Способ определения кристаллографической ориентации изделий из монокристаллов

(я)5 С ЗО В 33 ОПИСА БРЕТЕ лических материалов, Сущность ния; сначала производят измере ховатасти обработанной пов монокристалла по нескольким на ям и по полученным результатам с говую диаграмму из шероховатости, которую затем и ют в круговую диаграмму измене сительной микротвердости па нологичегоО.И,Ильтроннооп, 1970. Р 983, дость ед., Р мкм. Спасо кость апре ориентации сти измеряе 1 пр. роховатость поверхности, валяет снизить трудаемия кристаллографической ранить качество паверхноизделия. 1 з.п, ф-лы, 3 ил ш б по делен и сох мого Способ осуществляют следующим образом. Изделие представляет собой манокристалл, подвергнутый механической обработке с целью придания ему необходимых геометрических размеров. Причем заранее известно одно из 3-х направлений кристаллографической ориентации изделия, Для определения двух других направлений кристаллографической ориентации последовательно измеряют шероховатость обработанной поверхности изделия путем вращения изделия относительна известного направления кристаллографической ориентации с заданным шагам.По полученным значениям строят круговую диаграмму изменения шероховатости обработанной поверхности (фиг. 1). ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(71) Московский авиационный техский институт им, К,Э.Циалковско(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ ИЗДЕЛИЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛОВ,57) Использование: для кристаллографической ориентации изделий из монокристалИзобретение относится к кристаллографии и может быть использовано для кристаллографической ориентации изделий из монакристаллическихматериалов.Цель изобретения - снижение трудоемкости определения кристаллографической ориентации и сохранение качества поверхности измеряемого иэделия.На фиг. 1 представлена круговая диаграмма изменения шероховатости обработанной поверхности изделия из монокристалла; на фиг. 2 - круговая диаграмма изменения относительной микро- твердости, рассчитанной по предлагаемой формуле; на фиг. 3 - круговая диаграмма изменения микротвердости, полученная экспериментальным путем где Н - относитель 1Йа изобретение шероерхности правленитроят круменения реобразуния отноформуле: икротверГлубина внедрения индентора в твердое тело обратно пропорциональна твердости этого тела, поэтому при механической обработке глубина внедрения режущей кромки инструмента в обрабатываемый материал, а следовательно, и шероховатость обработанной поверхности обратно пропорциональны ее твердости. Это позволяет преобразовать круговую диаграмму изменения шероховатости в круговую диаграмму изменения некоторой величины, обратно пропорциональной шероховатости обработанной поверхности. Данную величину можно назвать относительной микротвердостью материала. Преобразование круговой диаграммы изменения шероховатости в круговую диаграмму изменения относительной микротвердости (фиг. 2) осуществляют по формуле: где Н - относительная микротвердость, ед.;Йа - шероховатость поверхности, мкм.Поскольку полученная круговая диаграмма изменения относительной микро- твердости подобна круговой диаграмме изменения микротвердости, полученной экспериментальным путем по известному способу, то по ней также можно определять кристаллографическую ориентацию иэделия из монокристалла,П р и м е р. Образцы из монокристаллического никелевого сплава имели цилиндрическую форму, причем заранее известно, что ось образцов совпадала с кристаллографической ориентацией 001. Наружная цилиндрическая поверхность образцов была подвергнута чистовой токарной обработке для обеспечения необходимых размеров.Для определения кристаллографических ориентаций 100 и 010 измерялась шероховатость поверхности образца вдоль его образующей с шагом 12 в интервале 360 с помощью профилометра мод. "Калибр 252", По полученным результатам была построена круговая диаграмма изменения шероховатости (фиг. 1), которая была преобразована по предлагаемой формуле в круговую диаграмму изменения относительной микротвердости (фиг. 2),На этих же образцах были произведены измерения микротвердости на приборе ПМТс нагрузкой Р =-100 г, по результатам55 где Н - относительная микротвердость, ед.; Вз - шероховатость поверхности, мкм. которых была получена круговая диаграммаизменения микротвердости(фиг. 3), Как видно из представленных диаграмм, кристаллографические направления 100 и 0105 можно определить с достаточной точностью.Так как время, необходимое для замерашероховатости, значительно меньше времени, необходимого для замера микротвер 10 дости, то общая трудоемкость определениякристаллографической ориентации иэделийиз монокристаллов по предлагаемому способу в 3-5 раз меньше, чем для известногоспособа. Кроме того, после определения15 кристаллографической ориентации образцов по предлагаемому способу на их поверхности, подвергнутой чистовой обработке,отсутствуют следы измерений в виде отпечатков, которые неизбежны при определе 20 нии кристаллографической ориентацииизвестным способом,Использование предлагаемого способаопределения кристаллографической ориентации изделий из монокристаллов обеспе 25 чивает по сравнению с известными.способами возможность определения кристаллографических направлений с помощью простых измерений шероховатостиобработанной поверхности. При этом повы 30 шается производительность труда, не требуется специальная квалификацияперсонала и сохраняется качество поверхности измеряемого изделия.Формула изобретения35 Способ определения кристаллографической ориентации изделий из монокристаллов по круговой диаграмме изменениямикротвердости, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью снижения трудоемкости опре 40 деления кристаллографической ориентациии сохранения качества поверхности измеряемого изделия, производят измерение шероховатости обработанной поверхностимонокристалла по нескольким направлени 45 ям и по полученным результатам строят круговую диаграмму измененияшероховатости, которую затем преобразуют в круговую диаграмму изменения относительной микротвердости по формуле50( ооСоставитель Л,Хворосухин Редактор Техред М.Моргентал Корректор С,Лисин аказ 1709 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина