Патенты с меткой «полупроводниковых»

Номер патента: 666604

Опубликовано: 05.06.1979

Автор: Яцук

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, тепловой, трехэлектродных

...защищаемогоприбора.15Это обеспечивает автоматическуюстабилизацию теплового режима защищаемого прибора за счет шунтирования его управляющей цепи при достижении максимально допустимой темпе О ратуры для германиевого кристалла.На чертеже изображена схема устройства с защищаемым прибором -транзистором.Устройство содержит силовые кремниевые транзисторы 1; кремниевыедиоды 2 для повышения надежностивыключения силового транзистора;гермаыиевые транзисторы, установленные на радиаторе или охлаждающей 30 подложке соответствующего силовогобббб 04 формула из обрет ени я Составитель В.Литвиненкоедактор Н.Большаков Техред Н. Бабурка Коррект Иекмар Заказ 3203/42 Тир ЦНИИПИ Госу по делам 113035, Москва, 856рственного коэобретений и-35, Раушска...

Номер патента: 667918

Опубликовано: 15.06.1979

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...тока, ключ 3 цепи5памяти, пороговое устройство 4, источник 5 напряжения коллектора, запоминающий конденсатор б,генератор 7 интервала времени.Устройство работает следующим образоМ,К схеме подключают испытуемый транзистор,Начальное падение напряжения на его переходеэмиттер-база определяется током генератора 2 иустанавливается равным некоторой величине (на.пример, 0,2 В) с помощью источника опорногонапряжения. При этом дпя всех транзисторов данного типа выполняется условие Оа, =содат;ив =Ки.Затем ключ 3 закрывается и измерительныйток благодаря запоминающему конденсатсру "6остается постоянным на время, значительно боль. з 0шее, чем общее время измерения.По сигналу "пуск" запускается генератор 7 интервала времени нагрева, на время Г ц...

Номер патента: 669299

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Борисов, Пучков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, снятия, характеристик

...устройства 10 подключен непосредственно ко входу вертикального отклонения второго луча осциллографа 9 и через блок 11 формирования меток ко входу модуляции яркости осциллографа 9, вход горизонтального отклонения которого подключен к выходу генератора нарастающего напряжения.Устройство работает следующим образом Сигнал, представляющий собой медленно нарастающее напряжение с наложенной 1 О на него малой высокочастотной составляющей с генераторов 1 и 2 через сумматор 3 подается на испытуемый прибор, Напряжение, пропорциональное току через него, снимается с резистора 4 и после фильтрации15 усиления и детектирования блоками 5 - 8 преобразуется в напряжение, пропорциональное дифференциальной проводимости испытуемого прибора....

Номер патента: 673206

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Дональд, Тис

МПК: H01L 21/283

Метки: полупроводниковых, приборов

...не затрагиваются слои изалюминия, титана-золота или платиныэолота проводящих схем. Перед процессом травления нет необходимости проводить маскирование, которое осуществляется в тех случаях, когда слойдолжен быть удален локально.Согласно изобретению, проводящиедорожки 8-10 сами используются в качестве маски травления, причем жидкий травитель взаимодействует с про"межуточным слоем 7 через пространство между дорожками 8-.10 верхней проводящей схемы,Жидкий травитель воздействует напромежуточный слой 7 не только вертикально, но также и горизонтально ниже дорожек 8-10 (см. стрелки на фиг,2, а). Процесс травления продолжается столько времени-, сколько необходимо для полного исчезновения промежуточного слоя 7, за исключениемучастков...

Номер патента: 673939

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Батаев, Васильев, Золототрубов

МПК: G01R 31/26

Метки: обратных, полупроводниковых, приборов, токов

...выходом схемы синхронизации и управляющим входом ключевого элемента.На фиг. 1 представлена блок-схема уст- оройства; на фиг, 2 даны временные диаграммы, поясняющие его работу,Устройство содсржит импульсный режимный источник напряжения 1, контактное устройство 2 для подключения испытуемого прибора, операционный усилитель 3, охваченный двумя параллельными цепями отрицательной обратной связи. В одной цепи постоянно включен резистор 4, а в другой, дополнительной, - последовательно соединенные резистор 5 и ключевой элемент 6. Уст- ЗОройство содержит также измеритель напряжения 7, подключенный к выходу операционного усилителя, схему синхронизации 8, предназначенную для управления работой режимного источника 1, измерителя напряжения7 и схемы...

