C30B 7/04 — с использованием водных растворителей

Способ выращивания пьезоэлектрических кристаллов однозамещенного фосфата аммония

Загрузка...

Номер патента: 95747

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/14, C30B 7/04

Метки: аммония, выращивания, кристаллов, однозамещенного, пьезоэлектрических, фосфата

...ОГН,)Н(;:;, ; Н(,;, 1;сс)ЯЛОВ (1)Ос(1)Н)151 (1)Г)с)1 Ср 1) 110- 11(Р(:;Ч)И 1 ( ) 1(1,(. И,11 с),0 301 А с) 1. 1, . 1 1: . 1ГО В( д)101 0 РЯСГВОРс -.то.1 СЛИ В 1)ОГ)СС( 1)Ос 1 Я и)1 СтсГЛОВ 11(1(.ЕГ 1(СГО явлс)И(. БЫ 1 т И 1111) Я 1)я, с)С )1(ГЧ Я:) СЕС 51 В 11 Г)с- )(1 с 111(.ИИ ХрисЯ, Ь(1;3 Гр. 5 Ы С 110 Ч 311 )с 11(Ы 11 0:,НОВ.НЯМ 1 )ИРЯ 1 ГУ.Пр(.ЛГягясмыЙ с)ос. о Вы)Г)Цива) И 51 1103 ВОГ 5(.1 СТР с)1 ИГ и ВЛ СНИЕ Способ Выращивания пьезоьлек- ТРИЧЕСКИК КР 11 СТ 11;ОВ (ДНО:)ЯЕЦЕННОГО фОСфЯТЯ с.Мл 101)и ИЗ 1)ЕРЕСЫЦЕШОГО Рс)С 1:)ОРЯ Зто. С;ЛИ, О т Л и- Ч Я ГО ЩИ Й С я тЕМ с)тс) С )ГЕЛЬ)0 ПОВЫКЛИН)Вс 111 И) В НОЦ(.ОСЕ 1). . а КРНСТЯГЛОВ.ЭГО ДОСТИГс 1 СТСЯ ОЛснОДЯ)Я ВВЕДСИИ 0 В Нс 1 СЫ 1 ЦЕ 111 ЫЙ РЯСТВ 0) )10 вс- ененного фосфата...

161690

Загрузка...

Номер патента: 161690

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: 161690

...температуры, степень переохлаждения, содержание примесей и их природа.Предложен способ стабилизации скорости роста монокристаллов типа бромноватокислого натрия изоляцией растущего кристалла от всяких источников света при постоянстве основных параметров, влияющих на скорость роста. 3Пр и мер. В случае выращивания монокристалла бромноватокислого натрия при температуре 10 С и цпереохлаждении 42 С, с точностью поддержания температуры в районе затравки О,О 17.С на кристаллах до 2 мм сред ТЗЛЛОВ ОрОМНОВЗТОКИСЛОГОнее отклонение скорости роста при свете составляет 0,21 лак/лиан, без света0,07 мн/мин.При температуре 4 ОС и Переохлаждении 4,2 С влияние света не обнаружено.Способ стабилизации скорости роста криснатрия при постоянных величинах...

Способ выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 171382

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Бажал

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: выращивания, монокристаллов

...заявкил. 12 с, 2 МПК В 01 д ДК 66,065.5(088,8 иоритет Опубликовано 26.Ч.1965. Бюллетень11 Дата опубликования описания 28.И.1965 ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛО редмет изоб Известныйсталлов метоных растворолен. посоо выращивания монокрим кристаллизации из насыщендлителен и малопроизводитеени Предлояенныи способ лишен этих недостат. ков и состоит в том, что кристаллизацию ве дут при темпер ату ре кипения насыщенного раствора в строто герметизированном объеме и постоянном давлении,одписная группаГосударственный комитет по делам изобретений и открытий СССРСпособ выращивания монокристаллов, например алюмоаммониевых квасцов, методом 5 кристаллизации из насыщенных растворов,отлссчаюи 1 ийся тем, что, с целью интенсификации процесса,...

292888

Загрузка...

Номер патента: 292888

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: C30B 29/14, C30B 7/04

Метки: 292888

...,001 пзо;шруют :; т ттц т ыцение-псреохла/птдеццеПосле 22 дне.", роста Рт,П/ЦО ОДПСРОДОй Ц .тО. Поверхности роста прп помощи ьакуумной рсдмет изобретения Изобретене относится к способам разра:циВяция 32 трявок для ВырящиВяц 1 я .рсталлов однсзамсшецпого фосфата калия (КДР) .1/ЗВССТСт. СПОСОО р 2302 ЩИВЯПИя 32 ТраВОК д,1 яОристал;10 В ОДнозаъ 1 ецснного фссфата калия 5(КДР) кристаллизацией из водных раствсровпри знаешш рН раствора, равном 7 - 8.ОСЦОВЦ,тР НЕДОСТЯТКЯМИ ИЗВССТНОГО СПОСООЯявляются большая длительность процесса ислоткцость получения качественных затравок. 10ДЛЯ УСКОРЕНИЯ ПРОЦЕССЯ И 110 ГУтЕт;и КЯЧЕСТвенных 3;травок большого сечения В направлении 1001 процесс ведут при величине рН,равной -1,5 - -4,7, пересьпцеции -...

Способ получения кристаллов оксидно-галогенного соединения теллура

Загрузка...

Номер патента: 1641898

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллов, оксидно-галогенного, соединения, теллура

...свидетельствует об иххорошей чистоте,П р и м е р 2, В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 350 гТеО, устанавливают кварцевую перегородку с отверстиями и заливают водный раствор НВг концентрацией40 мас.Х. Соотношение жидкой и твердой фаз 4, б: 1, 5. Реактор герметизируют фторопластовым затвором с капилпяром, соединенным с резиновой трубкой, которая отведена в кварцевуюемкость с водой. Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления,где его нагревают до 80 С с температурным перепадом 5 С Время выдержкикварцевого реактора в стационарномрежиме составляет 5 сут. Исходнаяшихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движениемЗОпереносится в обьем раствора, гдеза счет температурного перепадаи испарения растворителя...

Способ получения кристаллического моноиодида меди

Загрузка...

Номер патента: 1656013

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Холов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллического, меди, моноиодида

...трубкой. В свою очередь трубка отведена в кварцевую емкость с водой, Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления, где его40 нагревают до 80 С. Температурный пео . репад поддерживают равным 1 , время выдержки в стационарном режиме 4 сут. Исходная шихта растворяется и конвекционным движением раствора, вызванным45 температурным перепадом, тран спортируется в объем раствора. В результате реакции взаимодействия с водным раствором НВг и за счет суммарного действия температурного перепада и испарения растворителя через капилляр и резиновую трубку происходит быстрее пересыщение раствора растворенными формами монойодида меди с последуюющей его кристаллизацией по всему объему реактора. Выход кристалличес кого монойодида составляет 95,8 Е...