Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1526303
Авторы: Гальчинецкий, Рыжиков, Старжинский, Файнер
Текст
СООд СОВЕ СКИХ СОЦИЛЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУбИК ГОСУДЛРСТВЕ НОЕ ИЛТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(ГОСГЛТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Приме примере 1,но тельность т данные по ко ментоо приве р 2. Процесс проводя 1, кдк в изменяют температуру и длирмообработки, Полученные ффициентам поглощения эледены о таблице,(21) 4378161/26(56) Карлов Н.ВСисякин Е,В, Оп 1 ическиематериалы для СО 2-лазероо. Известил АНСССР, сер, "Физическая", 1980, т,41, ч 8,с.1631 - 1638,Авторское свидетельство СССРМ. 1111516, кл, С ЗО В ЗЗ/00, 1982,54) СПОСОБ ТЕ РМООБРАБОТКИ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ СЕЛЕНИДА ЦИНКА Изобретаие оносится к получению материалов, примеемых о электронном приборостроении,лазерной силовой оптике и технике, о лазерной спектроскопии, и может быть использовано, например, при разработке мощных СО 2-лазеров, оптических затворов и модуляоров,Целью изобретенил яоллатсл уменьшено козфф,циенгд оцти еского поглощения о ифрдкрдсног области,П р и м е р , Из крисалла селенида цинка, полученного вырдщиогнием из расплава под давлением дргонд, оырезают диски диаметром 25 мм и толщиной 6 мм. Проводят их шлифсоку и олирооку. Получаот оптические элелвть диамером 25 мм и тол щиноы 5 мм с отовски по/ироидньми рабочими пооерхностлл,и. Затем опи вские элелеты олещдо о кодрцеоуо ампуду обьел 1 ол 1 150 сл, о которуо добавляютзндвеску теллур, достэочнуо длл получения насыщенного гдрд. Амгулу с оти ескими элементами и наосской теллура одкуумирую 1 до 10 мм рт.сг. и омецдют о(57) Изобретение относится к обработке кристаллов, конкретно селенидд цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области, Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент, Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл,электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, оыдержиоаот при этой темературе 40 ч, здтел печь выключдют, После остыоднил печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываотся равными 3 10 см . СЛ Таким образом, из примеров видно, что способ по изобретению позволяет по сравнению с прототипом уменьшить коэффициент оптического поглощеил опических элементов из кристаллов селенида цинка на 1-2 порядка, Способ обеспечивает достижение высокой оптической однородности состава материала, что обусловливается увеличение его лучевой прочнос 1 и,1526303 й с я тем, что, с целью уменьшения коэффициента оптического поглощения в инфракрасной области, термообработку проводят в атмосфере насыщенного пара теллура при 5 нагреве до 1000 - 1050 С в течение 40 - 44 ч. Формула изобретения Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка, включающий выдержку при их нагреве. о т л и ч а ю щ иПримечание Коэффициент оптического Пример Температура тер- мообрао ботки, С Длительностьтермообработки,ч поглошенияЬе длиневолны10,6 мкм, см 1 10 30,0 950 Процесс экстракцин примеси и рассасывания неоднородностей прошел не полностью3 10 Процесс экстракциипримеси и рассасывания неоднородностей завершился полностьюНе изме- Наблюдается сублимаряетсяция материала, подплавление краев элементов, ухудшается класс обработки оптических поверхнос- тей 44,0 1050 1100 50,0 4 (прототип) 1 1 О.2,5 400 Составитель В,БезбородоваТехред М.Моргентал Корректор Ливринц Редактор Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ 1972 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5
СмотретьЗаявка
4378161, 18.02.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6496
ГАЛЬЧИНЕЦКИЙ Л. П, РЫЖИКОВ В. Д, СТАРЖИНСКИЙ Н. Г, ФАЙНЕР М. Ш
МПК / Метки
МПК: C30B 29/46, C30B 33/00
Метки: оптических, селенида, термообработки, цинка, элементов
Опубликовано: 07.05.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1526303-sposob-termoobrabotki-opticheskikh-ehlementov-iz-selenida-cinka.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка</a>
Оптический логический элемент
Номер патента: 714337
Опубликовано: 05.02.1980
Авторы: Андренко, Шестопалов
МПК: G02F 3/00
Метки: логический, оптический, элемент
...и пластиной с изображениемисходной информации установлена управляемая плоскопараллельная пластина. Исходный пучок квазимонохроматическогосвета после коллиматора и поляризаторапри помощи полупрозрачного зеркала расщепляется на два световых пучка, Пластина с иаходной информацией располагается в одном из пучков, В другомпучир помещены плоскопараллельная пластина, осуществляющая управление поляризацией, и пластина с изображением информации Г 33.При помощи системы зеркал - отражающих и полупрозрачных - световыепучки складываются в один, на выходе- которого и установлен .приемник результирующего изображения информации картинного типа, В тех точках результирующего пучка, где происходит взаимодействие двух линейно-ноляризованныу...
