C30B 25/00 — Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы

Номер патента: 160829

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/00, C30B 29/08, C30B 29/62 ...

Метки: 160829

...Навески исходного германия или кремния и брома помещают в большую часть кварцевой ампулы с перетяжкой. Затем автпулу опускают в жидкий азот, откачивают до давления 1 О 5 мм рт. ст. и отпаивают. Запаяиную ампулу помещают в двухзонную печь так, что часть ампулы снавесками выдерживается при температуре 115 ОС для кремния и 85 О 9 ООС Для германия. Давление паров компот-тента-растворителя при этих температурах составляет 3-4 атм. Другой конец ампулы поддерживается притемпературе 8509 ООС для кремния и 60 ОС для германия.В результате создаваемого перепада температур между частями ампулы в холодном коице ее из паровой фазы выпадает сначала слой поликристалтлического осадка, состоящего из многих тиелких втонокрттстадтлов, а затем на этом...

Номер патента: 163362

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/00, C30B 29/44

Метки: 163362

...Л. И. Марина и С, В. ЯкобсонСПОСОБ ПОЛУУМЕНИЯ МОНОКРНСТАЛЛОВ фОСфИДА.АДАМИЯ,3 Известен способ получения игольчатых монокристаллов фосфида галлия, основанный на восстановлении моноокиси галлия парообразным фосфором.Предложено для получения монокристаллов фосфида галлия реакцию взаимодействия паров фосфора с моноокисью галлия осуществлять в токе инертного газа, В результате указанной реакции, протекаюцгей непрерывно до полного использования исходных реагентов, удается получить значительно более крупные монокристаллы, часть которых выделяется в форме пластин.Предмет изобретенияСпособ получения монокристаллов фосфида г аллия путем взаимодействия (реакции) паров фосфора с моноокисью галлия, отлич а ю щ и й с я тем, что, с целью...

Номер патента: 204444

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C30B 25/00

Метки: 204444

...для по. лучения энитаксиальных слоев докуда оч азертывается на резьбе), либо отдельно. Выходной канал соединяется с помощью фторопластового шланга с печью для диффузии пли др гим устройством.При необходимости образованнчмых потоков различных наро-газовы.направленных в одну реакционнуюнесколько испзрителей собирают в о На чертеже схематически изображен испаритель для получения паро-газовых смесей.Испаритель представляет собой цилиндрический корпус, например, из фторопласта, имеющий центральный канал с камерой разбавления 1 для смешения потока газа, насыщенного парами соединения в камере насыщения 2, с потоком чистого газа в строго определенной пропорции заданной парс-газовой смеси. Соотношение, потоков регулируется, например, с...

Номер патента: 280452

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Засецкий, Калашник, Кириченко, Кузнецов

МПК: C30B 25/00

Метки: ампула, восстановления, газовой, полупроводниковой, фазе, чистоты

...выполнена в виде капилляра с теплоизолирующей рубашкой, а перегородки - в виде вогнутых дисков с центральным соплом и каплеотбойником.Кроме т а с выходным и из о бр ете и 25 1. Ампула для восс фазе материала полуп 1 например, восстановлет ка из его хлорпда, содер тановленпя в газовой оводнпковой чистоты, пя водородом мышьяжащая куб-пспаритель ого, рабочая камера соединен ттуцером при помощи шлифа. Авторыизобретения Э .П. Засецкий,11 а чертеже схематически пзооракена предлагаемая ампула.Ампула содержит куб-испаритель 1 с входными штуцерами для подвода водорода н три 5 хлорида мышьяка и рабочую камеру 2 с перегородками(в зоне воостановления) и вставкой 4 (в зоне конденсации), В хвостовой части ампулы имеется штуцер 5 вывода продуктов...

Номер патента: 396862

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дата, Опубли, Саи

МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C30B 29/62 ...

Метки: 396862

...количество зависит От того,какова должна быть консистенция наносимого 25 слоя. Целесообразно лак добавлять в такомколичестве, чтобы получилась масса, хорошо наносивая кистью.Эту массу наносят на подложку. Прп нагревании происходит обугливание лака и неорганические частицы заключаются в тонком396862 Предмс Г изобретения Сос Гавитепь В. БезбородоваТсхред А, 1(амышникова Корректор О, Тгорнна Реиктор Ю, Агапова, , аЯД 71 д, о92. Тираж 678 Подписное Ц 11 г 11осударствсв 1 о и козитета Совета МишОров ГССР ИО;С.ае ИапРСтенпй И ОтКРЫтнй москва, )К.зо, 1 аушская наб., д. 4/оОб 1. Тии. Костровского уи,)ав си 151 11 Латедьств, 101 Г 11111 и и капк;:ои т "Г, а угольнох слое. Вследствие этого вцесв 1, содействующие росту кристаллов, при воздейст...