Номер патента: 673940

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Зебрев, Обрезков

МПК: G01R 31/02, G01R 31/26

Метки: диодов, контактов, надежности, омических, полупроводниковых

...вентилей, обеспечивающих разделение импульсов положительной и отрицательной полярности, приходящих на его вход,Для обнаружения и фиксации кратковременных постоянных обрывов и кратковременных коротких замыканий в цепи контролируемого диода Рх, например, при воздействии механических ударов или испытаниях на вибропрочность он подключается через соединительные проводники или контактное устройство к клеммам между выходом генератора 1 импульсов и входом устройства 5 разделения импульсов через согласующее устройство 3. Двуполярные сигналы от генератора 1, проходя через исправный испытуемый диод Рх, преобразуются в импульсы отрицательной полярности, воздействующие на вход устройства разделения импульсов, При этом на входе 7 устройства...

Номер патента: 599659

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/18

Метки: основе, полупроводниковых, приборов, соединений, типа

...с малыми размерами планарных р - п-переходов (менее 5 - 1 лгклг) их. элекг,рофизические характеристики лучптаготся, если с начала на поверхности полупроводника формируют непрерывный ряд твер,-дых растворов с шириной запрещенной зогны, возрастающей к поверхностги с градиентом 10" - 10 В/с 11, а затем образуют пла: нарный р - и-переход, например, путем ,диффузии примеси в структуру.В этом случае существенно уыеньшаетгся кривизна р - и-перехода и уменьшается угол выхода р - и-перехода на поверхность.В овязи с этим возрастает пробивное .нап 1)5 жение. Уменг,цгение кривизны р - п-перехода и угла выхода его ца паверхность вызвано особенностями диффузии примеси в такой структуре. Коэффициент диффузии примеси резко, возрастает с увеличением...

Номер патента: 678482

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Кошель, Трещун

МПК: G05F 1/58

Метки: включенных, защиты, параллельно, полупроводниковых, триодов

...элемент выполнен на стабилитроне.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства защиты(54) уСТРОЙстВО ЗРЩИТЫ пАРАЛЛЕЛьНО ВКЛЮЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ"678482 Формула изобретения ставитель С, Горбачевахред П Алферова Корректор И, Иуск Редактор ьдман ТРж 1015По ИИПИ Государственного комитет по делам изобретений и откры 5, Москва, Ж, Раушская раб исн ССС ах аз 4560//5 ектная, 4 Филиал ППП фПатент, г. Ужгород, у Устройство защиты содержит плавкиепредохранители 1, включенные в коллекторные цепи параллельно включенных защищаемых триодов 2 с токовыравнивающими резисторами 3 в цепиэмиттера, диоды 4, свободные концы"которых подключены к коллекторамзащищаемых триодов 2, а общие под- .соединены к резистору 5 и...

Номер патента: 683648

Опубликовано: 30.08.1979

Автор: Хериберт

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводниковых, элементов

...бифилярно намотанный змеевик; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Устройство содержит спиральной формы бифилярно намотанный змеевик 1 с впускным штуцером 2 и выходным штуцером 3. Змеевик 1 вмонтирован в сердечник 4 из геплопроводящего материала, который обозначен штрих-пунктирной линией.На фиг. 1 направление втекающего потока жидкости обозначено стрелкой А, а вытекающего потока - стрелкой В. На фиг. 1 видно, что витки спирали А и В поочередно чередуются. Этим самым рядом расположенные витки спирали попеременно заполняются горячей и холодной охлаждающей жидкостью, поддерживая, по крайней мере приближенно, постоянное среднее значение температуры по всей спирали.На фиг. 2 показан вид сверху спирали змеевика 1 в направлении впускного...

