Патенты с меткой «сапфира»

Номер патента: 464427

Опубликовано: 25.03.1975

Авторы: Демянцевич, Сапронова

МПК: B23K 35/36

Метки: керамики, металлом, пайки, паста, сапфира

...даст значительную экономию в затр и труда,редмет пзобретени а для пайки керамики и сапфира с и, содОржящая молибден, Отлачйюем, что, с целью совмещения операганця пасть 1 в керамику ц отжцга ее, пасты введены, %:Двуокись титана 8 - 10 Окись магния 4 - 6Молибден Остальное. Пят металлои(аяся т ций вж 1 сост с тгрисоодинениехг заявки ЛЪ(23) Приоритет -Изобретение относится к области пайки, Известна паста для пайки керамики ц сапфира с металлом, содержащая молибден,Известные составы на основе молибдена непригодны для высокотемпературной пайки в связи с низкой (1350 С) температурой вжиганця металлизационной пасты, что снижает рабочую температуру электровакуумных приборов и цх надежность.Известные многокомпонентцые высокотемперятурцые пасты...

Номер патента: 795961

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Батыгин, Куликов

МПК: B28D 5/00

Метки: газовой, сапфира

...обработки на 300-400 С и возможность использования сухого водорода с влажностью по точке росы -50 С,ф что снижает трудоемкость и повышает производительность обработки в 1,5- 2 раза.П р и м е р. Термическая обработка сапфировых изделий осуществляется в промышленных водородных колпаковых печах типа ЦЭПс реэистивным на-, гревом. Образцы сапфира помещают в реакционный объем на специальной молибденовой этажерке. Графнтовые элементы в форме пластин, вводимые в реакционный объем, располагаются на расстоянии 5-10 мм от сапфировых изделий. Допустимо использование графитового кольца или стакана, окружающего сапфировые изделия. Термообработку проводят в сухом водороде (влажность по точке росы -50 ОС), Скорость подъема и снижения температуры795961...

Номер патента: 1172946

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Багдасаров, Затуловский, Мунчаев, Цивинский

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: кристаллов, налета, поверхности, профилированных, сапфира, удаления

...- 0,2 ч приводит к растворению осевших из пара металлов, 20основных и атмосферных окислов,Прополаскивание в концентрированном растворе ИНОН при комнатнойтемпературе 0,5 - 0,7 ч способствуетрастворению кислотных и атмосферныхокисловОтжиг на воздухе при 800-1000 С соответственно в течение 1,5-0,5 ч приво"дит к возгонке летучих соединений,которые, в частности, могут образоваться при взаимодействии налетас воздухом.Химический состав налета практически не исследован, однозначно определить химические и физические про- З 5цессы, происходящие при этих обработках, в наст.вящее время не представляется возможным.Вне указанных режимов обработкане приводит к получению поверхности 40нужного качества, Увеличение темпе 6 гратуры травления выше 80 С,...

Номер патента: 1437360

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Косогоров, Кремнев, Мокров

МПК: C04B 37/00

Метки: металлом, сапфира, соединения

...ПРОВОДНИКИ. МРжГОЕГтКНРЧИЯ К ОМКцеские контяктю,ИЗМЕРЕНИЕ МГХЯНИЧЕСКИХ НЯПВЯжЕНтЛйВ ОРдИНЕНИИ ПОСЛЕ ИЗГОТОВЛЕНтЛя Об разОН и термпиклировянкя Осук;еств-Какаст УЛУЧЩЕНИЕ -ЕРМЕТ,ЧНОСтК СОЕдинегггя при нормаль ньх темпер ату рах ня два порядка улучиенке термостойкости соединения г, дияпязоке тепмс - рятур от -О 0 0 о -1.0 0 ня двя порядка, я в дияпязоге температур ст- т 0 ло + 0.: ня трк порядка,УгЛгаКЯПЕНИЕ МГХЯКИЧаСККХ ."-1 ЯПРЯжанкйседине нгти гз;, - 1 Г раз,ормулакзобрс;еккя 0 пособ соединения Г ягю 5 лря МЕТЯЛЛОМ, ВКЛЮтЯЮГкй КОНтЯКтИРО 1 лоских соедиляемъх поверхносте нягрев до 150-1200 0 и приложен постоянного напряжения 300-1000 О т л и ч я ю щ к Й с я тем, ч С ЦЕЛЬС УЛУЧПЕтягЛЯ ГЕРМЕткяНОСтн термостойкостк соединения...

Номер патента: 1345682

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Алябьев, Артемов, Буланов, Папков, Перов

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: лент, монокристаллических, сапфира

...Выход основной Фракции составляет 52%, а трудоемкость измельчения1 кг исходного материала составляетО, 1 Н/ч.Повторный нагрев отделенной хруп" ной фракции с последующим сбросом ее в воду, измельчением и просеиванием через набор сит увеличивает суммарный выход годного до 80%.После операции измельчения исходный материал загружают в тигель, при этом возможно испольэовать фракцию любого размера, а основную Фракцию загружают в подпиточный бункер. Камеру установки "Спектр с реэистивным нагревом вакуумируют приблизительно до 1 10мм рт.ст. и лоднимавт мощность до расплавления корунда в тигле. Предварительно, при достижении температуры в камере 1200 С в камерунапускают инертный газ Ат до давленияО,О атм. После расплавления корунда производят...

Номер патента: 1213781

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Алябьев, Папков, Перов, Шевченко

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, сапфира

...диаметру графитового нагревателя 5. Этот цилиндр вставляютвнутрь графитового нагревателя 5.Затем собирают устройство из графи"тоного нагревателя 5 с молибдено"ным цилиндром, пьедестала 4 и экранон 7. С помощью резистивиого нагрева графитового нагревателя 5 совставленным в него цилиндром подннмаот темйературу до2000 С и выдерживают в течение 0,5-1 ч. Приэтой температуре происходит интенсивная диффузия углерода в молибденовый цилиндр, взаимодействие егос молибденом с образованием слоя 6,карбида молибдена. При,этом давление паров углерода падает с 10 до.в1 0 " атм , т , е . уменьшается на три порядка .Спой 2 вольфрама на внешнюю поверхность молибденового тигля нано"сят при помощи плазменно-дуговойгорелки при 4 5000 С с использованием 3781...

Номер патента: 1719375

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Косогоров, Михайлов

МПК: C04B 37/00

Метки: металлом, сапфира, соединения

...процессов 250-500 С. После достижения необходимой температуры на сборку подают электрическое напряжение 300-10000 В в течение 5 - 10 мин,Благодаря возникновению сильного внутреннего электрического поля между слоем стекла и слоем кремния и диффузии металлической прослойки в слой стекла получают неразьемное соединение сапфира с металлической деталью.П р и м е р. На пластины из монокристаллического сапфира с нанесенной гетероэпитаксиальной кремниевой пленкой (структуры кремния на сапфире - КНС) на вакуумной установке типа УРМ или УВН термическим методом наносят пленку А 1 толщиной 0,8 - 2,0 мкм. Далее формируют фоторезистивную маску и проводят последовательное травление слоев А в растворе НС и кремния в растворе КОН, В результате...