Кобзарь-Зленко

Номер патента: 1157889

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кристаллов, селенида, цинка

...мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразно 40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давленияинертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас тущим кристаллом. Формула и зоб рете н и я СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при...

Номер патента: 1625068

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Загоруйко, Кобзарь-Зленко, Комар

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...в которой показано изменение коэффициента 3 см в зависимости от условийобработки),Это достигается благодаря воздейст 30 вию на образец термических напряжений,расположенных под углом 90 к плоскостиобразца, Расположение боковых нагревателей под прямым углом к центральному обусловливает аналогичное расположение35 градиента температур в полости нагревателей и образующихся термических напряжений в материале кристалла, чтоспособствует противоположному воздействию термических напряжений на разориен 40 тированные по объему кристалласпонтанные напряжения кристаллическойрешетки образца.Проектируя эти точки в систему координат температура (Т, С) - длина (см), получаем точки а, б, в, г, д, е, и т.дсоединяя их между собой, получаем графическую...

Номер патента: 609230

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: неорганический, растворитель

...необходима либо выращивать, либо отжигать В атмосфере кислородадля окисления двухвалентнога железа втрехвалентное. Выращивание в атмоСферекислорода 800 - 1300 С) вызывает разрушение платиновых изделий,Перечисленные недостатки существен, но уст ожняют процесс получения монокристаллов из раствора-расплава с использованием растворителя, содержащего окислы свинца. бора и фтористый свинец, Наиболее близким к изобретению по технической 5 сущности и достигаемому эффекту являетсярастворитель для получения монокристаллав из раствора-расплава - феррит натрия.Однако выращивание феррограната вданном растворителе не позволяет пол учить высококачественные манокристаллыиз-за высокой температуры кристаллиза- ЦИИ,Цель изобретения - повышение качества...

Номер патента: 778157

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов

МПК: C01F 11/00, C01G 23/00, C01G 25/00 ...

Метки: гафнатов, металлов, титанатов, цирконатов, щелочноземельных

...связанной с необходимостью проведе соответствует ЯгТ 10 з.ния ряда трудоемких операций: фильтрации П р и м е р 2, Получение титаната бария.и отмывки осадка от примесей Смешивают 26,138 г нитрата бария,Известен также способ получения тита,188 г титаната натрия и 85,00 г нитратанатов, цирконатов и гафнатов щелочно-зе-., натрия. Далее поступают, как в примере 1,мельных металлов путем термического 20 Получают 21,97 г ВаТОз Выход составляетразложения смешанных алкоголятов тита- .94,4 Яна, циркония и гафния соли щелочно-зе- П р и м е р 3, Получение цирконатамельного металла... стронция.Однако способ сложен из-за необходи- Смешивают 21,165 г нитрата стронция,мости получения алкоголятов. 25 18,520 г цирконата натрия и 80,00 г нитрата. Из...

Номер патента: 813896

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов

МПК: C01F 17/00

Метки: перовскита, соединений, структурой

...Авторское свидетельство СССР В 259070, кл. С 01 Р 17/00, 1968. формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОЕДИНЕНИЙ СО СТРУКТУРОЙ ПЕРОВСКИТА, включаю щий высокотемпературное взаимодействие в стехиометричес ком соотношении соединения редкоземельного элемента и соли амфотерного элемента, выбранного из группы: алюминий, галлий, железо, отИзобретение относится к способам получениг, соединений со структурой перовскита, используемых в производстве высокочастотной керамики и пьезоматериалов, люминофоров и полупроводников; 5Известен способ получения соединений со структурой перовскита, заключающийся в том, что смешивают в стехиометрическом соотношении окись лантана в виде водной суспензии с нитратом алюминия. Тщэтель но перемешивают массу до...

Номер патента: 1468023

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...полости секций 3 заполняют селенидом цинка и в горизонтальном положении контейнера 1 устанавливают одну на другую в нижнюю кристаллизационную полость 2, после чего контейнер 1 устанавливают вертикально, апитатель 4 заполняют оставшимся селени 5 дом цинка. В рабочем положении контейнера 1 цилиндрическая оськристаллизационной полости секций 3 располагается перпендикулярно направлениюкристаллизации. Загруженный контейнер 110 устанавливают в компрессионной печи нашток механизма возвратно-поступательного перемещения, компрессионную печь герметизируют, вакуумируют, заполняютаргоном. Производят оплавление загрузки15 селенида цинка из питателя 4 в кристаллизационные полости секций 3 при перегреверасплава выше...

Номер патента: 1309490

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Кухтина

МПК: C01B 19/00

Метки: селеноводорода

...в ловушку, гдепроисходит синтез селенида, Уменьшениеволокнистого материала менее 0,5 мас,чвыход продукта снижается менее 78 О, аувеличение содержания более 1,5 мас,ч, нецелесообразно, так как выход остается науровне 84. Сникение температуры менее360 С резко уменьшает выход продукта, аувеличение выше 410 не приводит к ростувыхода.Ф,П р и м е р 1, В кварцевую ампулузагрукают 15,00 г селена квалификацииОСЧ, 7,50 г парафина квалификации ц. и 7,50асбеста волокнистого квалификации Ч. Ампулу помещают в трубчатую печь. Подаюточищенный от кислорода и влаги аргон квалификации ОСЧ. После полного удаления изреакционйого объема воздуха ампулу нагревают до 410 С. Образуется 12,534 г селеноводорода, что составляет выход 78,3)1. СПОСОБ...

