Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 1167673

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Бичев, Туркин, Ураевский, Шиллеров

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, укладки

...через патрубок 7 с системой подачи сжатого газа.Устройство работает следующим образом. В рабочую камеру 6 через патрубок 7 подают сжатый газ, который, проходя через отверстия-сопла 2, натягивает нити 3, придавая им определенную жесткость, зависящую от величины рабочего давления. Сверху в пространство, ограниченное внут. ренней стенкой 1 устройства, сбрасывается полупроводниковая пластина 8, края которой опираются на ленты 3, армирующие воздушные струи и в силу своей упругости амортизирующие улар при падении пластины, которая затем, преодолевая под действием своего веса жесткость симметрично расположен. пых в горизонтальной плоскости ряда лент, замедленно опускается плоскостью в нижнюю часть устройства без удара при соприкосновении с...

Номер патента: 1167674

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Домбровский

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...сборку крышки с электродом, а затем осуществить конечную герметизацию (самогерметизацию) корпуса прибора (перфорированной прокладкой и прокладкой, расположенной на наружном диаметре кольцевого буртика электрода) при определенной температуре. Сборку корпуса полупроводникового прибора по первому варианту (фиг. 1) осуществляют следующим образом.На площадку 13 электрода 1 крепят полупроводниковую структуру 14 с выводом 15. Затем в кольцевой паз 1 электрода 1 помещают охлажденное до температуры близкой к температуре жидкого азота нижнюю перфорированную прокладку 8 кольцеобразного держателя 5. После этого крышку 3 перетяжкой 10 помещают в кольцевой паз 11 электрода 1, в образовавшийся кольцевой зазор между наружным диаметром...

Номер патента: 1170530

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Панков, Потапов, Смирнов

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов

...за габариты полупроводникового прибора. На чертеже изображена кассета (фрагмент) с установленным в ее гнезде герметизируемым полупроводниковым прибором.Кассета содержит корпус 1 и прозрачную крышку-прижим 2. В корпусе 1 кассеты выполнены гнезда 3 в виде направляющих каналов для размещения полупроводниковых приборов 4, а в крышке-прижиме 2 выполнены гнезда 5 для размещения крышек 6 полупроводниковых приборов 4. Работа с кассетой осуществляется следующим образом. Полупроводниковые приборы 4 с установленными на них крышками 6 с припоем размещают в гнездах 3 корпуса 1 кассеты и прижимают крышкой-прижимом 2. При 5 этом крышки 6 полупроводниковых приборов 4 размещаются в гнездах 5 крышки-при, жима 2. Затем производят нагрев крышки 6...

Номер патента: 671605

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Болотов, Васильев, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых

...контролируемого материала, после чего снова из-. меряют основные параметры и производят сравнение с первоначальными измерениями. Суть способа заключается в том, что облучение полупроводников, выращенных в условиях достаточно медленного охлаждения, создает комплексы дефектов, изменяющих характеристики кристаллов. Последующий нагрев6716 10 Для контроля качества слитков полупроводниковых материалов проводятся следующие операции. Изготавливаются образцы из каждого слитка партии. После обработки поверхности (шлифовки, полировки, травления) на образцах измеряется какая-либо характеристика (время жизни неравновесных носителей зарядаконцент" рация основных. носителей заряда, и при температуре полного отжига разрушает дефектные ассоциации и...

Номер патента: 1157947

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Бабак, Кильчицкая, Стриха

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, контактов, невыпрямляющих, полупроводниковых, структурах

...полупроводника 3 ведет при условии Ы 1 к генерации электроннодырочных пар в объеме полупроводника по всей глубине проникновения излучения вплоть до контролируемого контакта. В области 4, а также в области 2 при наличии в ней потенциального барьера может происходить разведение фотогенерированных носителей электрическими полями потенциальных барьеров, что регистрируется как пульсирующий фототок посредством наблюдения в точке 13 падения переменного напряжения на нагрузке 9 независимо от темнового тока через структуру, который пропорционален постоянной составляющей напряжения на нагрузке 9 в точке 14.Величина и направление фототока для случая слабопоглощаемого света зависят от собирания генерированных светом носителей заряда, т.е. от...