Номер патента: 684695

Опубликовано: 05.09.1979

Автор: Лейто

МПК: H02M 5/00

Метки: вентилях, переменного, полупроводниковых, регулятор, управляемых

...одинвход компаратора 8 и выполняет рольопорного напряжения, так как питаниезадающего генератора стабилиэировано,то величина опорного иапряавния навыходе КС-цепочки 5 зависит толькоот сквааности импульсов задающегогенератора.Выпрямитель 4 преобразует импульсызадающего генератора 1 в постоянноенапряаение, величина которого определена скважностью импульсов, Этопостоянное напряжение подается, какна вход интегрирующей КС-цепочки б,выход которой соединен с управляющимвходом компаратора 1, так и на питание компаратора 1.Нуль-орган З.контролирует наличиетока в нагрузке. Это достигается тем,что вход его подключен параллельноУпРавляемому вентилю 7,Если в нагрузке имеется ток, то напряжение на управляемых вентилях 7и, тем садним, йа входе...

Номер патента: 685991

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Абубекеров, Быковский, Гончаров, Колобов, Тарасов

МПК: G01R 31/26

Метки: испытаний, полупроводниковых, приборов

...из датчиков температуры (термопар), коммутатора, усилителя и регуляторов мощности (на чертеже условно непоказана). При регулировании коммутаторпоочередно подключает термопары к усилителю, который управляет регуляторами мощности.Испьггуемый прибор 3, например мощныйтранзистор в металлическом корпусе ТО-З,закрепляется на теплопередающей поверхности полого корпуса 12 тепловой трубки 1с помошью устройства прижима.Конденсационная зона нескольких трубокразмещается в секционном коллекторе 4.Секции коллектора выполнены из теплоизолируюгцего материала, например из прессматериала АГС, и собраны в коллектор.Для обеспечения герметичности между секциями имеются прокладки 13. Коллекторсобирается с помощью двух пластин 14 ишпилек 15.Переключатель 6...

Номер патента: 687419

Опубликовано: 25.09.1979

Авторы: Ладыгин, Солонецкий

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, разбраковки

...дифференциального усилителя 9, а выход канала 3 эталонного формирователя соединен с инвертирующим входом этого же усилителя, к выходу которого подключены . компаратор 10 верхнего уровня и компаратор 11 нижнего уровня, выходы котрых через 40 логическую схему И 12 соединены с индикатором 13 "Норма-брак",Устройство работает следующим образом.45От источника 1 постоянного напряже" ния, напряжение поступает в каналы 2 и 3 соответственно испытательного и эталонного формирователей. Из этого напряжения прерыватель 4 формирует прямоугольные импульсы, которые поступают на преобразователь 5 напряжения в ток, Преобразователь 5 напряжения в ток задает диапазон изменяющегося по экспоненте тока через испытуемый р-п-переход, подключаемый к клеммам...

Номер патента: 693270

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Рибикаускас, Чеснис

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперных, наблюдения, нелинейных, полупроводниковых, характеристик, элементов

...1(зх еггнтсэл)Гг)гоа;Нг:,е НИЯ.ГЕ 11 Ьг НЭОВГ)гЭТОНГ(51ГОГГЬ(1 НОС",ГЭ ТОЧ -ности БаблОл(с.пия 13 "13Каэ) г)г;гг г 1 ДР гЬ ге с) , )Рггд Гггм)" р НОГГ ГЭВЕЕЛггсонсг)т(3,11 Я г(1 Я г)зртэжэ 1(р)", 1)гЗДЕ г(г. Х:сэ 1 ГСПОЙ,гГГР)(1 ощ(з,сУмг(РУ(ощиЙ блок, лва генеРЯГОР 3, ВЬХОДЫ КГЗТОРЫХ Г;ОРДИННЫ С ВХ(3л дМ г М Оду ГИ.) у гощЕ-СЗ гми(.)г ГсгГ.гсг)О бгОК ( г Х(гЛЫ КофОО 31 с Со(ЗДИПЕПЬ С ВХ(3 ПЯЪГИ МСП(г"- ЛИРУ 101 ЦЕ -С гм)гг(1(Г)5 Ю)эгЭ 0 ОгГгка, 8 НХС)Д ВтоЭОГО ГЕЛЕРЯТОРЯ ОЕППНЕН Г. ЯЬХг)Дог,.первого через блок,эадэр)к(1( 1ОДНЯК(г Это УСтгЗОЙСтггэ НЕ ИМЕЕТ С)ЕДСЗ В 81 и ЪСЗРЯНЕПИЯ ОРЛ 31(г Л(г -г)гН, гс 1 ог ОР Ш НОСТИ, 1 г ООМЕ ТОГО. ГГр И 10Л О)С)3 с Н 5 И элемен.(ОВ, Оолядя(0(цих симк 1 РтсиеЙ Гпэс. Водимости, Опо не...