Номер патента: 1624925

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Терейковская, Файнер

МПК: C03B 11/02, C30B 29/50

Метки: кристаллов, соединений

...газов избыточное давление в печи 50 устанавливают на уровне 50-100 мм водя- ного столба. Включают электронагреватель и .температуру в печи доводят до 1100 С, которую и выдерживают в течение 20 ч при слабом токе аргона. 55Рекристаллизованный в этих условиях сульфид кадмия имеетудельную поверхность 2,4 м /г и насыпную плотность 2766 г/л,Навеску рекристаллизованного сульфида кадмия в количестве 300 г помещают в графитовый тигель и устанавливают на штоке механизма перемещения компрессионной печи. Печь вакуумируют и заполняют аргоном до давления 60 ат. Повышают температуру до 1500 С и при этом избыточное давление аргона достигает 100 ат, Протягивают тигель со скоростью 30 мм/ч через градиент температур нагревателя для сплавления загрузки...

Номер патента: 1558041

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...25 цинка и магния и селенидами примесныхэлементов. Затем температуру в печи снижа)от со скоростью 10-30 в час до температуры плавления хлоридов калия 770 С и печь отключают. В пересыщенном растворе 30 образуется очень много центров кристаллизации и кристаллы растут в виде. пластин-чешуек толщиной примерно 0,1-3 мм в поперечнике. При такой кристаллизации достигается очистка селенида цинка от при мясных элементов как за счет обменныхреакций между хлоридами цинка и магния и сепенидами примесных элементов, так и за счет различных коэффициентов распределения примеси в растворе-расплаве, а размеры ,40 кристаллов не имеют решающего значения.Удельная поверхность монокристаллического селенида цинка снижается; а насыпной удельный вес...

Номер патента: 1478680

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/00, C30B 29/48

Метки: кристаллов, соединений

...снижения содержакислорода.На фиг.1 и 2 покаэаньпускания кристаллов сульи кадмия соответственно,1 - спектры кристаллов, пбез дезоксидации, кривыекристалллов, полученных,цацией. ния примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Вкаочают нагрев, посл дезоксидации проводят вакуумировани и заполнение ростовой камеры инерт ным газом, После расплавления соединения проводят кристаллизацию направлепной кристаллизацией. Дезоксидация позволяет уменьшить содержание приме" си кислорода па 2 - 3 порядка и повысить коэффициент пропускания. 2 вл,Ф оксида цинка, смешивают в...

Номер патента: 1784583

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Иванов, Кобзарь-Зленко, Нагорная

МПК: C01G 39/00, C01G 41/00

Метки: вольфраматов, кадмия, молибдатов, цинка

...- результат осуществленияреакции (3), как и в предыдущем примере,Сочетая уравнение реакций (5). (2), (3),получим итоговую реакцию (6)Со(ОН)2+ ЮУОЗ + СсРЯ 04+ Н 20 (6)После фильтрации, промывки и сушкиосадка получают 17,91 г белого мелкокристаллического порошка со структурой вольфрамата кадмия при теоретическом выходе18,01 г,П р и м е р 5, Для получения 0,05 г мольвольфрамата цинка по реакции (9) 4,07 г.оксида цинка, 16 г нитрата аммония и 20 смззгидроксида аммония плотностью 0,9 см,300 см дистиллированной воды помещаютв колбу и осуществляют взаимодействиекомпонентов по реакции (7) аналогичнопредыдущим примерам.2 пО + 2 ЙН 4 ЙОЗ + 2 ЙН 40 Н-+ 2 п(ЙНз)41(Й 03)2 + ЗН 20 (7)Как и в предыдущих примерах осуществляют реакцию (3), сливая...

Номер патента: 1773870

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Иванов, Кобзарь-Зленко, Нагорная

МПК: C01G 17/00, C01G 29/00

Метки: висмута, германата

...расплава побочного продукта синтеза - нитрата, хлорида, сульфата щелочного металла. При температуре, которая ниже точки плавления побочного продукта и времени менее 1 ч, процесс образования германата в твердой фазе протекает очень медленно, так как диффузионные процессы массообмена протекают с малой скоростью, а конвективное перемешивание отсутствует. Скорость протекания этих процессов резко увеличивается с образованием жидкой фазы - расплава побочного продукта синтеза, где перемешивание осуществляется на молекулярном уровне,Повышение температуры - выше точки плавления побочного продукта синтеза, и времени выдержки взаимодействующих компонентов в солевом расплаве побочного продукта - свыше 1,5 ч, сопряжено с непроизводительными...

Номер патента: 1177273

Опубликовано: 07.09.1985

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов

МПК: C01F 7/04

Метки: алюминатов, двухвалентных, металлов

...на молекулярном уовне. Дальнейшее повышение температуры выше 330 С и времени выдержки взаимо 0 действующих компонентов в расплавенитрата натрия свыше 2-2 5 ч в боль) шей степени способствует разложению нитрата натриями чем интенсификации процесса синтеза после образования жидкой фазы - расплава нитрата натрия.Завершение процессов синтеза при 315-330 С в расплаве нитрата натрия свидетельствует о высокой химической активности компонентов в распла. ве, которая при твердофазном синтезе достигается при 200-1100 С, что обеспечивает существенное снижение термических параметров синтеза.При использовании для синтеза других соединений двухвалентных металлов, например хлоридов или сульфатов, которые по сравнению с нитратами имеют более высокую...