Способ выращивания кристаллов иодистого цезия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1647045
Автор: Цирульник
Текст
., Багда- кристалллов,-М,уменьшеГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(56) Вильке К,Т, Выращивание крЛ,: Недра, 1968, с,158-165,Беляев Л.МДобржанский Гсаров Х.С, Методы выращиванилов из расплава.-Сб.; Рост кристИзд-во АН СССР, 1964, с.90. Изобретение относится к выращиванию исталлов, конкретно к технологии выравания щелочногалоидных кристаллов. Целью изобретения являетсяние пластичности кристалла.Пример. Кристалл иодистого цезия выращивают из расплава на затравку произвольного направления. Подшлифовывают несколько участков кристалла, расположенных под произвольными углами по отношению к направлению роста и по фигурам укола, находят плоскость (001, на которой фигура укола имеет форму креста. Затем параллельно этой плоскости отпиливают пластину, по толщине равную длине затравки - порядка 40 мм, Полученную пластину распиливают перпендикулярно плоскости (ООЦ на прямоугольные параллелепиды размером 15 х 20 х 40 мм. Таким образом получают затравки, ориентированные вдоль направления 100.Ориентированную затравку крепят к кристаллодержателю, охлаждаемому во(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДИСТОГО ЦЕЗИЯ(57) Изобретение относится к области выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов иодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов. В тигле расплавляют шихту соли иодистого цезия. Кристалл вытягивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси 100 . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикулярно оси роста, достигают предела текучести 1 кг/мм,дой, Рост кристалла осуществляют в воздушной атмосфере в вертикальной муфельной печи из платинового тигеля с расплэвом соли иодистого цезия, Печь закрывают керамической крышкой со смотровым окном. Перед началом цикла выращивания соль расплавляют, отжигают при 680 С. Через смотровое окно опускают кристаллодержатель с затравкой под крышку печи. Прогретую в течение 3 - 5 мин затравку опускают до прикосновения с поверхностью расплава, Затравку оолавляют, затем рост кристалла проводят за счет отвода тепла через затравку и поверхность кристалла, Температуру в процессе роста кристалла непрерывно снижают за цикл на 20 С.Кристаллодержатель с кристаллом в процессе роста вращают со скоростью 8 об/мин. Выращенный кристалл переносят в печь отжигэ, нагретую до 500 С, затем температуру в печи снижают до комнатной со скоростью 20 град/ч. Фиксируют, что полученный таким образом кристалл имеет1647045 Составитель 8.БезбородоваТехред М,Моргентал Корректор С,Шевкун Редактор Н. Рогулич Заказ 1380 Тираж 265 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж. Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ориентацию001 по оси роста, диски, используемые в качестве окон для лазеров, вырезанные перпендикулярно оси роста, имеют предел текучести 1000 т/мм, что в четыре раза выше, чем по известному способу. Формула изобретения Способ выращивания кристаллов иодистого цезия из расплава на затравку, о т л ич а ю щ и й с я тем, что с целью уменьшения 5 пластичности кристалла, затравку ориентируют в направлении 100,
СмотретьЗаявка
4650652, 05.12.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1705
ЦИРУЛЬНИК ПОЛИНА НАФТУЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: C30B 17/00, C30B 29/12
Метки: выращивания, иодистого, кристаллов, цезия
Опубликовано: 07.05.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1647045-sposob-vyrashhivaniya-kristallov-iodistogo-ceziya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания кристаллов иодистого цезия</a>
Состав суспензии для полировки кристаллов йодистого цезия
Номер патента: 179646
Опубликовано: 01.01.1966
Автор: Алексеев
МПК: B24C 11/00, B24D 3/02
Метки: йодистого, кристаллов, полировки, состав, суспензии, цезия
...по делам забретений и открытий при Совете Министров СССРб ликования описания 4.1 Ч. пу Авторизобретени А. Алексее витель ТАВ СУСПЕНЗИИ ДЛЯ ПОЛИРОВКИ КРИСТАЛЛО ЙОДИСТОГО ЦЕЗИЯдмет изобретения Соста йодисто ва и см таллов абразнсссс в ме тем, чт ду реш в посода ледню Зависимое от авт. свидетельствапубликовано 08,11.1966. Бюллетень Применение известных водяных суспензий зерен абразива при полировании кристаллов йодистого цезия затруднено из-за его гигроскопичности, мягкости и разрушения отдельных участков поверхности. Особенностью предлагаемого состава суспензии, состоящего из зерен абразива и смазывающей жидкости, является включение в него спиртового раствора йода с целью создания ионного равновесия между решеткой кристалла и...
Способ выращивания монодоменных кристаллов ниобата лития из расплава
Номер патента: 958508
Опубликовано: 15.09.1982
Автор: Гернанд
МПК: C30B 15/00
Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава
...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...
Устройство для выращивания кристаллов кремния из расплава
Номер патента: 1798395
Опубликовано: 28.02.1993
Авторы: Калугин, Куценогий, Петров
МПК: C30B 15/00
Метки: выращивания, кремния, кристаллов, расплава
...с нижней опорой 17, приводом 19 кассета устанавливается в положение выращивания, После затравливания и выращивания монокристалла, приводом 21 затравкодержатель 7 поднимается в верхнее положение, приводом 19 кассета 9 поворачиваются в положение перегрузка, при этом как только ось гнезда совпадает с осью выращивания, срабатывает фиксатор 18, удерживая кассету в этом положении, При этом автоматически сраба 1798395тывает самозапирающееся захватное устройство 14, удерживая кристалл от падения, а приводом 21 кристалл 22 опускается в опору 15 нижнего корпуса кассеты 9, таким образом кристалл оказывается зафиксированным по оси выращивания, При дальнейшем повороте кассеты 9 происходит излом шейки кристалла и его отделение от затравки. Затем если...
Способ выращивания кристаллов из расплава
Номер патента: 116935
Опубликовано: 01.01.1958
МПК: C30B 11/00
Метки: выращивания, кристаллов, расплава
...устанавливаемая вне высокотемпературной зоны печи, ниже кольца, мало зависит от колебаний температуры верхней горячей зоны печи, что позволяет вести процесс без нарушения его скорости, при устойчивом положении изотер. мической поверхности кристаллизации.3) Изотермическая поверхность кристаллиза обращенная в случае отсутствия кольца выпуклостью книзу, ст тся обращенной кверху, в результате чего нарастание нового слоя алла начинается в середине сосуда и идет к периферии.Это обстоятельство позволяет получа стые (без включений) кристаллы, даже не пользуясь безук стыми исходными материалами. ции,ановикрист ть более чи оризненно чи1116935 Устройство позволяет, кроме того, вести кристаллизацию при зна;ительном перегреве расплава, что...
Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава
Номер патента: 132614
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь
МПК: C30B 11/00
Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного
...и повышает чистоту кристалла.На фиг. 1 изооражено устройство в разрезе; на фиг. 2 - кольцоохл адитель.Тигель 1 с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печи разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой Б, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др,) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3 - 0,5 м,я).Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с...
Предыдущий патент: Способ получения амплитудных фильтров
Следующий патент: Сепаратор для хлопка-сырца
Случайный патент: Телескопическая подвеска колеса транспортного средства