Номер патента: 1185199

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Водотовка, Кадочников, Скрипник

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектрических, измеритель, полупроводниковых, толщины

...- скорость распространения СВЧколебаний в свободном пространстве.Принятый приемной антенной 3 сиг нал поступает на вход балансного смесителя 5, на второй вход которого по-, ступает сигнал частоты Е от регулируе1экоторые вьщеляются первым и вторым фильтрами 9, 10 нижних частот.При указанном состоянии двухпозиционного управляемого переключателя 11 сигнал разностной частоты 2 с выхода первого фильтра 9 через линию задержки 12 и первый амплитудный ограничитель 13 поступает на один вход фазового детектора 15 с фаэовым сдвигом(2) дУ= 27 Ео где й - время задержки линии задержки 12;Г - текущее значение разностнойчастоты. Ра другой вход фазового детектора 15 сигнал раэностной частоты поступает непосредственно с выхода первого фильтра 9 через...

Номер патента: 1190315

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Гореленок, Мамутин, Полянская, Приходько, Рождественский, Шмарцев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: двумерной, диагностики, материалах, полупроводниковых, проводимости

...вектора СВЧ-шумового сигнала. При этом используют специальное приспособление для измерения СВЧ-шума, в котором образец размещается над сильно излучающей четвертьволновой щелью.При переводе образца в низкоомное состояние в последнем возникает эффект локализации тока по какому-то 1 определенному направлению, т.е. появляется шнур тока.Экспериментально было установлено,что наличие двумерной проводимостиприводит к таким ограничениям на расширение шнура тока, что зависимость/температуры шума от тока, измеренная при ориентации плоскости образца, совпадающей с направлением10 вектора СВЧ-шумового сигнала, отличается от той же зависимости, снятой при ориентации образца в плоскости ортогональной вышеуказанной.Возможен также перевод образца...

Номер патента: 1191806

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Галушка, Орехов

МПК: G01N 27/02

Метки: полупроводниковых, чувствительных, элементов

...стравливания дгс 14 узионого слоя до Гопуче -ния косцеп рации примеси цл поверхности сд кдого сЭ, обеспечвлюцей зад;денную чувствительность 1 избирси 0;ь -ность к окиспитепям л цосстлцоц:гге СООСВЕССТВС 10.Прмесь по глубие ди 11)уси(110 го слоя попупроводсппсл рлспредепецл цо нио условий травления. Поэтому для выхода на требуемую глубину с соответствующей концентрацией примеси необходим контропьповерхцостцого сопротивления после стравливания,чтобы вести дальнейшие коррекии по времени и скорости следующего ккпа трлцпеция.Таким образом, применение одного или нескольких циклов стравливания диффузионного слоя с последующим после стравливания контролем позерхцостцого сосротивпеция слоя по по- учепЯ требуемой концентрации примеси цд...

Номер патента: 1042541

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Андреев, Егоров, Лантратов, Ларионов, Румянцев, Сулима, Федорова

МПК: H01L 31/06

Метки: полупроводниковых, фотопреобразователей

...величиной приложенного напряжения и временем, необходимым для прекращения протекания тока между структурой и электролитом. Экспериментально найденное значение времени составпяет 5-10 мин.М 50Следующая операция - создание полосковых окон в окисной пленке. Обычно эта операция осуществляется методом фотолитографии, так как ширинаполосковых окон устанавливается в интервале 5-30 мкм. Полосковые окна задают конфигурацию токоотводящих контактов и обеспе4110425чивают при такой форме надежность кон".тактов при малом контактном сопротивлении. Другая геометрия контактов,например точечные контакты, приводитк увеличению контактного сопротивления и усложнению способа, так как ккаждому локальному контакту необходи"мо в этом случае изготавливать...

