Патенты с меткой «кдр»

Номер патента: 350295

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранец, Иностранна

МПК: H02P 9/30

Метки: «ш, и(па, кдр, союзная

...26; имеющих температурные зависимости, компенсирующие эти погрешности.Тиристоры /а - 7 с не пропускают тока принапряжениях, возникающих за счет остаточного магнетизма. Для обеспечения надежногосамовозбуждения при запуске генератора параллельно этим тиристорам включены болеечувствительные тиристоры 29 а - 29 с. Управляющий элемент 11 срабатывает также при малых напряжениях, обеспечивая управление тиристорами 29 а - 29 с,В случае нагрузки с большой индуктивностью необходимо уменьшить ток через тиристоры 7 а - 7 с и 29 и - 29 с до нуля для возвращения их в непроводящее состояние,Последовательно-встречно с неуправляемымдиодом подключен стаоилитрон до, порог сраоатывания которого определяется напряжением, немного меньшим амплитуды...

Номер патента: 968632

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Волкова, Танаева, Фаерман

МПК: G01J 5/50

Метки: дигидрофосфата, калия, кдр, кристаллов, нагрева, неоднородности

...лазер 1, матовую пластинку 2, кристалл КДР 3, поляриза. тор 4 и экран 5, Осуществление способа возможно в результате обнаружЕнного свойства кристаллов КДР - изменения аномальной двуосиости кристалла в зависимости от градиента температуры.Луч лазера 1, проходя через матовую пластинку 2, расширяется и попадает на кристалл КДР 3, который в силу своих оптимальных свойств Формирует на экране 5 при Положении968632 формула изобретения оставитель В.Петуховехред Т.Маточка Корректор С. Шекм Редактор Г.ус 7./6 8 Тираж 887 ВНИИПИ Государственного коми по делам изобретений и от 113035, Москва, Ж, Раушскаказ 814 Подписноета СССРытийнаб., д, 4/5 П Патент, г. Ужгород,Филиа ктная,пропускания света поляризатором 4 коноскопическую картину,...

Номер патента: 1819921

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Васев, Пополитов, Соболенко, Спицына, Толочко

МПК: C30B 29/14, C30B 7/08

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, кдр, монокристаллов

...кристаллов ДКДР, а такжедля частей призм кристаллов КДР и ДКДР35 (см, фиг,2),Отклонения вектора колебаний затравки от ее оси Е больше 2 вызывало запара- .эичивание кристаллов КДР и ДКДР, врезультате чего большой объем таких кри 40 сталлов непригоден для изготовления оптических элементов. Поэтому колебаниядержателя с затравкой направляют по оси 2затравки.Таким образом, использование данного45 способа по сравнению со способом-прототипом 2 позволяет снизить коэффициентпоглощения в Уф-области кристаллов КДРи ДКДР на 5-24 фД и снизить дефектную область в призатравочной области кристаллов50 до 50% ее объема, получаемого по способупрототипу, что позволяет увеличить выходоптических элементов из этих кристаллов на5-10. ями затравки (кривая 4) с...

Номер патента: 1619750

Опубликовано: 20.07.1997

Авторы: Зайцева, Пономарев, Рашкович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, кдр, монокристаллов, типа

...кристалла, г;У - объем кристалла, см ; р - плотность кристалла г/см ;з,Рр и Рс - исходные веса раствора и солисоответственно, г;СО=а+ЬТ - разновесная концентрация притемпературе Т, г соли/г раствора.Для КДР а=0,799 гс/гр-ра Ь 0,00335гс/гр-рфК; р = 2,338 г/см3Для ДКДР (Х=0,9) а=0,844 гс/гр-ра,Ь=0,0037 гс/гр рафК; р = 2,356 г/смзОбъем кристалла в момент измерения 1вычисляется по его размерам, определяемымс помощью ортогональной сетки на платформе и катетометра. На следующий отрезоквремени Л 1 (например, сутки), зная скоростьроста 2., можно вычислить предполагаемыйобьем У и из уравненияА ехр(В/Т )-(Р -Ч р)Г(а+ЬТ )(Р -Ч р)+1 = О,(3)получить температуру Т, до которой нужно снизить температуру для роста кристалла с Копз 1 за время Л 1,...