Способ получения монокристаллических лент сапфира

Номер патента: 1345682

Авторы: Алябьев, Артемов, Буланов, Папков, Перов

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ Я ДЕТЕЛЬСТВУ ВТОРСКОМ. Бу" ов,Аов УАЛЛИИС лектс цииязопособ овлеельса. СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ ТИЙ(46) 15.04.91. Бюл. В 14 (21) 3998989/26 (22) 02.01.86 (72) И.В.Алябьев, С.В.Артеланов, В.С.Папков и В.Ф.Пе (53) 612 е 315.592 (088 е 8) (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНО ЧЕСКИХ ЛЕНТ САПФИРА (57) Изобретение относится ронной технике, производстальных материалов для изгодиэлектрических подложек,. бретения - упрощение проце 5)5 С 30 В 15/34 29/2 включает вытягивание лент иэ расплава через формообраэователь на затравку при одновременном подпитываниирасплава измельченным исходным материалом. Измельчение материала осуществляют при нагревании его до темпе-ратуры 900-200 С,выдержки при этойтемпературе и охлаждении в течениеменее 3 мин, Трудоемкость измельченияисходного материала снижена в семьраз, а процесса в целом - на 5 Х. Выход основной фракции измельченногоматериала 50-803, 1 табл.Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии выращивания монокристаллов, и может быть использовано в производстве специальных материалов электронной техники в виде профилированных монокристаллических лент сапфира для изготовления диэлектрических подложек.Целью изобретения является упрощение процесса.П р и м е р 1. В камерную печь с реэистивным нагревом марки КЯ/25 помещают поддон с исходным материалом в виде полубуль, полученных методом Вернейля, или бракованных кристаллов корунда, выращенных видоизме.ненным методом ГОИ в тигле с формообразователем. Исходный материал нагревают до температуры 1100 С и выдерживают при этой температуре в течение 1 ч, после чего проводят резкое охлаждение исходного материала в течение 0,5 мин путем сброса его в воду .комнатной температуры. Затем исходный материал измельчают в ступке и выделяют основную Фракцию размером зерен 0,5-3,0 мм путем просева через набор сит, Выход основной Фракции составляет 52%, а трудоемкость измельчения1 кг исходного материала составляетО, 1 Н/ч.Повторный нагрев отделенной хруп" ной фракции с последующим сбросом ее в воду, измельчением и просеиванием через набор сит увеличивает суммарный выход годного до 80%.После операции измельчения исходный материал загружают в тигель, при этом возможно испольэовать фракцию любого размера, а основную Фракцию загружают в подпиточный бункер. Камеру установки "Спектр с реэистивным нагревом вакуумируют приблизительно до 1 10мм рт.ст. и лоднимавт мощность до расплавления корунда в тигле. Предварительно, при достижении температуры в камере 1200 С в камерунапускают инертный газ Ат до давленияО,О атм. После расплавления корунда производят эатравлнвание на монокристаллическую затравку ориентации (120)5сразу на группу из 7 лент, Холичество лент в группе задают конструкциейформообразователя. При выходе на всюширину включают подпитку уровня расплава. Подпитку осуществляют эа счет10 сил вибрации в системе подппточногобункера. Вытягивают группу нэ 7 лентдлиной до 1000 мм и более. После этого прекращают процесс вытягивания,либо отводят затравку с лентами всторону и осуществляют затравливаниена другую затравку с последующим вытягиванием и подпиткой,Остальные примеры выполнения приведены в таблице.Примеры 1-5 приведены в пределахзаявленных в формуле изобретения, Впримерах 6-11 показан выход эа пределы параметров,. заявленных н формулеизобретения, пример 12 приведен по25 прототипу,Использование предлагаемого способа получения монокристаллических лентсапФИра по сравнению с прототипом ОО обеспечивает следующее преимущество:уменьшается трудоемкость в семь разна операции измельчения исходного материала и увеличивается выход основной фракции на 20%, что в итоге снижает трудоемкость получения сапфировой ленты на 5%. Формула изобретения Способ получения монокристаллических лент сапфира, включающий вытягивание лент из расплава на затравку через Формообраэователь при подпитке расплава предварительно измельченным исходным материалом, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью снижения трудоемкости процесса, перед измельчением исходного материала осуществляют его нагрев до 900-1200 С, вы держку 1,0"1,5 ч и охлаждение в течение О мин..700 1 О 60 11,8 0,5 1,0 31 1200 0,7 30 12 Редактор Е.Месропова Заказ 1893 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4. Выход ос- Трудоемновной кость измельфракции, Х чения 1 кг Составитель В.БезбородоваТехред М.Ходанич Корректор И. Эрдейи Тираж 274 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

3998989, 02.01.1986

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5476

АЛЯБЬЕВ И. В, АРТЕМОВ С. В, БУЛАНОВ А. И, ПАПКОВ В. С, ПЕРОВ В. Ф

МПК / Метки

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: лент, монокристаллических, сапфира

Опубликовано: 15.04.1991

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1345682-sposob-polucheniya-monokristallicheskikh-lent-sapfira.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллических лент сапфира</a>

Похожие патенты