Сафаралиев

Номер патента: 1297523

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Нурмагомедов, Сафаралиев, Таиров, Цветков

МПК: C30B 23/02

Метки: sic)00100-00x(aln)00x, растворов, слоев, твердых, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас.SiC 20 80AlN Остальное

Номер патента: 1266253

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Билалов, Самудов, Сафаралиев

МПК: C30B 19/04

Метки: слоев, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, отличающийся тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100 1400К и воздействии на него постоянного электрического тока.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения растворимости SiC и увеличения за счет этого скорости осаждения, в раствор-расплав добавляют Al или Ga в количестве, равном по массе количеству Yb.

Номер патента: 1819922

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов

МПК: C30B 29/02, C30B 29/36

Метки: материал, полупроводниковый

...Но в отличие от предыдущего случая,процесс проводили при температуре1900 Сдавлении ЗО М 1 а в среде Й 2 в течение 60 мин. Ширина полученного слоя гомовалентного твердого раствора (31 С)1-х(ЕгС)х 40составила 10 мкм.П р и м е р 3. В этом случае кристаллыкарбида кремния и карбида циркония, обра-ботанные так же, как и в примерах 1 и 2,прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью 5 мкм. Процесс проводили притемпературе 1700 С, давлении 20 МПа в среде Мг в течение 60 мин. Ширина слоя гомовалентного твердого раствора (31 С)-х(ЕгС)х 50составила 5-7 мкм. Во всех трех случаяхполучались гомовалентные твердые растворы (31 С)1-х(2 гС) во всем диапазоне изменения состава (0 х 1),...

Номер патента: 1730219

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Гогоци, Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: материал, полупроводниковый

...карбида кремния и карбида ниобия, обработанные так же, как и в примерах 1 и 2, прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью .5 мкм, Процесс проводили при 1700 С, давлении 20 МПа в среде ч 2 в течении 60 мин. Ширина слоя гетеровалентного твердого раствора (ЯС)1-х(ИЬС)х 5 - 7 мкм,Во всех трех случаях получали гетеровалентные твердые растворы (ЯС)1- х(МЬС)х во всем диапазоне изменения состава (О х 1). Исследования концентрационного распределения КЬ и Я проводились на Оже-микроанализаторе "3 ЕО Я". На фиг, 1 дана обычная электронная микрофотография, Области с элементами различной тяжести отличаются. Более тяжелые элементы светлее.На фиг. 2 изображены концентрационные профили ниобия и...

Номер патента: 238524

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зейналов, Коган, Константинов, Мелик, Орочко, Сафаралиев

МПК: B01J 19/00

Метки: аппаратов, количества, отводимого, тепла, химических

...расходе теплоотводящего агента, подаваемого в теплоотводящее устройство в избытке.На чертеже изображена принципиальная схема осуществления предложенного способа.Схема включает аппарат 1, внутри которого установлен теплоотводящий змеевик 2, циркуляционный насос 3, регулирующий клапан 4, реагирующий на импульсы, получаемые от прибора о, паросепаратор 6 н питательныи насос 7.Тепло из аппарата 1 отводится за счет частичного испарения подаваемой к змеевику 2 5 воды. Регулирование количества отводимоготепла осуществляется изменением количества пара, отбираемого через регулирующий клапан 4 из паросепаратора 6, что нарушает равновесие между парообразованием в змеевике 10 2 и отводом лара из паросепаратора 6. В результате изменяется давление и...