Устройство для получения полупроводниковых структур

(19) (11) 51)5 С 30 В 25/00 ИЯ ОП И САН И Е ИЗС) БРЕТК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ обретение отн вления тонкоп лий, в частност па сверхрешетовн онв осится к т еночных м многослой к, различнполуп рова хнологии териалов ых струкх гетеро- дниковых поло- снабго из ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 799206, кл. С 30 В 25/08, 1977.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР(57) Изобретение относится к получениюмногослойных структур типа сверхрешеток.Цель - повышение производительности и переход а с о ематериалов.Цель изобретения - пводительности и упрощениНа фиг. 1 представленва; на фиг. 2 - сечение пофиг. 3 - выдвижные сетчатУстройство содержит ркоторого изготовлен из нели, Сверху реактор 1 снаботверстии которого по осиновлена перфорированнаяненная со средствомвключающим емкости 4, 5реагентами. Внутри реакт овышение произе устройства.а схема устройстА-А на фиг, 1; наые пластины,еактор 1, корпусржавеющей ста(ен фланцем 2, вреактора 1 устатрубка 3, соедиподачи газов,и 6 с газовымиора 1 размещен упрощение устроиства. Оно содержит реактор с фланцем вверху. В реакторе установлен каркас с закрепленными на нем сетчатыми полками, на которых размещены выдвикные пластины в виде колец, установленных на стержнях с возможностью поворота. На пластины располагают подложки, По оси реактора установлена газоподводящая перфорированная трубка, Проводят синтез многослойных структур с толщиной одного слоя 10 нм и общей их толщиной 100 нм на основе соединений Елее и СбЯе, В устройстве, имеющем 25-ть сетчатых полок, размещают 3150 подлокек. 3 ил,каркас 7 с сетчатыми полками 8, рас женными в форме этажерки. Полки 8 жены выдвижными сетчатыми пластинами 9, на которых размещены подлокки 10,Устройство работает следующим обра.зом, Подложки 10 размещают на сетчатых пластинах 9, которые представляют собой проволочные кольца, установленные на двух стойках с возможностью поворота. На каждом кольце размещают по семь подложек. В случае, если на стойках установлено три кольца, а на каждую из двадцати пяти сетчатых полок 8 помещают шесть раз по три кольца, то в реакторе 1 размещают три тысячи сто пятьдесят подложек 10,После загрузки реактора 1 производят откачку из него аргона с помощью форвакуумного насоса 11, открыв при этом вентили 12, 13, 14. Затем реактор вакуумируют припомощи диффузионного насоса 15 до давления не выше 10 Па, при этом закрывают вентиль 14 при открытых вентилях 12, 13 и 16, Отключают форвакуумный насос 11 и напуск в него воздуха, открывают вентиль 14 при закрытом вентиле 16, Синтез многослойной периодически чередующейся структуры на поверхности партии образцов с толщиной каждого слоя по 10 нм и общей их толщиной 100 нм на основе соединений селенида цинка и селенида кадмия начинают с напуска металлоорганического соединения цинка, открывая вентиль 17, закрывают его и открывают вентиль 16. Затем подают селенистый водород, Для этого из емкости 5 напускается газ,в трубку 3 открыванием и закрыванием вентиля 18 и открыванием вентиля 19. После напуска селенистого водорода откачивают избыток исходного реагента и газообразные продукты реакции до исходного давления, закрыв вентиль 19 и открыв вентиль 16. Перечисленные операции составляют один цикл химической обработки, за который на поверхности партии образцов синтезируется один монослой селенида цинка ( 0,3 нм), Для достижения необходимой толщины слоя селенида цинка 10 нм) проводится определенное количество таких циклов (34 цикла), Для получения слоя селенида кадмия (10 нм) необходимо провести 40 циклов, оперируя вентилями в том же порядке 20, 16 и 18, 19, 16. При открывании вентиля 20 производится напуск металлоорганического соединения кадмия. Вакуумирование проводится до исходного давления в проме жутках между напусками. За давлением всистеме наблюдают с помощью вакуумметра 21 ВДГс мембранным датчиком 22. На проведение одного цикла расходуется 2 мин времени, причем синтез проводится на по верхности практически мгновенно, все время затрачивается на открывание и закрывание вентилей и промежуточную откачку, Для получения многослойной структуры на основе селенида цинка и кадмия 15 общей толщиной 100 нм необходимо провести вышеописанные 74 цикла пятикратно,Формула изобретения Устройство для получения полупроводниковых структур, содержащее реактор, 20 размещенные в нем соосно подложкодержатель в форме этажерки с подложками, веэтикальную перфорированную трубку, соединенную со средством подачи газовых реагентов, и средство вывода газов, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышенияпроизводительности и упрощения устройства, этажерка сформирована сетчатыми полками, жестко закрепленными на каркасе и снабженными выдвижными сетчатыми пла стинами для размещения подложек, а вертикальная перфорированная трубка установлена по оси подложкодержателя.1650799ъксмсоМйжъсСоставитель Н. Давыдоваедактор Е, Полионова Техред М,Моргентал Корректсауленаказ 1976 Тираж 266 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5оизводственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1