Номер патента: 693274

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Ворожеев, Панов

МПК: G01R 27/28, G01R 31/26, G01R 31/317 ...

Метки: параметров, полупроводниковых, цифровых, элементов

...импульс, а на входы инвертора 20 и схем 21, 23 совпадения подается О уровень (для случая измерения длительности и задержки фронта). Через логическую схему ИЛИ 24 импульс с выхода испытуемой схемы пройдет без изменения ца формирователь 25 импульсов малой длительности (фиг. 2, д) .Сформированный ио переднему фронтуимпульс малой длительности (фиг. 2, е) по 6932741 о выхода 2-го разряда испытуемой схемы счет- очика. 25 зо дается с выхода формирователя 25 на устройство 18 разрешения записи информации, в результате чего в ДПКД 16 будет записан требуемый коэффициент деления (в данном случае к). После записи нужного коэффициента деления, с момента времени ( ДПКД,срабатывая по заднему фронту импульсов синхронизации с генератора импульсов 4,...

Номер патента: 697062

Опубликовано: 05.11.1979

Авторы: Йозеф, Хельмут

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводниковых, элементов

...электродом 12, проходит охлаждающую пластину 21 и выходит снова через соединение 22 из распределительной пластины 20. Пас редством шлангового соединения вода подается к распределительной пласти" не тиристора, имеющего одинаковый потенциал, проходит там охлаждающую пластину и до того, как используемая в качестве охлаждающей среды вода выйдет и вернется в сборник, онаеще раз соприкоснется с титановымэлектродом.Подаваемая в распределительнуюпластину 18 у соединения 23 вода со"прикасается точно так же с титановымэлектродом 12 и затем протекает по 5охлаждающей пластине 16. Распределительная пластина 18 сконструированатаким образом, что выходящая из ох"лаждающей пластины 16 вода проходитчерез нее и попадает в охлаждающую 10пластину 17....

Номер патента: 697801

Опубликовано: 15.11.1979

Автор: Кустов

МПК: G01B 7/06

Метки: полупроводниковых, слоев, толщины

...измерения, обусловленная наличием операции определения спектрального состава испаряющегося вещества и затруднениями при измерении глубины697801 Формула изобретения Составитель А. Куликов Редактор Л. Ьатанова Техред О. Луговая Корректор Н. Горват Заказ 5913/2 В Тираж 344 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4микроскола, так как он.имеет параболическую форму.Целью изобретения является упрощение процесса измерения.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу электрод устанавливают на поверхности материала, а ток пропускают импульсами.Кроме того, в качестве электрода используют жидкостный...

Номер патента: 699455

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Громков, Мартяшин, Тростянский, Чураков, Шляндин

МПК: G01R 31/26

Метки: емкости, полупроводниковых, приборов

...формы, период которых зависит от емкости испытуемого р-и-перехода полупроводникового прибора.44 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР по заявке2448513/25, кл. 01 К 31/26, 02.77.4 ф 2. Авторское свидетельство СССР402836, кл. О 1 К 31/26, 31.05,71,3. Авторское свидетельство СССР512440, кл. 01 й 3126, 17.06.4 (прототип). Частота генерируемых на выходе дифференциального усилителя-ограничителя 9 прямоугольных импульсов определяется выра- жением Формирователь 14 опорного интервала времени формирует опорный интервал времени Т о, на время которого открывается схема совпадения 11, и в счетчике 15 фиксируется числоЫ=т,=ф г .С"Ецф Это число однозначно-ойределяется значением измеряемой емкости С...

