Способ обработки хрупких кристаллов

Номер патента: 1663062

Авторы: Анистратенко, Концевой, Оксанич

ZIP архив

Текст

(19) 1)5 СЗО В 33 ОБРЕТЕНИЯ ОЛИСА К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ б- и в им. 50-летияА.П,Оксанич и нити из ия их с. нииспытания на 1966, с.35.ские свойства с,115.РУПКИХ КРИИзобретение относится к способам обработки хрупких материалов,. преимущественно, полупроводниковых пластин, и может быть использовано для низкотемпературного улучшения качества структурного состояния кристаллов,Цель изобретения - уменьшение внутренних механических напряжений и увеличение области уменьшения внутренних механических напряжений.П р и м е р 1. Обрабатывают кристалл кремния, имеющий форму пластины. К поверхности кристалла прижимают острие зонда, выполненного из сплава серебра и платины при содержании платины 80 мас.7, Прижатие осуществляют усилием 1 сН и в таких условиях осуществляют выдержку в течение 1 с. Через 3 ч после обработки в месте контакта методом фотоупругости измеряют внутренние механические напряжения и фиксируют, что в результате обработки они уменьшились от 1,0 до 0,3 МПа.П р и м е р 2. Процесс проводят как в примере 1, но меняют тип пластины и коорОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Завод чистых металлоСССР(57) Изобретение относится к способам о работки хрупких материалов, преимуще венно полупроводниковых пластин позволяет уменьшить внутренние меха ческие напряжения в них. К поверхнос кристалла прижимают острием зонд сплава серебра и платины. Усилие прижат создают не менее 1 сН, а выдержку в так условиях проводят в течение 0,1 - 5,0 Достигают уменьшения внутренних меха ческих напряжений до двух раз без вне ния термических изменений в материал з,п. ф-лы,динаты места укола,Достигают уменьшения внутренних механических напряжений от 11 до 6 МПа.Обработка предлагаемым способом позволяет уменьшить величину упругих внутренних напряжений да 2 раз без внесения каких-либо термических изменений,рмула изобретения 1. Способ обработки хрупких кристал- Оер лов, включающий прижатие к поверхности СЭ кристалла острия гибкого зонда и выдерж- О ку, о т л и ч э ю щ и й с я тем, что, с целью Я уменьшения внутренних механических нар реыеытй,етыд берут из с плесе пеетыны с серебрсы, прижатие осуществляют с усилием не менее 1 сН, а выдержку проводят в течение 0,1 - 5,0 с.2. Способ по п,1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения области уменьшения внутренних механических напряжений, обработку проводят при поочередном перемещении зонда вдоль поверхности с последующим прижатием.

Смотреть

Заявка

4628101, 28.12.1988

ЗАВОД ЧИСТЫХ МЕТАЛЛОВ ИМ. 50-ЛЕТИЯ СССР

АНИСТРАТЕНКО АНАТОЛИЙ ЛЕОНИДОВИЧ, ОКСАНИЧ АНАТОЛИЙ ПЕТРОВИЧ, КОНЦЕВОЙ ЮЛИЙ АБРАМОВИЧ

МПК / Метки

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, хрупких

Опубликовано: 15.07.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1663062-sposob-obrabotki-khrupkikh-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки хрупких кристаллов</a>

Похожие патенты