Способ интерференционного измерения распределения показателя преломления в оптических градиентных элементах
Номер патента: 1332200
Опубликовано: 23.08.1987
Авторы: Грилихес, Полянский, Яхкинд
МПК: G01N 21/45
Метки: градиентных, интерференционного, оптических, показателя, преломления, распределения, элементах
...возможная толминщина слоя,Ап - перепад показателя преломления в образце,г - размер градиентной зоныв образце в направлении 5градиента;Ьг - предельно допустимое смещение луча на толщинеслоя.При этом величина Ьг задается исходя иэ предельно допустимого смещения луча на толщине слоя. Значения ги лп могут быть определены несколькими способами, в том числе и с использованием интерференционной картины образца. Размер градиентной зоныг определяется непосредственно поразмеру ее интерферограммы, а величина перепада показателя преломления 20 равнадКдп = - - -1-огде л К - число интерференционных полос в градиентной зоне образца;25; - длина волны используемогоизлучения1 - толщина образца.0Вторично пропускают световой потоки определяют...
Узел крепления элемента насыщения к судовой несущей конструкции и способ крепления элемента насыщения к судовой несущей конструкции
Номер патента: 1073149
Опубликовано: 15.02.1984
Авторы: Журавлев, Розов, Стопницкий, Энглин
МПК: B63B 5/24
Метки: конструкции, крепления, насыщения, несущей, судовой, узел, элемента
...состава,м.с, ч.Форполимер СКУ-ДФ(содержание диамина304 - 35/о) 22 5и имеет толщину 1 5 мм, а сло 1 пконтактирующий с несущей конструкциеи,выполнен из клея с относительным удлинением 2-50 о/о и имеет толгцину 0 1-0,2 мм.При этом гибкий элемент выголнен мозаичным из фольги.Причем согласно способу крепления элемента насыщения к судовой несущей конструкции, при котором на контактирующиеповерхносги наносят клей прижимают элемент к несущей конструкции и о-всрждаютклей, клей наносят в два слоя, между кото рыми размещают гибкий элемент при этомнанесение и отверждение клеевого слоя между эоементом насыщения и гибким элементом производят до . нанесения и отверждения клеевого слоя между гибким элементом и несущей конструкцией.На фиг. 1...
Оптический логический элемент
Номер патента: 251220
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: H03K 19/14
Метки: логический, оптический, элемент
...определенной поляризации проходит через кристалл без отклонений ц выходит в,некоторой точке кристалла, а луч света другой поляризации отклоняется и выходит в точке, отличной от,предыдущей. Третий кристалл ас изменяет положение плоскости поляризации луча света на первоначальное, если к нему приложена разность потенциалов. К первому ц третьему кристаллам,приложена одна и та же разность потенциалов.Прц подаче луча лазера на первый кристалл ас первой ячейки Сс оптического логического элемента Д в зависимости от приложенной разности потенциалов Хс на каждую цз ячеек, луч лазера появляется в одной изРточек третьего кристалла ас,последней ячейЗаказ 3784/18 Тигаж 48011 ИИИПИ Комитета по делам изобретений и огкрытий при СоветЫосква М(.8 Ь,...
Оптический запоминающий элемент
Номер патента: 345518
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: G11C 13/04
Метки: запоминающий, оптический, элемент
...поляризованный луч, образующийся в системе 4, имеет интенсивность, вдвое большую интенсивности луча 14,Линейно поляризованный свет из системы 4 проходит фильтр 5, прозрачный для линейно поляризованного света, и поступает в поляризатор 6. В поляризаторе 6 линейно поляризованный свет преобразуется в правоциркулярно поляризованный, В качестве поляризатора 6 в простейшем случае может быть использована линейная фазовая 90-ная пластинка. Полученный пучок поступает на полупрозрачное зеркало 3, на котором разделяется. Прошедшая часть света поступает в систему 7, и, пройдя ее, задерживается фильтром 8, не пропускающим свет, поляризованный по кругу. Отраженная часть попадает в замкнутый контур из элементов 1, 2, 4, 5, 6 и 3, в котором...
Предыдущий патент: Способ получения коллагеназы
Следующий патент: Способ получения алифатических сополиамидов
Случайный патент: Тележка для промежуточного ковша