Способ получения кристаллов теллурида кадмия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1818364
Автор: Колесников
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 30 В 33/02, 29/ ПИСАН АВТОРСКОМ О ТЕН ИДЕТЕЛЬСТВ Я КРИСТАЛЛО чение кристаллов и. Сущность изоащивают из рас- -950 С в течение лы со светопропу,6 мкм не менее рдого тела АН агастегатоп о 1гума 1 э. Арр. Рпуэ, 70 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(71) Институт физики тСССР(56) ЯЫп З,Н. ет. а 1. СиТе-ргесртагаеви СОТе сест. 1983, ч,42, М 1, р,68 Изобретение относится к технологии получения кристаллов СОТе для ИК-оптики.Цель изобретения - получение кристаллов для инфракрасной оптики со светопропусканием на длине волны 10,6 мкм не менее 65 /см.Поставленная цель достигается тем, что в известном способе-прототипе, включающем выращивание кристаллов СОТе из расплава и. последующую термообработку в парах кадмия, послеростовую термообработку в парах кадмия ведут при температуре обрабатываемого кристалла 930-950 С в течение 60 - 70 ч.Светопропускание полученных таким образом образцов на длине волны 10,6 мкм65/см, т,е, выше, чем у кристаллов, выращенных по способу-прототипу. Высокое светопропускание позволяет применять такие кристаллы в инфракрасной оптике.Этот эффект достигается компенсацией собственных примесных уровней в СОТе при проведении такой послеростовой термообработки.(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, (57) Использование; полу для инфракрасной оптик бретения: кристаллы вырплава и отжимают при 930 60 - 70 ч, Получают кристал сканием на длине волны 1 65, 1 табл,Температура обрабатываемого кристалла СОТе 930 - 950 С выбрана экспериментально(см.таблицу), Из таблицы (строки 1 - 2) видно, что при температурах ниже 930 С значение Т 1 о 6 остается низким. Испольэо- Б вание температур выше 950 С нецелесообразно, т.к. при этом начинается интенсивная сублимация СОТе, происходит термическое стравливание поверхности обрабатываемого кристалла (см, таблицу, строка 8),Снижение продолжительности отжига Сд(менее 60 ч) приводит к получению кристал лов с недостаточно высоким светопропуска- фь нием (см,таблицу, строка 3), а увеличение (свыше 70 ч) нецелесообразно, т,к. не приводит к росту величину Т 1 о б (см, таблицу, строка 4).Известных технических решений, имеющих признаки, сходные с признаками, отличающими заявленное решение от прототипа, не обнаружено. Следовательно заявленное решение обладает существенными отличиями,1818364 Составитель Н,КолесниковТехред М.Моргентал Корректор Н,Ревск едак аказ 1927 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ГКНТ С Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 П р и м е р: Кристалл СбТе выращиваютиз расплава. Полученный кристалл помещают в кварцевую ампулу так, что на одном конце ампулы находится кристалл, а на другом - источник паров кадмия.Ампулу ваку умируют до остаточного давления 10 з мм :, рт.ст., запаивают и помещают в печь так, что температура обрабатываемого кристалла составляет 940 С. Ампулу выдерживают в печи 65 час, после чего извлекают и вскры вают, Получен кристалл СбТе со светопропусканием 65/см на длине волны 10,6 мкм (см.таблицу, строка 6).Примеры с другими значениями темпе",.;. ратуры и времени термообработки приведе ." ;,;: ны в таблице, строки 5 и 7,Таким образом, применение предлагаемого способа, по сравнению со способом- прототипом, позволяет получать кристаллы СбТе для инфракрасной оптики со светопропусканием на длине волны 10;6 мкм 65 /см,Формула из о бр ете н ия Способ получения кристаллов теллурида кадмия, включающий выращивание кристаллов из расплава и их последующую термообработку в парах кадмия, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью получения кристаллов для инфракрасной оптики со светопропусканием на длине волны 10,6 мкм не менее 65 /см, термообработку проводят при 930 - 950 С в течение 60 - 70 ч.
СмотретьЗаявка
4947024, 20.06.1991
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА АН СССР
КОЛЕСНИКОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 29/48, C30B 33/02
Метки: кадмия, кристаллов, теллурида
Опубликовано: 30.05.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1818364-sposob-polucheniya-kristallov-tellurida-kadmiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов теллурида кадмия</a>
Способ изготовления нелинейного материала для обращения волнового фронта электромагнитной волны
Номер патента: 1396795
Опубликовано: 20.10.1995
Авторы: Иванов, Иншаков, Махро, Хулугуров
МПК: G02B 5/00
Метки: волнового, волны, нелинейного, обращения, фронта, электромагнитной
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОБРАЩЕНИЯ ВОЛНОВОГО ФРОНТА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ на основе монокристалла фторида лития с примесными ионами гидроксила, включающий облучение кристалла ионизирующим излучением до доз 2,5 103 1,25 105 Кл/кг, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности, затрачиваемой на создание динамической дифракционной решетки, путем заселения метастабильных состояний рабочих центров с одновременным увеличением набора частот обращаемых волн, кристалл дополнительно легируют примесными ионами гидроксила до достижения коэффициента поглощения на длине волны...
