Патенты с меткой «вернейля»

Номер патента: 688777

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Пискун, Сытин, Хаимов-Мальков, Циглер

МПК: F23D 21/00

Метки: вернейля, выращивания, горелка, кристаллов, методу

...горелки позволяет получить, например, кристаллы рубина с изменением показателя преломления ЛУ: 110 -на диаметре 20 мм при длине 240 мм. центральодного маИзобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов и может быть спользовано в электронной промышленноти,Известна горелка, содержащая корпус сцентральным каналом для подачи исходного материала и размещенные по концентрическим окружностям сопла для выходатопливовоздушной смеси 1.Недостатком описанной горелки является трудоемкость ее изготовления, подгорание соли в процессе работы и низкое качество выращиваемых кристаллов.Целью изобретения является стабилизация процесса горения и улучшение качества выращиваемых кристаллов,Цель достигается тем, что отношениядиаметров...

Номер патента: 248637

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Либин, Носоновский, Пищик

МПК: B01J 29/16, C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...ся от известного тем, что основная и дополнительная горелки расположены так, что их факелы направлены в ра- бочее пространство печи.Это позволяет уменьшить градиент 26 температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла.На чертеже изображено предложенное устройство.25Оно содержит питатель 1 порошка с вводом 2 кислорода и основную горелку, состоящую из центральной трубки 3 с соплом 4,. трубы 5 с соплом 6 и вводом 7 кислорода, трубы 8 с соплом 9 и вводом 10 водорода, Устройство также включает дополнительную горелку, состоящую из трубы 11 с соплом 12 и вводом 13 гаэообразного топлива, печь, состоящую из корундового цилиндрического стакана 14,шамотной изоляции 15, легковеснойтеплоизоляции 16, металлическогокожуха 17 и...

Номер патента: 324781

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Дербенева, Зверев, Зубкова, Цейтлин

МПК: C30B 11/10, C30B 29/20

Метки: алюминия, вернейля, выращивания, корунда, методом, монокристаллов, окиси, приготовления, пудры

...пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда, которые могут быть использованы в ювелирной и,часовой промышлен ности, а также в других областях, где требуются окрашенные качественные кристаллы корунда.Известен способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания 1 О монокристаллов корунда и рубина методди Вернейля путем совместного осакд 4 ния исходных компонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре. 15Недостатками известного способа являются низкие концентрации легирующих добавок, низкие .скорость выращивания и выход качественных кристаллов, а также сложность получения рО различных оттенков монокристаллов.По предлагаемому способу в исходную шихту вводят фторид алюминия в...

Номер патента: 1820925

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Гусев, Каргин, Царев, Циглер, Чиркина

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом

...одного материала к другому в ходе одного циклакристаллизации при выращивании многослойного кристалла.Так, в эксперименте установлено, чтопри выращивании сложного кристалла, например лейкосапфир-рубин-лейкосапфира,.с постоянным диаметром при переходе отодного материала к другому расход кислорода, согласно программе автоматическогорегулирования расхода газов, меняется на 4 - 6 от общего расхода. кислорода центральной горелки и соответственно берется тем больший процент измерения расхода,. тем больше диаметр вцращиваемого кристалла.Процесс выращивания кристаллов повышенной оптической однородности диаметром от 10 до 100 мм с использованием вновь разработанных систем нагрева и расположения Фронта кристаллизации эффективно осуществляется при...

Номер патента: 805667

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Сытин, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методу

Устройство для выращивания кристаллов по методу Вернейля, включающее кристаллизатор со смотровым окном и горелку, установленную над ним, отличающееся тем, что, с целью более равномерного обогрева торца растущего кристалла и улучшения за счет этого его оптической однородности, нижний торец горелки выполнен сферическим с радиусом R = 2F, где F - расстояние от нижнего торца горелки до оси смотрового окна, и имеет зеркальную поверхность.

Номер патента: 403236

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов

Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристалла, она снабжена дополнительным бункером с дозатором и шихтопроводом, введенным в кристаллизационную камеру эксцентрически относительно ее вертикальной оси.

Номер патента: 304784

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Ильин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, монокристаллов, способу

Устройство для выращивания монокристаллов по способу Вернейля, включающее кристаллизатор, систему подачи газа, бункер с дозатором, шихтопровод, входящий в полость горелки, и кристаллодержатель с приводом для его вращения, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного градиента вдоль выращиваемого кристалла, горелка с шихтопроводом и бункером с дозатором размещена на каретке, перемещающейся по вертикальным направляющим при помощи привода, между шихтопроводом и верхней частью кристаллизатора выполнено уплотнение, а кристаллодержатель закреплен на одном уровне с кристаллизатором.

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.