Номер патента: 699456

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Коляда, Панов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: анализатор, временных, полупроводниковых, приборов, характеристик, цифровой

...генератором 3таким образом, что разность периодовгенераторов 2 и 3 - эталонного и управляемого соответственно - обеспечивается постоянной и равной 0,1 нс, т.е.М= ЬТ= 01 нс,где д 1- шаг считывания,Т- разность периодов кварцевыхгенераторов.Эта величина является шагом считываниядля стробоскопического дискриминатора23. Благодаря введению схемы фазовойавтоподстройки, точность формированияшага считывания, равного разности периодов кварцевых генераторов, практическисоответствует точности формирования час тоты кварцевого генератора 10 нс),Импульсы с кварцевых генераторов 2699456 6нератора 2, Чтобы приурочить тестовыйимпульс генератора тестовых импульсов 20к приходу строб-импульса, необходимопериод импульсов генератора 20 задау 5 вать в...

Номер патента: 702432

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Комаров, Никулин, Поярков

МПК: H01L 21/00

Метки: перемещения, пластин, полупроводниковых

...1 1 Зили кратный етому расстоянию, вакуумныйноситель 3, совершающий возвратно-постунательное перемещение привода. Вакуумный носитель 3 выполнен в виде пологоФ20П-обравного вахвата с наклонными отверстиями на верхней плоскости, Рабочийстол 4 установлен на валу 5 в корпусе6. Вал 5 с помощью шестеренки 7 входит в вацепление с рейкой 8, установленГ3 7024ной неподвижно. Устройство также содержит эксцентрик 9, микроскоп 1 О,Устройство работает следующим ооразом.Вакуумный носитель 3 П-образнымзахватом заходит под выбранную пластину 2 кассеты 1, В это время в полостьвакуумного носителя 3 подают вакуум,удерживая пластину 2 на вакуумном носителе 3, который перемещают к рабочему столу 4. С помощью эксцентрика 9поднимают рабочий стол 4, при...

Номер патента: 703881

Опубликовано: 15.12.1979

Авторы: Дягтеренко, Лащенов, Малявин, Поллер, Ченцов

МПК: H02H 7/00

Метки: вентилей, защиты, полупроводниковых, последовательно, соединенных

...одного из вентилей уменьшаются напряжения напервичной и вторичной обмотках соответствующего трансформатора. К его обмотке 3 текут уравнительные токи, направленные встречно ее напряжению, в резуль/тате чего увеличивается противоэдс первичной обмотки рассматриваемого трансформатора и уменьшается противоэдс первичных обмоток остальных трансформаторов, т. е. происходит выравнивание напряжений на последовательно включенных вентилях.При изменении тока утечки нескольких вентилей уравнительный ток вызывает падение напряжения на резисторе 4, включенном последовательно с той вторичной обмоткой, встречно напряжению которой он направлен, транзистор 5 открывается и наблюдается свечение светодиода 6, а также заряжается конденсатор 7 по цепи:...

Номер патента: 705591

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Драбович, Лебедев, Слесаревский

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, перенапряжений, полупроводниковых, преобразователя, элементов

...27,Если напряжение на транзисторе 3превысит допустимое значение, определяемое напряжением стабилизации стабилитрона 2, произойдет открытие тяристора 1.1 ИИПИ Заказ 8048/59нраж 857 Подписное иал ППП фПатентфжгород,уд. Проектная 3 7055Управление силовым транзисторомосуществляется двумя узлами: широтноимпульсным модулятором и токоограничиввющим блоком.Во время перенапряжения на вход усилителя 4 циротно-импульсного модулятора подаются напряжения с интегрирующейцепочки, состоящей из резистора 10 иконденсатора 21, и с резистора 7. Резистор 9 обеспечивает задержку в нарастании напряжения на конденсаторе 21,На выходе усилителя 4 будет постоянное по величине напряжение, отпирающее,транзистор 3,Есди напряжение на конденсаторе 22превысит опорное...

