C30B 29/50 — сульфид кадмия

Номер патента: 174171

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всесоюзный, Кисиль, Крайнюков

МПК: C30B 11/00, C30B 29/50

Метки: 174171

...узком температурном интервале, Предлагаемая ампула отличается от известных тем, что в нее по скользящей посадке вставлена соответствующего размера диафрагма с отверстием для отбора монокристаллической затравки. Такая конструкция облегчает выращивание монокристаллов и повышает их выход. При этом возможна замена деформированной диафрагмы новой и, следовательно, многократное использование ампулы в широком температурном интервале.На чертеже показана конструкция предлагаемой ампулы.Она изготовлена из графита и имеет форму цилиндра с коническим дном 1 под углом 120 - 130, заканчивающимся коническим сум, но с острым углом, например 20 - ысота ее - 150 лглс В конусное дно амвставлена диафрагма 2 до упора, с тром 22 лл и высотой 12 лглс,...

Номер патента: 209417

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Булах, Ёт, Зад

МПК: C30B 23/00, C30B 29/50

Метки: выращивания, монокристаллов

...нагретого лав рный поверх паров и усл распо и инте я комп ности перевиях оженсив- енсаИзвестен способлов соединений спри температуре пфида кадмия, переровую фазу в герммой из зоны нагрепротивления, с верградиентом.Особенностью пляется то, что зонумощи ванны расплтого у поверхноституры, чем температрекристаллизуемоговыращивания, Этобильные и благопрзации, следовательнращивания.Сущность изобре Ампулу 1 с ют полностью греваемое печ создают верт диент с темпер ниже темпера кристаллизуем выращивания, ние ванны с р ность перемеш 8.Ч.1969, Бюллетень18 ции тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси.В расплаве ампула находится в течениевремени, необходимого для спекания и уплот нения загрузки. Затем ее начинают вытягиватьвверх со...

Номер патента: 1624925

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Терейковская, Файнер

МПК: C03B 11/02, C30B 29/50

Метки: кристаллов, соединений

...газов избыточное давление в печи 50 устанавливают на уровне 50-100 мм водя- ного столба. Включают электронагреватель и .температуру в печи доводят до 1100 С, которую и выдерживают в течение 20 ч при слабом токе аргона. 55Рекристаллизованный в этих условиях сульфид кадмия имеетудельную поверхность 2,4 м /г и насыпную плотность 2766 г/л,Навеску рекристаллизованного сульфида кадмия в количестве 300 г помещают в графитовый тигель и устанавливают на штоке механизма перемещения компрессионной печи. Печь вакуумируют и заполняют аргоном до давления 60 ат. Повышают температуру до 1500 С и при этом избыточное давление аргона достигает 100 ат, Протягивают тигель со скоростью 30 мм/ч через градиент температур нагревателя для сплавления загрузки...

Номер патента: 1818362

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Авербах, Князьков, Скуратов, Яценко

МПК: C30B 29/50, C30B 7/14

Метки: кадмия, пленок, сульфида

...такие частицы, для которых свдиментация еще очень мала, свойства раствора еще близки к свойствам истинных растворов и условия зарождения, адгезии и роста пленок оптимальны: пересыщения невелики, зародыши малы поразмерам и равномерно распределены вобъеме раствора и по поверхности подложки, что и способствует повышению адгезии и качества пленок. Такие условия создаются как бы самопроизвольно в той части реакционного объема, который находится под подложкой в случае ее горизонтального илинаклонного расположения, т.е, защищен подложкой, Аналогичное воздействие на процесс роста пленок, по мнению заявителя, можно создать путем наложения на реакционный объем центробежного поля с определенной величиной ускорения на начальном этапе процесса...

Номер патента: 1279277

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Колесников, Кулаков, Савченко

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/50 ...

Метки: монокристаллов

1. Способ получения монокристаллов CdS и CdSe путем направленной кристаллизации расплава в контейнере на ориентированную монокристаллическую затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности малоугловых границ и упрощения ориентирования затравки, направленную кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001>.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов в виде пластин, кристаллизацию ведут в контейнере прямоугольного сечения и затравку располагают на широкой стороне контейнера.