Способ определения толщины нарушенного слоя на поверхности кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1455786
Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко
Текст
(51) 5 С З/О Б,Полторацкий именение к обработк рименение арупенньгх етение атнос может нанти ения толшинь крист лялир анке ется повыше- толщины микв ра гоном в" камеру, омстр,Камер кислорои ньдержисфере 10 ми стиаю10 А. до СУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ,О ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМИ ГННТ СССР(56) Грешнякова Н,С, и др. Рентгенографический метод определения тал 1шины поликристяллических деформирванных слоев, - Сб. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. Л,: Машиностроение, 1978, с, 122-126,Жукова Л.А. и др. Электронография поверхностных слоев и пленокполупроводниковьгх материалов, М.:Металлургия, 971, с. 176,(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТО 1 Н 11 ИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ(57) Изоб обработке кри пр я определения толщины на д о предел нслоев, образующихся при пкристаллов.Целью изобретения являние точности препеленияраиных и субмикронньгх слоП р и м е р, Кристаллбатянный ионной полировкас энерг 1 ей 5 кэВ, помешаюку, содержапую вакуумнуюионную пушку и масс-спектрзаполняют активным газом,м, до давления 10Пяяают кристалл н этой атмо БО 14557 рушенных слоев, абряэуюшихся ггрп полиронке кристаллов, и позволяет повысить точность определения талггины микронных и субмикронных слоев. Кристалл выдерживает в атмосфере активнагс газа при давлении до 1 Па в течение до 10 мин, затем подвергают трачлению потокам ионов инертного газа с измерением толШины удаляемого слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А, Фиксируют уменьшение концентрации кислорода дс 107 от первоначальной величины. Исходя изоэтого величину 80 А принимают за толщину нарушенного поверхностног слоя До т точности ее определения и1 57 ЯБ Способ по изобретению поэнояет позвысить точность определения то- кины повериностного слоя по сравнению со способом-прототипом в 10 раз.Р РРррр Р;Р 11 р Ры ми 111 нрсУГ т формула изобретения Составитель В,БезбородоваТехред Л.Сердюкова торре 7 рр Р 1,с 1 срр;ср Редактор З,Ходакова Заказ 2832 Тираж 1 ОлписнсеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия; рр ГКНТ СС Р113035 р Москва, Жр Рауцская наб., д, .р/" Производственно-иэдательски 1 комбинат Патент, Г,Урсгорел, ч, Гагарина, 1(1 Способ определения толщины нару- пенного слоя на поверхности кристаллов, включающий травление, измерение толщины удаляемого слоя и контроль с.тепени дефектности структуры поверхНОСТИр 0 Т Л И Ч а Ю Щ И И С Я ГЕМр что, с целью повышения точности опмикронных слоев, кристр НредвариТЕ. НС НЫдс РжняаЮт Я атМОСфЕРЕ ВКТИДсзг о газа, не входяпего в состав бкристалар при давлении 1 Па и времени го 10 мин, в качестве травителяипсцьэуют поток ионов инертного газа, контроль осуществляют по концентрации активного газа на псвеохностикристалла, а эа толщину нарущенногослоя принимают толщину удаленногос:Оя, при которой коиценрация активного газа составляет 107. От первона 1 б чальной.
СмотретьЗаявка
4160051, 12.12.1986
КОВТУН Е. Д, ПОЛТОРАЦКИЙ Ю. Б, ПРОЦЕНКО А. Н
МПК / Метки
МПК: C30B 33/00
Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины
Опубликовано: 07.07.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1455786-sposob-opredeleniya-tolshhiny-narushennogo-sloya-na-poverkhnosti-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения толщины нарушенного слоя на поверхности кристаллов</a>
Предыдущий патент: Способ контроля герметичности изделий
Следующий патент: Стенд для ударных испытаний
Случайный патент: Способ сварки плавлением