Номер патента: 706796

Опубликовано: 30.12.1979

Автор: Бартанов

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, контактных, полупроводниковых, приборов, силовых, соединений

...постепенно увеличивая их амплитуду до тех пор, пока величина термочувствительного параметра, измеряемого каждый раз после окончания очередного импульса тока, не .достигнет первоначального значения, и фиксируют при этом амплитуду мощности. При наличии деФектов в области контакта во втором случае (длительность импульса тока больше тепловой постоянной кристалла) требуется меньшая величина мощности для достижения кристаллом одной и той же температуры по сравнениюс бесдефектным прибором, Поэтому большая разность амплитуд мощности, соответствующих различным по длительности импульсам тока, будет 55 соответствовать большей дефехтности контактных соединений, Длительность импульсов тбка выбирают для каждого типа приборов индивидуально,...

Номер патента: 710731

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Герасимов, Романенков, Руткевич

МПК: B21D 35/00

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиаторов

...ив последующей отгибке периферийной части перпендикулярно к полотну заготовки,формообразование лепестков осушсствляют радиальной, намечаюшей лепестки надрезкой контура заготовки на глубину, равную высоте лепестков, с последующимскручиванием лепестков у их основаниядо размещения плоскости лепестка перпендикулярно к полотну заготовки,На фиг. 1 показана схема осушествления способа; на фиг. 2 - радиатор с круглым основанием, изготовленный по предложенному способу.Способ осуществляют следуюшим образом,Круглую или прямоугольную листовуюзаготовку 1 надрезают по котурч по линиям 2 на глубину, равную высоте ленест7107ков, намечая таким образом сами лепестки 3. Надрезанные лепестки 3 перед отгибкой или одновременно с ней скручивают у их...

Номер патента: 712785

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26

Метки: зависимости, пластин, полупроводниковых, сопротивления, температурной, удельного

...Предлагаемое устройство позволяет автоматизировать проводпмыс в динамическом режимс измерения температурной зависимости удельного сопротивления образцов полупроводниковых материалов произвольной формы, что дает возможность исключить ряд технологических и измерительных операций по приданию образцам правильной формы н измерению геометрических размеров; все это, в конечном счете, приводит к повышению точности измерений, сокращению времени на подготовку образца, сокращению расходов материальных средств. Устройство для измерения температурной зависимости удельного сопротивления полупроводниковых пластин, содержащее источник переменного тока постоянной частотысоединенный с первым и вторым зондами, усилитель, вход которого соединен с...

Номер патента: 714331

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Быковский, Смирнов, Шмалько

МПК: G02B 5/14

Метки: дифракционных, поверхности, полупроводниковых, рельефного, решеток, типа

...дифракционные решет. ки рельефного типа с синусоидальным профилем получают в едином технологическомцикле Г 33Однако известный способ не позволяетполучать дифракционные решетки с профилем, отличным от синусоидального.Целью изобретения является получениештрихов с наклонным профилем.Указанная цель достигается тем, чтов процессе фототравления вдоль поверхности полупроводника накладывают алект- рическое поле в пределах от 10 до 3510 ф в/см перпендикулярно направлениюинтерференционных полос излучения засвеъ3" 714сителей заряда вызывает изменение скорости растворения попупроводника в области засветки и приводит к изменениюпрофиля травления дифракционной решетки. Причем угол наклона, профиля получаемых решетчатых структур можно регулировать...

Номер патента: 716009

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Алексеев, Соловьев, Тихонов, Хорунжин

МПК: G01R 31/02

Метки: индикатор, полупроводниковых, проводимости, сплавов, термоэлектрических, типа

...при попадании индикаторного раствора в узкие щели между ВТ и слоем диэлектрикИзвестно испольэлектроизрлированизионной защиты,неметаллических маи:йеЫ - ,Тадыиеч -е 09аучерного цвета. Пленка имеет небольшую толшину и легко удаляется при последующеймеханической обработке. Цвет ветви и-типапри этом не изменяется. Аналогичный результат был получен при обработке партии,5 микромодульных ТЭБ типа МТСи ПТП.В указанных ТЭБ в качестве иколяционного:материала между ВТ используется низковязкий теплостойкий эпоксидный компаундмарки УПБ. Заготовки ТЭБ протерлина наждачной шкурке по торцовым поверхностям, после-чего их поместили в стеклянные контейнеры и обработали по приведенному выше режиму,После обработки заготовки ТЭБ имелихарактерное...