Замедляющая система типа “лестница с выступом” для усилителей прямой волны со скрещенными полями
Номер патента: 512506
Опубликовано: 30.04.1976
Автор: Бахарев
МПК: H01J 23/24
Метки: волны, выступом, замедляющая, лестница, полями, прямой, скрещенными, типа, усилителей
...за счет изгиба штырей и части выступа лестницы перпендикулярно к плоскости системы таким образом, чтоизогнутые части выступа оказываются в двухплоскостях, параллельных плоскости симмет 15 рии системы и удаленных по обе стороны отпоследней на расстояние, равное примерно одной трети ширины выступа. При этом впадинылестницы расположены в выступе системы, аштыри лестницы укреплены на ее основании.20 Боковые стенки сделаны таким образом, чтоони удалены на достаточное расстояние отштырей системы в области концов штырей 1и максимально приближены к ним в областивыступа 3, обеспечивая минимальный магнит 25 ный зазор в районе расположения постоянногомагнита,Охлаждение штырей системы жидкостьюприводит у известной системы к...
Способ получения покрытия
Номер патента: 1713669
Опубликовано: 23.02.1992
Авторы: Ильиных, Машляковский, Филиппенко
МПК: B05D 3/02
Метки: покрытия
...покрытий. Падающий поток инфракрасного излучения имеет следующие характеристики: макси- мум спектральной плотности потока - область для волн 1 мкм; удельная плотностьЕ) падающего потока излучения 1,25 Вт/см .Покрытия из композиции 2 - 4 (примеры 2 - 4) получают аналогично примеру 1.П р и м е р 5. Образцы с нанесенной аналогично примеру 1 композицией 1 помещают в поле инфракрасного излучения СОзлазера марки ИЛГНдля формирования и отверждения покрытий. Падающий поток инфракрасного лазерного излучения имеет следующие характеристики: длина волны излучения 10,6 мкм; Е = 1,5 Вт/см.Покрытия из композиций 2, 3, 4 (примеры 6 - 8) получают аналогично примеру 5.П р и м е р 9, Покрытия иэкомпозиции 1 получают аналогично примеру 5, но при Е =.3,0...
Оптический монокристаллический материал
Номер патента: 1767050
Опубликовано: 07.10.1992
Авторы: Быстрова, Вистинь, Соболев, Федоров
МПК: C30B 11/02, C30B 29/12
Метки: материал, монокристаллический, оптический
...- С, которая удовлетворяет следующему соотношению: С = (127,4 г - 84-127)1 мол.%,где г- ионный радиус редкоземельного элемента по системе Шеннона для координационного числа 8 или средний ионный радиус всех редкоземельных элементов, входящих в твердый раствор, А,Интервал концентраций для редкоземельного элемента, равный й 1 мол.%, был выбран потому, что, как видно из диаграмм состояния, отклонение равновесного коэффициента распределения примеси от единицы в этом интервале не превышает=.0,1%. Это обеспечивает равенство эффектианого коэффициента распределения примеси единице, отсутствие сегрегации и безъячеистый рост практически при любых скоростях кристаллизации.Таким образом, использование установленной экспериментальной...
Оптический мультивибратор
Номер патента: 2003150
Опубликовано: 15.11.1993
Автор: Майер
МПК: G02F 3/00
Метки: мультивибратор, оптический
...излучения начинает вводиться (вместе с накачкой) в нулевой волновод, и поэтому еще через время т, т.е. в момент ", = 2 г+ т все излучение начинает выходить уже из нулевага волновода. Следовательно, ь момент т = 2 т+ 2 г прекращается ввод сигнала в нулевой волновод, и поэтому в момент 1 = 2 г + Зг все излучение вновь выходит из первого волновода, В дальнейшем процесс повторяется с периодом, равным 2(т+ т) (фиг.3).В ряде случаев схема оптического мультивибратора может быть неустойчива в связи с тем, что по каналу обратной связи проходит излучение с поляризацией, отличной от требуемой, В этих случаях целесообразно ввести в канал обратной связи поляризационный фильтр Г, препятствующий проходу паразитного излучения (фиг.2, б, в, г).В...
Предыдущий патент: Способ автоматического управления процессом выращивания кристаллов методом бестигельной зонной плавки
Следующий патент: Способ очистки щелочно-галоидных монокристаллов
Случайный патент: 181563