Номер патента: 401042

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C30B 29/62 ...

Метки: 401042

...или фтор. Газ пропускают со скоростьго 10 - 20 с.гг/.ггин.П р и м е р 1. В реакционную трубку из плотно спеченной окиси алюмиция вводят 4,5 г углерода и 8 г порошксобразиого кремния техцического качества так, что по направлению пропускаиия газа, кремний цаходится иепосредствеиио перед углеродом. Зятем через реакциоииуго труоу пропускают реакциоииый гяз, который состоит из 72",о Не, 20 о Хе и 8",г С 1 е, в то врезя как реактор иагревают до 1480 С.5 Приблизительцо по истечении 8 чаг реакцияокоцчеиа. Реактор охлаждают и открывают, В результате получают кгловидиые моцокристаллы карбида кремиия диаметром от 3 до 5 лгк и длиной в несколько миллиметров.О П р и м е р 2. Опыт проводят яиялогичцопримеру 1. Состав газа 84 оггг, 11 е, 120/, Х и...

Номер патента: 404502

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C01F 7/02, C30B 25/00, C30B 29/20 ...

Метки: а-окиси, кристаллов, нитевидных

...вырастают нитевидные кристаллы окиси алюминия. 15 едмет из ения 1. Сполов а-ок0 тем вдальнейштем, что,сталловпроцесса5 зуют алю2. Спопроцесспаом теричсм0 2200 С. Изобретение относится к способу получеия нитевидных кристаллов а-окиси алюминия, которые могут быть применены для армирования металлических, полимерных и керамических материалов.Известен способ получения нитсвидных кристаллов и-окиси алюминия в атмосфере водорода путем восстановления окиси алюминия с дальсйшим охлаждеисм.Характерной особенностью этого способа является низкая производитсльность.и невысокое качество получаемых кристаллов,С целью повышения качества кристаллов и производительности процесса в качестве восстановителя используют алюминий, Процесс проводят в...

Номер патента: 1555402

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Бармин, Белокурова, Василина, Земсков, Маврин, Шехтман

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: германий, кремний, монокристаллов, раствора, твердого

...С, в холодную, нагретую до350-400 С, при градиенте температурымежду ними 46,4-71,4 С/см, разложениебромидов и рост монокристаллов твердого раствора германия - кремния втечение 10-20 ч в условиях микроуско-,рений не более 10я. По сравнению спрототипом способ позволяет на двапорядка повысить однородность монокристаллов. 1 табл.(горячая зона). Противоположный конецампулы нагревают до 355 С (холоднаязона). Градиент температуры по длинеампулы 49,6 С/см. Прп данных тепловыхусловиях ампулу выдерживают в течение18,2 ч, после чего осуществляют ееестественное охлаждение до комнатнойтемпературы. Затем ампулу извлекаютиз установки, разбивают и извлекаютмонокристаллы твердого раствора германий - кремний. Полученные монокристаллы диаметром 30-500...

Номер патента: 1650799

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Алексеев, Алесковский, Губайдуллин, Дрозд, Румянцева, Щекочихин

МПК: C30B 25/00

Метки: полупроводниковых, структур

...загрузки реактора 1 производят откачку из него аргона с помощью форвакуумного насоса 11, открыв при этом вентили 12, 13, 14. Затем реактор вакуумируют припомощи диффузионного насоса 15 до давления не выше 10 Па, при этом закрывают вентиль 14 при открытых вентилях 12, 13 и 16, Отключают форвакуумный насос 11 и напуск в него воздуха, открывают вентиль 14 при закрытом вентиле 16, Синтез многослойной периодически чередующейся структуры на поверхности партии образцов с толщиной каждого слоя по 10 нм и общей их толщиной 100 нм на основе соединений селенида цинка и селенида кадмия начинают с напуска металлоорганического соединения цинка, открывая вентиль 17, закрывают его и открывают вентиль 16. Затем подают селенистый водород, Для этого...

Номер патента: 1334781

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Манжа, Патюков, Фишель

МПК: C30B 25/00

Метки: газовой, слоев, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающее реактор в виде горизонтальной трубы с отверстиями, равномерно расположенными на ее стенках, и установленные коаксиально реактору камеру подачи в него газовой смеси, снабженную патрубком, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения дефектности и разброса толщины осаждаемых слоев, реактор снабжен патрубком для дополнительного ввода газовой смеси, а отверстия выполнены в виде продольных прорезей, причем отношение площади прорезей к площади сечения камеры подачи равно 0,05 0,1.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отношение ширины прорези к расстоянию между краем пластины и внутренней стенкой реактора удовлетворяет выражению0,045

Номер патента: 1565088

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Байцар, Воронин, Красноженов, Мустафин, Островская

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/62 ...

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, нитевидных

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3...