Способ получения полупроводниковых структур на основе соединений а в
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИ 1659536 А 1 ЕСПУБЛИК 9) 00, 29/46 5 о 5 С 3 И КОМИТЕТ М И ОТКРЪТ ОСУДАРСТВЕННЪО ИЗОБРЕТЕНРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СВИДЕТЕЛЬСТВУ К. АВТО РС(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ОНЕНИЙА В Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при получении полупроводниковых структур методом жидкостной эпитаксии из раствора- расплава.Целью изобретения является улучшение планарности и уменьшение плотности дефектов в структуре.П р и м е р, Получение эпитаксиальных структур РЬТе-РЬо,вЯпо,2 Те осуществляют в лабораторных условиях. Для получения эпитаксиальных структур РЬТе-РЬо,вЯпо 2 Те монокристаллическую подложку РЬТе, ориентированную по плоскости (100) и исходные компоненты РЬ, Яп, Те, взятые в соотношениях согласно диаграмме состояния для выбранной температуры эпитаксии 600 ОС, помещают в графитовую лодочку. Систему нагревают в потоке чистого водорода до 600 С и выдерживают при этой температуре в течение часа для достижения полной(57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых структур, Цель изобретения - улучшение планар- ности и уменьшение плотности дефектов в структуре. Способ включает нагрев исходных компонентов, гомогенизацию полученного раствора-расплава в защитной атмосфере, приведение подложки в контакт с раствором-расплавом в вакууме и последующее эпитаксиальное нарващивание слоев на основе соединений А В в защитной атмосфере. Получают стрктуры с плотностью дефектов менее 10 см гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки, Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума 10 -10 мм рт.ст. раствор-расплав приво.4дят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоростью 0,05 С/мин.В результате получены структуры РЬТеРЬо,ваяло,2 Те, у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала 0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность дефектов составляла меньше 10 з см 2,Вакуум в системе позволяет удалить газ, адсорбированный поверхностью под. ложки и растворенный в растворе-расплаве. В момент контакта раствора-расплава1659536 Формула изобретения Составитель Е.ЛебедевеРедактор О,Спесивых Техред М.Моргентэл Корректор О.Крэвцова Заказ 1823 Тираж 266 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушскэя нэб., 4/5 Производственно-издательский коибинат."Патент", т, Увггород, ул,Гагарина, 101 подложкой гэз не зэхвэтыввется рэсплавом, что обеспечивает нэ границе раздела подложки и зпитэксиэльного слоя отсутствие включений, способюствует улучшению плэнэрности границы раздела.Использование предлагаемого способэ жидкостной зпитэксии полупроводниковых структур позволяет улучшить плэнэрность структур в 3-4 раза зэ счет улучшения смэчиваемости подложки рэствором-рэсплэвом и снизить плотность посторонних включений и дефектов в зпитэксиэльной структуре в 10-12 рэз. Способ получения полупро 4 вобдниковыхструктур нэ основе соединений А В, включа ющий нагрев исходных компонентов, гомогенизэцию полученного раствора-расплава, приведение подложки в контэкт с растворомрэсплэвом и зпитаксиэльное наращивание в защитной атмосфере, отл и ч э ю щи й ся 10 тем, что, с целью улучшения плэнэрности иуменьшения плотности дефектов в структуре, контакт подложки с рэствором-рэсплэвом проводят в вакууме.
СмотретьЗаявка
4705405, 23.03.1989
СЕВЕРО-ОСЕТИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. К. Л. ХЕТАГУРОВА
БЕСТАЕВ МЭЛС ВАСИЛЬЕВИЧ, ЖУКОВ НИКОЛАЙ РОДИОНОВИЧ, ТОМАЕВ ВЛАДИМИР ВЛАДИМИРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 19/00, C30B 29/46
Метки: основе, полупроводниковых, соединений, структур
Опубликовано: 30.06.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1659536-sposob-polucheniya-poluprovodnikovykh-struktur-na-osnove-soedinenijj-a-v.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения полупроводниковых структур на основе соединений а в</a>
Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия
Номер патента: 1800856
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин
МПК: C30B 25/02, C30B 29/40
Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных
...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...
