с пригодныи для контактирования с кон -тактной площадкой иэогнутыи острием,состоит из корпуса, припаянного однимприсоединительны)л концо)л к карте дляигл.Игла иглоносителя ииеет на стороне, поотивоположной изогнутому острию, отогнутый под угло)л), предпочтительно вертикально, конец, причем этот конец иглы вводится в...

Номер патента: 966011

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Матат, Мизецкая, Павлова, Пилипенко

МПК: C01G 5/00

Метки: кинетического, материалах, полупроводниковых, серебра

...никовых материалах беэ предварительного отделения.Предел обнаружения серебра составляет 5 .10 мкг/мл, относительная ошибка определения 2-9.Определению серебра не мешают 1000-кратные количества кадмия, маг.ния, селена, теллура, 100-кратные меди (И), свинца (П), марганца (И), 10-кратные - цинка (И), кобальта (П) и эквивалентные - железа (И)и ртути (И).П р и м е р 1. В три отростка. ,кварцевого смесителя вносят реаги рующие компоненты: в первый 4,5 мл 0,1 М раствора персульфата калия, во второй - 0,2 мл 1,3 10 3 М раствора антипирин-аэо-оксихинолина и в третий - 2,3 мл 10М раствора 40 азотной кислоты, 2 мл 10М раствора с а-дипиридила 1 мл анализируемого раствора доводят рН до 2,8 и добавляют бидистиллят до общего объема 10 мл. Содержимое...

Номер патента: 774476

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Аверкиева, Грехов, Костина, Прочухан, Семчинова

МПК: H01L 21/363

Метки: полупроводниковых, структур

...95 мг фосфора, Ампулу вакуумируют, запаивают и помещают в печь, позволяющую на определенном этапе отжига создавать градиент температуры, Ампулу нагревают в изотермических условиях до 1000 С, выдерживают при этой температуре в течение 1 ч, проводят охлаждение в режиме выключенной печи до 450 С, а затем продолжая охлаждение, создают градиент температуры 10"/см с таким расчетом, чтобы кремниевая пластинка и тигель находились в более горячей зоне, а остаточный фосфор отгоняли в более холодную зону.Установлено, что при этом на поверхности кремниевой пластинки с исходным дырочным типом проводимости (р 20 ом см) образуется слой с электронным типом проводимости, Исследования на микрорентге 10 15 0 25 30 35 40 45 новском анализаторе позволили...

Номер патента: 972421

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Подольный, Телегин

МПК: H01L 21/66

Метки: неразрушающего, полупроводниковых, структур

...оконтролируемом параметре. заключена вплощади части гистрограммы, заключенноймеждУ каналами Х 1 и Мк, позволЯет заменить сложный многоканальный анализатор с нижним порОгом .)пн, соответствующим каналу Я 1, и верхним порогом )вв,соответствующим каналу Ы, и верхвимпорогом Цщ, соответствующим каналу М(фиг. 2),Устройство содержит источник 1 света,луч которого проходит через блок 2 сканирования и фокусировки, электролитическуюкювету 3 с погруженным в электролитконтролируемым образом, усилитель 4, квыходу которого подключен анализатор 5,устройство 6 регистрации и КЯ-триггер 7.Анализатор 5 содержит компаратор 8 верхнего порога, компаратор 9 нижнего порога,схему 10 антисовпадений и ключ 11,Устройство работает следующим образом.При оптическом...