Устройство для выращивания кристаллов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 1819920 А 9 1)5 С 30 В 7/ НИ ие Институт оводниковТолочко и С.2966, кл. 12 Я ВЫРАЩ физики Н БССР Мозжа 2, 1960. ВАНИЯ пьезоэ- лектроя получени ктрических ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(71) Витебское отделентвердого тела и полуп(57) Использование: длектрических, пироэле Изобретение относится к выращиванию кристаллов иэ раствора и может быть использовано для получения пьезоэлектрических, пироэлектрических, электрооптических и других технически важных кристаллов.Целью изобретения является ускорение роста кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что в известном устройстве для выращивания кристаллов, включающем кристаллизационный сосуд, кристаллодержатель с затравкой и насос с патрубком для подачи раствора, снабженным гидронасадкой с системой отверстий, гидронасадка установлена над кристаллодержателем, и оси отверстий в насадке расположены вертикально,На чертеже представлен общий вид предлагаемого устройства.Устройство включает кристаллизационный сосуд 1, кристаллодержатель 2 с кристаллом 3, насос 4 с выходным патрубком 5, снабженным гидронасадкой 6, расположенной над кристаллом 3, В нижней части гидро- насадки б выполнена система отверстий 7,оптических и других кристаллов. Устройство включает кристаллизационный сосуд. Внутри него установлен кристаллодержатель для затравки и насос, Насос имеет патрубок, снабженный гидронасадкой с системой отверстий. При этом гидронасадка размещена над кристаллодержателем, а оси ее отверстий расположены вертикально. Выращены кристаллы КДР, Скорость роста 2,5 мм/ч, что приблизительно в 2 раза выше скорости роста по прототипу. 2 пр 1 ил,Устройство работает следующим образом, Заполняют кристаллизационный сосуд 1 раствором доуровня расположения кристалла 3, Создают условия пересыщения и включают насос 4, При этом раствор, прохо. дя через патрубок 5, выходит из отверстий 7 а гидронасадки 6 в виде нисходящего потока, ОО) образованного системой незатопленных струй, падающих на кристалл 3, При этом вся поверхность кристалла покрывается пленкой стекающего, постоянно обновляющегося раствора,П р и м е р 1, Выращивают кристалл С) КДР из водного раствора в предлагаемом устройстве. Емкость кристаллизационного сосуда 5 л. Внутри него на расстоянии от дна 8 см установлена кристаллическая затравка с размерами вдоль осей х и у 2 см (вершина пирамиды направлена вверх). Над кристаллом на расстоянии 4 см установлена гидро- насадка в виде цилиндра диаметром 3 см и высотой 5 см, в нижней торцевой стенке которого выполнена система отверстий диаметром 1,5 мм,.отстоящих друг от друга на1819920 тСоставитель В.КлубовичТехред М,Моргентал Корректор Л,Пилипен Редактор Т.федотов роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 2,5 мм, В нижней части кристаллизационного сосуда размещен центробежный насос.Заполняют сосуд раствором до высоты 8 см так, чтобы кристалл оставался над раствором. Создают условия пересыщения, включают насос, Температура насыщения раствора 32,3 С, температура роста 26 С, Скорость истечения раствора из патрубка 20 см/с. Длительность выращивания 10 ч. За указанное время прирост кристалла в направлении Е составил 2,5 см, что соответствует скорости роста 2,5 мм/ч.П р и м е р 2 (сравнительный). Выращивают кристалл КДР при тех же условиях; что и в примере 1, но при этом заполняют сосуд раствором до погружения в него кристалла и гидронасадки. Концу цикла выращивания соответствующий прирост составил 1,3 см, что отвечает скорости роста 1,3 мм/ч.Исследования кристаллов показали, что в обоих случаях они являются визуально Заказ 2008 Тираж ВНИИПИ Государственного комитета по 113035, Москва, Жпрозрачными, не содержат включений, обладают одинаковой плотностью дислокаций, измеренной методом травления.Таким образом, предложенное устрой ство по сравнению с прототипом обеспечивает ускорение роста кристалла приблизительно в 2 раза за счет улучшения условий выращивания,10 формула изобретенияУстройство для выращивания кристаллов из раствора, содержащее кристаллиэационный сосуд, установленный в нем кристаллодержатель для затравки и насос с 15 патрубком, снабженным гидронасадкой ссистемой отверстий для подачи раствора к затравке, отлича ющееся тем,что,с целью ускорения роста кристаллов, гидро- насадка размещена над кристаллодержате лем при вертикальном расположении осейее отверстий. Подписноезобретениям и открытиям при ГКНТ ССРаушская наб 4/5