Номер патента: 1010997

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Андреев, Сулима

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, повышенными, полупроводниковых, структурах, токами, утечки

...меньшей напряжения отсечки до величины большей напряжения отсечки.Ограничение Оп с Оц обеспечивает стабильность пленки анодного окисла в процессе электрохимического осаждения металла, так как,пленка 3 . 101099 направлении, при котором ток через -11-переход течет только в местах дефектов 4 с повышенной утечкой тока, Силовые линии тока показаны .штриховыми линиями. 5Приведем обозначения величин напряжений, используемых в описании: 0 - напряжение при анодном окислеЦнии 0 - напряжение при электрохиф. ммическом осажцении металла, 0-, напряжение пробоя-Ь-перехода, 0 напряжение отсечки-Ь-перехода.Напряжение Ц 1, прикладываемое к электродам 7 и 8, падает в основном на-Ь-переходе в местах, 15 свободных от утечек. Для того, чтобы не...

Номер патента: 1196784

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Пузин, Хорунжий

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, емкости, исследования, полупроводниковых, процессов, релаксации

...постоянного напряжения. Измеритель 1 емкости выполнен в виде измерительного контура 12 и 2 Т моста 13, вход которого соединен свыходом измерительного контура 12,первый вход которого соединен с первым входом измерителя 1 емкости, авторой вход измерительного контура12 соединен с вторым входом измерителя 1 емкости. При этом измерительный контур 12 выполнен в виде .пере 15 20 менного измерительного конденсатора 14, параллельно которому подключены последовательно соединенные индуктивность 15 и конденсатор 16, точка соединения которых подключена к второму входу измерительного контура 1, а точка соединения конденсаторов 14 и 16 контура подключена к общей шине, с которой также соединена вторая клемма 4 для подключения исследуемого...

Номер патента: 860650

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Колчанова, Сметанникова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66, H01L 37/00

Метки: коэффициента, кристаллах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эттингсгаузена

...область температуре 2эо 1 с)де ОпрстРлениР РГО изклассического термомагнитцого эффекта принципиллено невозможно,551;ель дости.лется те.(, что берутматериал, кое(цент рация рдгцг)геснеехносителей тока е;кгтсрсм гдов)етВоряет услое)ию:(2)р, огреву электроцнс(го гдзд по тсмперятуры Те, грев(,юцей темпрятуру решетки т цд величицу зтохлажпают его по температуры с(,2 -150 К, а градиент температуры соз -дают путем освещения кристалла сц( -том иобласти собс твенного ног оше -Ония, энергия которого 1. уговлетвс -ряет условию2 0сА) 3 ;,1(с,(о " Яо(3)где С - ширицд здпрешеццой эоны15по.ТуГ ро 30; (с кдсс - энер гия процольцого оптиоческ ого фотона Б Го:упреввслцике,Г - заряп электрона,2 г,Г(1 - эффективная масса рдвс(цсного цоситечя тока;и -...

Номер патента: 723986

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Белов, Кондратьева, Эрлих, Юшков

МПК: H01L 21/20

Метки: полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

...описанием примера его осуществления.П р и м е р 1, Проводят обработку слитка кремния (ЭКЭС,01-86) диаметром 40 мм до резки последнего на пластины. Слиток разрезают на три части (а, б, в). Боковая поверхность слитка (части а) шлифуется на круглошлифовальном станке алмазным инструментом с номинальным размером зерна 40 мкм (нарушенный слой 20-25 мкм). Часть слитка б подвергают травлению в полирующем травителе типа СРдля удаления нарушенного слоя. Часть слитка в (ростовая поверхность слитка) шлифуют алмазным абразивом с номинальным размером зерна 10 мкм, Затем по известной технологии изготавливают пластины кремния толщиной 250 мкм, ориентации (11 1)2, Процесс эпитаксиального наращивания осуществляют методом восстановления четырех-...