Способ определения величины заряда на границе раздела в пленочных структурах
Номер патента: 786728
Опубликовано: 23.04.1982
Авторы: Авдеева, Игнатов, Перов, Поляков
МПК: H01L 21/66
Метки: величины, границе, заряда, пленочных, раздела, структурах
...конденсатора;Я - заряд паразцтцой емкости, 1 а чертсжс приведена функциональная Еа устройства для реализации способа. стройство содсржг блок 1 управлсизмерительный прибор 2, источник 3 ояццого напряжения, регулируемого цо786728 Л СмирновКуклина оставитс Техрсд Л(оррсктор Е. Михе ктор Е. Хейфи Подпис 1 ираж 758когиитета СССРи открытииская иаб., д. 4/5 Заказ 292 Изд. М 125 1 ИПИ Государственно по делам изобретсш 035, Москва, Ж, Ра113 Загорская типография Уприолиграфиздата Мособлисполко:а 8величине, паразптпуо емкость 4, сопротивление 5 и емкость 6 исследуемой структуры, операционный усилитель 7, сопротивление ключа 8 - 9, эталонный конденсатор 10, входное сопротивление 11 и емкость 12 операционного усилителя.П р и м е р....
Установка для изготовления плоских длинномерных изделий из расплавов и растворов
Номер патента: 958114
Опубликовано: 15.09.1982
Авторы: Горшунов, Заев, Яковлева
МПК: B29C 5/04
Метки: длинномерных, плоских, расплавов, растворов
...время, необходимое для нанесения, растекания, эатвердевания материала и для съема готовой продукции обозначить То, то т.е. один оборот барабана должен совершаться не быстрее, чем за Сос.Поэтому Но, с другой стороны, для растекания и заполнения формы материалом необходимо обеспечить в каждом конкретном случае свой уровень ускорения ао в зависимости от вязкости материала, Отсюда следует, что при заданном минимальном значении а при этом окружная скорость 2 л Кч =иЖ (5)"оВследствие существования ускорения свободного падения о =сопь, следует различать два случая ориентации оси вращения барабана - горизонтальную и вертикальную.5 95811При горизонтальной оси вращениянеобходимо обеспечить в самой верх"ней К; точке на внутренней поверх"ности...
Способ изготовления подложки для управляющих электродных структур
Номер патента: 1131379
Опубликовано: 30.08.1994
Авторы: Воробьев, Григоришин, Котова, Шкунов
МПК: H01J 9/02
Метки: подложки, структур, управляющих, электродных
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР, включающий получение углублений и отверстий в них путем анодирования алюминиевой пластины на заданную толщину, фотолитографии и травления через маски металла и оксида и удаление непрореагированного алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложки, в анодированном алюминии вначале формируют углубления, затем анодируют алюминий со стороны углубления и в нем формируют отверстие со стороны непрореагировавшего алюминия.
Способ формования многокомпонентных волокон из расплавов или растворов полимеров
Номер патента: 461986
Опубликовано: 28.02.1975
Авторы: Белитченко, Зайцев, Пидтилок, Шнуренок
МПК: D01D 5/08
Метки: волокон, многокомпонентных, полимеров, расплавов, растворов, формования
...смешиваясь с полимером П на правляется к отверстиям фильеры. Таким образом, по наружному кольцевому зазору поступает полимер П а с внутренней стороны разделителя 2 - слой полимера Пнепрерывно переходящий в полимер Пз.о При изменении сопротивления течению полимеров до фильеры и изменении подачи дозирующих насосов меняется только количество полимера П движущегося к фильере с гнутренней стороны разделителя 2. Быравнп ванне давления различных полимеров осуществляется в сечении А - Л, а пе в отверстиях фильеры. При этом ламинарность потоков сохраняется и после соединения двух потоков различных полимеров в общий поток в поло- О сти Б. При движении полимеров Пг и П, по461986 Предмет изобретения Составитель В. Блинников Редактор В. Чулкова...
Предыдущий патент: Способ получения монокристаллов молибдата свинца
Следующий патент: Способ сушки стеблей лубяных культур
Случайный патент: Аппарат для выращивания микроорганизмов