Номер патента: 728098

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Аблаев, Нечаев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилей, испытания, полупроводниковых

...для подключения управляющего электрода вентиля 8. Замыкающие контакты 20 переключателя включены между выводом 19 генератора и "зажимом 10 для подключения управляющего электрода испытуемого вентиля 7. Параллельно замыкающим контактам 20 подключен коммутирующий элемент 15,.Устройство работает следующим образом.На вентили 4 и 7 (в случае испытания вентиля, предназначенного для совмещения функций рабочего и шунтирующего, фиг, 2 б - второй вспомогательный вентиль 8 в этом случае в схему устройства не вводится, коьвтутатор 15 включен) или на вентили 4 и 8 (в случае испытаниявентйля,предназначенного для работы только в качестве ШВ,фиг.2 а,вентиль 8 в схеме присутствует;коммутатор 15 в этом случае разомкнут) от генератора 13 через размыкающие...

Номер патента: 731495

Опубликовано: 30.04.1980

Автор: Староверов

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентации, полупроводниковых, приборов

...обхватывающей часть ротора, расположенную в зоне ориентации, н перекры 15 вающей его пазы, причем расстояние между планками превышает половину суммыдиаметров прибора и его вывода.На фнг, 1 показано предлагаемое устройство для ориентации полупроводниковых20 приборов, общий внд; на фнг. 2 - сечениепо А - А на фнг. 1; на фиг. 3 - сечение поБ - Б на фиг. 1,Устройство содержит механизм перемещения приборов, выполненный в виде ро 25 тора 1 с пазами 2 для загрузки приборов,механизм поворота приборов, выполненныйв виде фрнкцпонной планки 3, закрепленной неподвижно с помощью держателя 4, нкронштейна 5 на основании 6 и служащей.2 Тираж 857 каз 762/1 О Поиск дписное ипография, пр. Сапунова,направляющей планки 7, установленной на...

Номер патента: 646706

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Арефьев, Воробьев, Мамонтов, Сохорева, Чернов

МПК: H01L 21/26

Метки: детекторов, полупроводниковых

...других характеристик (в частности, энергетического разрешения детекторов).Это достигается тем, что детекторы облучают позитронным потоком (102 - 10" позитрон/см) готовых полупроводниковых детекторов, Увеличение толщины р-п-перехода достигается также при позитронном облучении детекторов, проработавших в полях ионизирующих излучений.Установлено, что заметное ухудшение энергетического разрешения диффузионнодрейфовых детекторов наблюдается при позитронном облучении потоком более 10" позитрон/см. Кстати, при облучении потоком электронов ухудшение энергетического разрешения наблюдается также при дозе 10" электрон/см.646706 Формула изобретения Составитель Б. Рахманов Техред В. Серякова Корректор В. Петрова Редактор Л. Письман Заказ...

Номер патента: 736027

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Бобров, Добровольскис, Соболев, Соколов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/27

Метки: вентилей, полупроводниковых, режима, теплового

...силового вывода,. 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 представляет собой возраставшую функцию. Таким образом, термочувствительный датчик, находящийся в тепловом контакте с гибким силовым выводом, следит за изменением температуры -п структуры, обусловленным как изменением на - грузки диода, так и изменением его внутреннего теплового сопротивления,На фиг. 1 изображена структурная схема предлагаемого устройства при контроле теплового режима вентилч штыревой конструкции с гибким силовым выводом; на фиг, 2 - зависимости температуры О элементов вентиля от его внутреннего теплового сопротивления Р построенные по экспериментальным данным, полученным на диодс штыревой конструкции при номинальном токе агрегата.Термочувствительный элемент 1...