Номер патента: 1061591

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...составит не более 3 ч.Целью изобретения является увеличение надежности и быстродействияустройства.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее шины для подключения исследуемой структуры, к одной из которых присоединен источникобратного смещения, а к другой -параллельный колебательный контури входы фильтров первой и второйгармоник сигнала, фильтр первойгармоники выполнен в виде последовательно включенных селективного усилителя, детектора и дифференциального усилителя, второй вход которого соединен с источником опорногонапряжения, фильтр второй гармоникивыполнен в виде последовательновключенных селективного усилителя,детектора и фазового детектора, выход фильтра первой гармоники соединен с управляющим входом...

Номер патента: 1061658

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Волков, Липко, Царенков

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, растворов, твердых

...чтодля прямоэонных полупроводников вслучае примеси, создающей водородоподобные центры,- 10 / М, а оо , для концентрации легирующейпримеси получаем соотношение М10 /ь,Концентрация легирующей примеси естественным образом ограничена сверхузначением М соответствующим предельной растворимости вводимой примеси. Создание ч Е в условиях фотонного переноса приводит к возникновению фотонного дрейфа ННЗ, направНаиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ получения полупроводниковых твердых растворов для силовых диодов и солнечных элементов, на основе по крайней мере двух полупроводниковых соединений, образующих непрерывный ряд твердых растворов, включающий управление градиентом ширины...

Номер патента: 1211668

Опубликовано: 15.02.1986

Автор: Орлов

МПК: G01R 27/04

Метки: параметров, полупроводниковых, элементов

...содержит коаксиальный резонатор 1, подвижный короткозамыкающий поршень 2, 15 элементы .3 и 4 связи с источником регулируемых по частоте СВЧ колебаний и индикатором, соответственно, источник 5 постоянного напряжения.Известным способом, например с помощью измерителя полных проводимостей, измеряют суммарную емкость Сполупроводникового элемента 6 при выбранном ранее постоянном напряжении, которая является суммой двух 25 емкостей: барьерной емкости перехода С, и емкости;между выводами С,С= С,+С (1) Затем исследуемый полупроводнико-вый элемент 6 подключают к коаксиальному резонатору 1, при этом коллекторный или эммитерный вывод СВЧ-транзистора соединяют с внутренним проводником коаксиального резонатора 1, а вывод базы - с наруж- З 5 ным...

Номер патента: 1211675

Опубликовано: 15.02.1986

Автор: Базелянский

МПК: G01R 31/26, G01R 31/27

Метки: замыканий, коротких, обнаружения, обрывов, полупроводниковых, приборах

...замыканий постоянное напряжение на выходе ФНЧ меньше номинального значения 0, которое равно0,319 О, для диода и 0,638 О длядиодной матрицы, где 0 и 0 - амплитуды напряжения соответственно напервой и второй обмотках сетевоготрансформатора 7. Эти обмотки выполнены так, чтобы при исправномдиоде 9 или диодной матрице 14напряжения на выходе ФНЧ 19 былиодинаковыми. Переключатель 18 позволяет переключать входы блоков3 и 4 с первого на второй резисторы,что обеспечивает возможность контроля одновременно установленныхв блоке проверяемых диода 9 и диодной матрицы 14.Наличие постоянных кратковременных замыканий или обрывов в диодеприводит к отсутствию напряженияна выходе ФНЧ 19 дпя диода. При проверке мостовой диодной матрицы 14 с постоянными...

