Способ выращивания кристаллов

(5)5 С 30 В 7/00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР"ЯЗВь:с.в Й ( сИяЫ Г. г 1 О ГЕЯ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(71) Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводниковАН БССР(56) Козловский М,И, и др, К методике исследования влияния условий кристаллизации на рост и свойства кристаллов. Росткристаллов, М. 1965, т,6, с, 9 - 13.(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Изобретение относится к выращиванию кристаллов из раствора и может быть использовано для получения пьезоэлектрических, пироэлектрических, электрооптических и других технически важных кристаллов.Цель изобретения - ликвидация паразитных кристаллов в течение всего процесса роста.П р и м е р 1. Выращивают кристалл дигидрофосфата калия (КДР) из водного раствора; Кристаллизатор объемом 1 л заполняют раствором (0,5 л), погружают в него кристалл, закрепленный на кристаллодержателе, сверху раствор заливают слоем ва-эелинового масла (0,4 л), Температура насыщения раствора 42 С, температура роста 38 С. Размеры затравки 10 х 10 х 10 мм. После завершения регенерации кристалла инициируют образование в растворе паразитных кристаллов путем ввода в него нескольких (15 - 20 шт) кристаллических частиц размерами 1 х 1 х 2 мм. Переводят криЖ 1650797 А 1(57) Изобретение относится к способу выращивания кристаллов и позволяет ликвидировать паразитные кристаллы в течение всего процесса роста,Кристаллизатор заполняют раствором, Раствор покрывает слой герметиэирующей жидкости, химически не взаимодействующей с раствором, Кристалл выращивают на затравку из пересыщенного раствора. После появления паразитных кристаллов в растворе выращиваемый кристалл помещают в слой жидкости, а в растворе создают недосыщение. После растворения паразитных кристаллов выращивание продолжают, Получают кристалл КДР размером до 15 мм визуально прозрачный, однородный,сталл в зону вазелинового масла и удаляют с его поверхности капельки раствора путем легкого встряхивания кристалла, Нагревают кристаллизатор с раствором и вазелиновым маслом до 48 С и выдерживают при этой температуре до полного растворения пара- СЬ зитных кристаллов (в течение 4 ч), Охлажда- (Я ют раствор до первоначальной температуры О роста 38 С и вводят в него кристалл. Пленка с ваэелинового масла на поверхности кристалла не наблюдается. Выращивают кристалл в течение 24 ч до достижения им размеров 15 мм. Исследование выращенного крисалла показывает, что он является визуально прозрачным, не содержит вклю- ф чений, оптических неоднородностей.П р и м е р 2. Выращивают кристалл КДР в тех же условиях, что и в примере 1, но без ваэелинового масла. В период растворения параэитных кристаллов выращиваемый кристалл извлекает из раствора и выдерживают его над раствором на воздухе е тече1650797 сталла, как и в примере 2, предшествует"процесс регенерации, В результате получается кристалл с дефектной зоной регенерации,Составитель Н, ПономареваТехред М.Моргентал Корректор С. Шевкунт Редактор Т. Куркова Заказ 1975 Тираж 265 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 ние 4 ч. При этом поверхность кристаллапокрывается визуально наблюдаемым матовым слоем мельчайших кристалликов.Затем погружают кристалл в раствор, перегретый на 0,5 С, и растворяют образовавшийся на его поверхности осадок,Одновременно происходитчастичное растворение самого кристалла, в результате чегопоследующему росту кристалла в пересыщенном растворе предшествует процесс регенерации. Полученный кристалл, имеетвизуально наблюдаемую дефектную регенерационную зону,П р и м е р 3. Выращивают кристаллКДР втехжеусловиях, что и в примере 2, В 15процессе выращивания кратковременноизвлекают кристалл из раствора и ополаскивают в течение 4 с водой при той жетемпературе, что и у раствора во избежаниетермоударов, приводящих к растрескиванию). При атом последующему росту криФормула изобретения Способ выращивания кристаллов, из пересыщенного раствора, покрытого слоем герметизирующей жидкости, химически не, взаимодействующей с раствором, на затравку при регулировании насыщенности раствора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью ликвидации паразитных кристаллов в течение всего процесса роста, после появления паразитных кристаллов выращиваемый кристалл полностью помещают в слой герметизирующей жидкости, в растворе создают недосыщение, возвращают в него кристалл и после растворения паразитных кристаллов снова создают в растворе пересы щение,