C30B 1/08 — зонная рекристаллизация

Номер патента: 166841

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Александров, Йсессю

МПК: C30B 1/08

Метки: металлов, монокристаллов, полупроводников

...при со температуры и давлен зия таким условиям = 22 000 кг/см 2 и 1 = 19 р = 40 000 кгсл 2, г = 2 здании определеннои я, Например, для цесоответствуют р = 7 С, для рубидия - 0 С мого способа является о производят при давсоответствующих эквой плавления или криорф ного превращения вещества. При этих усия или полиморфное ят без изменения объеазование врожденных дме обретен Способ получени лов и полунровод сталлизацией расп цией в твердой фаз с целью получения сталлов, кристалли ленин и температ ремальной точке к тической точке по перекристаллизуем и ла е, лым числом дислокапособу могут быть пороцессе зонной переодписная гргггпа16 Известен сметаллов и пдислокацийрасплава илфазе.Отличием описываето, что кристаллизацилении и...

Номер патента: 1647042

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Ганин, Лиманов, Лифшиц, Мусатова

МПК: C30B 1/08, C30B 13/22

Метки: выращивания, монокристаллических, пленок

...поликремниевой пленкой 5, Размеры зоны нагрева определяют с одной стороны длиной и диаметромспирали источника 1, а с другой стороны - условиями фокусировки. Подложку 4, установленную нэ подложкодержателе 3 с вмонтированным в него нагревателем 7, перемещают со скоростью 5 10 м/с. При этом для компенсации ассиметрии теплового распределения в зоне нагрева собирающую линзу 2 смещают в направлении перемещения подложки 4 с держателем 3 на 1,5 10и, что удовлетворяет соотноше,Чнию Лх = А . Для осуществления смеащения собирательной линзы 2 в системе фокусировки последнюю закрепляют в каретке, установленной на направляющей типа "ласточкин хвост" (не показано). Величина смещения регулируется дифференциальным винтом. Переводной коэффициент А...