Номер патента: 1213443

Опубликовано: 23.02.1986

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов

...21. 30Устройство для контроля полупро-, водниковых приборов работает следующим образом.Перед началом работы включается питание, при этом с выходов генератора 2 формируются прямоугольные импульсы со скважностью, отличной от 0,5 в противофазе фиг.4 а), т.е. если на одном выходе потенциал равен нулю, то на другом высокий потенциал.Длительность Т импульса на одном выходе значительно больше длительности Т на другом выходе. Частота генерации выбирается в преде лах возможности глаза человека отличить гашение и зажигание светодиода элемента 3 индикации.Щупами 1 и 4 прикасаются к выводам контролируемого элемента, например диода. При этом в зависимости отсостояния полупроводникового диода светодиод будет иметь четыре различных состояния.1....

Номер патента: 1132685

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Файнберг

МПК: G01R 27/00, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: вольтамперных, импульсных, полупроводниковых, характеристик

...будет при НЕ. В этом случае будет низкой точность измерения импульсов "тока".Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для измерения импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов, содержащее последовательно соединенные генератор импульсов, и измерительную линию задержки с введенным в нее реэистивным зондом, выход которого подключен к входу осциллографа. Устройство позволяет измерять импульсы ВАХ преимущественно в наносекундном диапазоне по измерениям падающего и отраженного от образца импульсов, Из .величин этих импульсов с помощью простых математических преобразований получают напряжение и ток на образце. Проводя такую обработку для различных ампли. туд падающих импульсов, получают...

Номер патента: 1220030

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/68

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...и кулачки-эксцентрики 12,взаимодействующие с подпружиненными двуплечими рычагами 6, На одном плече двуплечего рычага 6 установлены пластина со сквозным отверстием 13 по форме крышки 5 и сопряженные с ним от 40 верстия 14 под два сварочных электрода (не показаны). Сквозное отверстие 13 в верхней части выполнено с заход- ными фасками 15 и фасками 16 в некией части продольных граней 17 сквознога отверстия 13. Нижние кромки 18 поперечных граней 19 сквозного отверстия 13 выполнены острыми с минимальными радиусами 0,05 - 0,10 мм. Дляа сборки полупроводниковых при 5 О боров, например интегральных микросхем в прямоугольных корпусах, высота корпуса полупроводникового прибора Н, минимальное расстояние Ь междунаправляющим выступом 2 гнезда и...

Номер патента: 1220145

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Левицкий

МПК: H01L 23/02, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор

...стороны и выполненными Я. -образного сечения, лепестки образованыпрорезями 3, выполненными в среднейчасти пружинного разрезного кольца 1.Расстояние между торцами 4 и 5 Н,причем профилированные лепестки 2имеют внешнюю 6 и внутреннюю 7 поверхность. Кольцо 1 устанавливаетсясвоей внутренней поверхность б Е накорпусе 9 полупроводникового прибора35и соединяется с ним теплопроводящим связующим слоем 10, например,в виде клея, припоя с возмсжностьюобразования между корпусом 9 и внутренними поверхностями 7 лепестков 24 Озазоров 11.Устройство работает следующимобразом,В процессе работы полупроводникового прибора выделяется тепло что приводит к конвективному теплообмену. Полупроводниковый прибор с установленным на нем радиатором...

Номер патента: 1222451

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Грачев, Собкевич, Юртаев

МПК: B23K 3/00

Метки: кристаллов, полупроводниковых, присоединения

...причем зоны максимально отдаваемой мощности нагрева 1и максимальный теплосъем приходятся соответственно на зоны пайки элемента и его выгрузки.Инертный газ, подаваемый при неЗо большом избыточном давлении, препятствуетт попаданию в устройство воздуха. Уплотняющая графитовая вставка10, помещенная между крьппкой и поворотным кольцом 5 служит для уменьшения утечки газа через верхнюю частьзагрузочно-выгрузочного окна.Устройство для присоединенияполупроводниковых кристаллов череззолотокремниевую эвтектику методомпайки за счет контактного плавленияк основаниям локально золоченыхкорпусов СВЧ-транзисторов позволя"ют получить высококачественные соединения системы кристалл-основаниес обеспечением надлежащего внешнеговида и качества...

