Способ получения слоев s или g, легированных летучей примесью

(19) ЕТЕ к технологии алов и может чения слоев 51 й примесью. учение слоев с м по площади ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(46) 07.04,91. Бюл. М 13 (71) Новочеркасский политехнический институт им. Серго Орджоникидзе (72) А,И. Колесниченко, В,Ф. Кукоз, В,Н, Лозовский и Л.В, Тузовская (53) 621.315.592 (088.8) (56) Лозовский В,НЛунин Л.С., Попов В,П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. - М,; Металлургия, 1987, 232 с. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ Я) ИЛИ Ое, ЛЕГИРОВАННЫХ ЛЕТУЧЕЙ ПРИ- МЕСЬЮ Изобретение относитс полупроводниковых матер быть использовано для пол или Ое, легированных летуцЦель изобретения - пол однородным распределени удельного сопротивления,е р 1. В качестве исходных подложки используют пласти- КЗФ 20 диаметром 76 мм, ориые в направлении 100. По периферийной области пластиа с помощью. химического травяют бортик высотой 50 мкм и м. Собирают композицию, соложку с бортиком источника, устанавливают в графитовую Прим источника и ны Я марки ентированн окружности ны-истоцник ления выдел шириной 2 м вмещая под Композицию 55 С 30 В 19/06, 29/06, 29/О(57) Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Я или Ое, легированных летучей примесью. Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления. Способ включает формирование между двумя пластинами Я) или Се зоны раствора-расплава толщиной периферийной области 2 - 5 мкм и последующее перемещение эоны через одну из пластин под действием градиента температуры, Способ обеспечивает получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления,кассету. Рядом с композицией размещают навеску сплава, содержащего 90 мас.0 Яп и 10 мас.Т 2 массой 2,1 г. Кассету помещают в реактор пеци, Реактор герметиэируют и Фь заполняют гелием, Печь нагревают до тем- С) пературы расплавления навески. Расплав с ) под действием капиллярных сил заполняетзазор между кремниевыми пластинами.,(Толщина сформированной зоны раствора- расплава в центральной области диаметром 72 мм составляет 52 - 53 мкм. Толщина пери- ф ферийной области зоны раствора-расплава равна 2 - 3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300 С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном 15,С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в тецение 40 мин,1640220 Формула изобретения Способ получения слоев Я или бе, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Я или бе зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2 - 5 мкм. Составитель А. ЛихолетовТехред М.Моргентал Корректор С. Шевкун Редактор С, Пекарь Заказ 1000 Тираж 270 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская нэб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Полученный зпитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления(7,8 Ом см) по площади центральной области, диаметр которой составляет 72 мм, 5П р и м е р 2. Процесс получения слоя осуществляют аналогично примеру 1, Однако в качестве подложки используют кремниевую пластину марки КДБ 10, а на пластине-источнике выделяют бортик высо той 35 мкм. Масса навески сплава, содержащего 97 мас, Яп и 3 мас, ЯЬ, составляет 1,7 г. Толщина сформированной зоны раствора-расплава в центральной области составляет 39 - 40 мкм, а в периферийной 15 4-5 мкм.Полученный зпитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления (4,7 10 Ом см) по площади центральной 20-зобласти, диаметр которой составляет 72 мм.П р и м е р 3. В качестве исходных источника и подложки используют пластины Ое марки ГДСЗдиаметром 40 мм,14ориентированных в направлении (111), По 25 окружности периферийной области пластины источника с помощью химического травления выделяют бортик высотой 40 мкм и шириной 2 мм. Собирают композицию, совмещая подложку с бортиком источника, 30 Композицию устанавливают в графитовую кассету. Рядом с композицией размещают навеску сплава, содержащего 97 мас,% Яп и 3 мас, о ЯЬ, массой 0,4 г. Кассету помещают в реактор печи. Реактор герметизируют и заполняют гелием. Печь нагревают до температуры расплавления навески. Расплав под действием капиллярных сил заполняет зазор между пластинами Ое, Толщина сформированной зоны раствора-расплава в центральной области составляет 42 - 43 мкм, а в периферийной 2 - 3 мкм, Далее устанавливают рабочую температуру в печи 800 С, при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластин и равном 8 С/см, Перекристаллизэцию источника осуществляют в течение 40 мин,Полученный зпитэксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления по площади центральной области, диаметр которой составляет 36 мм.