Номер патента: 1226069

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Дидковский, Квасов, Музыченко, Полонин, Прохоренко

МПК: G01H 13/00

Метки: нарушенного, пластин, поверхностного, полупроводниковых, слоя, физико-механических, характеристик

...г/а при заданных 8 и Ь (фиг,З).Определяют параметр 1 по величине ш (фиг.2).Рассчитьвают величину модуля Юнга Е по формуле4811 Г Р а" (1- у )Е------Ьф. Рассчитывают физико-механическйе характеристики по известным соотношениям с учетом полученного значения модуля Инга Е.Таким образом, определение изменения радиусов узловых окружностей при возбуждении колебаний на частотах , позволяет проконтролировать распределение физико-механических характеристик по поверхности пластины и тем самым повысить точность контроля.Устройство для осуществления способа содержит основание 1, пуансон 2, электродинамический акустический излучатель 3, генератор 4 электрического напряжения, голографический интерферометр 5, состоящий из лазера 6, модулятора 7,...

Номер патента: 1228003

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Ермолаев, Руднев

МПК: G01N 27/92

Метки: диэлектрических, исследования, образцов, поверхности, полупроводниковых

...обращен к положительной обкладке конденсатора 1.Способ осуществляют следующимобразом,Поверхность пластинки полупроводникового кристалла тщательно очищаютот пыли, жировых пятен и подвергаютполирующему химическому травлению 5 10 15 20 25 30(для арсенида галлия, например, используют свежий травитель состава Н О : Н О ; Н БО в соотношении 1 г 21 : 18) в течение 2-3 мин. На протравленную поверхность наносят раствор нитроцеллюлозового клея (1-2 капгли на 2-2,5 см поверхности) полимеризуют до образования прозрачной тонкой твердой пленки, помещают в поле плоского конденсатора (сторона с нитропленкой обращена к положительной обкладке конденсатора) при напряженности поля 3000-3500 В/см и прилагают усилие изгибания величиной 25- 50 г/мм , Образец...

Номер патента: 1230777

Опубликовано: 15.05.1986

Авторы: Буданов, Коротаев, Кравчук, Слюнявчиков, Соколов

МПК: B23K 20/10, B23K 31/02

Метки: контактными, между, монтажа, перемычек, площадками, полупроводниковых, приборов

...После это" го сварочное давление снимают. При движении сварочного инструмента 2 в сторону второй контактной площадки п/п прибора вывод вытягивают через наклонный паэ 4 инструмента. Далее инструмент 2 опускают на 2-ю контактную площадку и создается сварочное давление. Затем подают ультразвуковой импульс на инструмент аналогичный по величине и продолжительности импульсу при создании 1-й сварной точки.После образования 2-й сварной точки снимают сварочное давление и инструмент переводят эа 2-ю сварну 1 о точку таким образом, чтобы режущая кромка ножа 5 инструмента 2 проходила по границе сварной точки. Затем инструмент опускают, создавая давление на вывод, под действием которого он запрессовывается в формовочную канавку 3.После этого...

Номер патента: 1231478

Опубликовано: 15.05.1986

Авторы: Коротин, Миков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, разбраковки, силовых

...27 ограничения амплитуды импульсов испытательного тока.По сигналу "Пуск" триггер 28 меняет свое состояние и разрешает прохождение импульсов, синхронизированных50с сетью, на выходной каскад схемыВК 1 29.Входной ключ 30 схемы ВК 1 открывается и осуществляет заряд конденсатора, При заряде конденсатора до эаданного уровня триггер 27 "захлопы-вается", прекращая заряд конденсатора. С инвертирующего выхода триггера через схему 3 формирования импульсов сброса осуществляется сброс триггеров 13, 14 и 15 устройства изапуск выходного каскада 32 схемы ВК 2 для включения разрядного тиристора 33 Испытательный импульс тока снимается с вторичной обмотки трансформатора 34 и схемы 20формирования импульсов испытательного тока.Включение ИП осуществляется...

Номер патента: 1234793

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Вейсс, Пресманн

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, полупроводниковых, приборов

...сформированную элементом 22 импульсной задержки, переключается триггер 23, и формирователи 2410 (или 25) подают управляющие импульсы на основные тиристоры 3 и 4 (или 5 и 6) инвертора 1, тиристоры отпираются, и образуется контур тока источник 26- реактор 2 - тиристор 315 (5) - конденсаторы 7-9 - тиристор 4 (6) - источник 26. В реакторе 2 раскачивается ток, и конденсаторы 7-9 заряжаются .Однако ввиду недостаточного значения тока суммарное напряжение на цепочке из конденсаторов 7-9 к моменту подачи импульса на тиристор 17 может не достичь значения выходного напряжения источника 26 питания и при нескольких последующих тактах работы тиристор 17 также не отпирается.Через полупериод выходной частоты подается импульс управления на тирис-З 0...

Номер патента: 1244758

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Дмитриев, Скляренко, Цепелев

МПК: H02M 1/08

Метки: вентилей, генератор, запуска, импульсов, полупроводниковых

...по амплитуде разно- полярных импульсов.На чертеже представлена принципиальная схема генератора импульсов.Генератор импульсов для запуска 16 полупроводниковых вентилей 1 содержит источник 2 питания, подключенный к накопительному конденсатору 3 через последовательно соединенные зарядный тиристор 4 и первичную обмот ку импульсного трансформатора 5, вторичная обмотка которого подключена к управляющему переходу вентиля 1. Разрядный тиристор 6 включен между отводом первичной обмотки транс о Форматора 5 и отрицательным полюсом источника 2Генератор работает следующим образом.При подаче импульса управления 25 на зарядный тиристор 4 через первичную обмотку импульсного трансформатора 5 протекает ток заряда накопительного конденсатора 3,...

Номер патента: 1247563

Опубликовано: 30.07.1986

Автор: Добрунов

МПК: E21F 9/00

Метки: времени, выключения, искрозащитных, полупроводниковых, цепях, элементов

...импульса.20 Устройство работает следующим образом.Вначале устройство настраивают. Для этого подключают источник 1 питания к мультивибратору 15. Нажимают и отпускают 25 кнопку 16, вследствие чего на выходе мультивибратора 15 выделяют единичный прямоугольный импульс, длительность которого зависит от величины сопротивления переменного резистора 17. Этот импульс воздействует на переход база в эмитт транзис тора 9 и переход база в эмитт транзистора 18 блока 37 формирования регулируемого выключающего импульса через конденсатор 14, вызывая открывание транзисторов 9 и 18. Резистор 24 предотвращает накопление зарядов на конденсаторе 14 при за- З 5 пусках. Через тумблер 35 выделенный импульс подают на осциллограф 34, Меняют величину сопротивления...

Номер патента: 1247781

Опубликовано: 30.07.1986

Автор: Пронин

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, полупроводниковых, проницаемости, слоев

...8, инвертирующий и неинвертирующий входы сумматора подключены к измерительным электродам 1, расположенным соответственно по обе стороны от исследуемого слоя, а вы 30 ход соединен с входом усилителя 7.Блок 3 измерения расстояния соединен механически с измерительными электродами 1. Блак 4 формирования заряда состоит из коронирующего элек- З 5 трода 9 и контрэлектрода 10, расположенных по разные стороны слоя 5, а также источника 11 высокого напряжения, выход которого соединен с коронирующим электродом 9, Источ ник высокого напряжения и контрэлектрод 10 заземлены.Устройство работает следующим образом.Посредством источника 11 высокогонапряжения электрода 9 и контрэлектрода 10 на поверхность исследуемого слоя 5, обращенную к электроду...