C01B 31/06 — алмаз

Номер патента: 161703

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C01B 31/06

Метки: 161703

...Это обеспечивает полное облучение концентрата и хороший просмотр его, а следовательно, и полноту извлечения алмазов, Перевод питания рентгеновской трубки на постоянный ток дал возможность отделить фон от сигнала и усилить сигнал, Для питания рентгеновской трубки не требуется большой стабильно. сти напряжения сети. Благодаря установленному на пути излучения рентгеновской трубки рассекателю рентгеновского луча на три узких полоски расширено поле облучения, а вследствие введения второго фотоэлектронно-. го умножителя увеличено поле просмотра. Второй фотоумножитель расположен под углом 90= к первому,Производительность автомата увеличилась до. 3000 л/час на классе 4+2 лл и до 6000 гчас на классе 8+4 лл при такой же ширине ленты, что и на...

Номер патента: 204933

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Изобре

МПК: C01B 31/06

Метки: автомат, жаккардовых, карт, набивки, патрона, рисунка, считывания, ткацкого

...на широкополосный усилитель 8 и затем на04933 5 10 15 2025 30 35 40 45 50 55 6065 4усилитель мощности 9, демодулятор 10 и на вход схемы И 26.Для предотвращения брака служит корректирующее устройство, фотоголовка которого считывает метки и преобразовывает их в электрические импульсы.Эти импульсы, усиленные предварительным усилителем фотоголовки (см, фиг. 2, а), поступают на вход реле 13, на выходе которого получается последовательность импульсов (см. фиг. 2, б) и далее после дифференцирования (фиг. 2, в) в цепи 14 они поступают через эмиттерный повторитель 15 и инвертор 16 на схему ИЛИ 17. Затем получается последовательность импульсов (фиг. 2, г). Эта последовательность импульсов должна обеспечить нормальную работу двухтактного...

Номер патента: 265086

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Бастаубаев

МПК: C01B 31/06

Метки: летучих, органических, примесей, углеродсодержащих

...отмечается недостаточно высокая степень очистки.По предлагаемому способу стадию удаления примесей хлор-воздушной смесью и стадию хлорирования титансодержащих материалов хлором или хлор-воздушной смесью проводят одновременно в расплаве хлоридов металлов, циркулирующем между камерами при температуре 500 - 800 С. Это повышает степень очистки.Конденсацию продуктов каждой стадии проводят отдельно.П,р и м е р. Процесс ведут в двухкамерном хлораторе. 500 - 600 кг/час углеродсодержащего материала загружают на расплав первой камеры, куда подают 10 - 20 ма/час хлор- воздушной смеси, Во вторую камеру подают хлоргаз или хлор-воздушную смесь (в пересчете на хлоргаз 650 - 700 ма/час), и 2500 кг/час титансодержащего шлака загружают в одну из двух...

Номер патента: 289579

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вакацуки, Нобуюки, Синичиро, Тосио

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, синтетических

...смесь элементов, которые индивидуально не являются катализаторами,. но проявляют каталцтцческие свойства в соответствующем сочетании. о получения синтетических алмазов здействия на углеродсодержащце мадавления свыше 50000 атм ц темпе- свыше 1200 С в присутствии каталиодержащего молибден, вольфрам, ват.гичасоссгссссся тем, что, с целью улучкачества кристаллов, катализатор т элементы цз группы, содержащей ебро, золото. Спосопутем втериальратурызатора,надцй, ошециявключаемедь, се Изобретение относится к способу получения синтетических алмазов.Полученные по известному способу путем воздействия на углеродсодержащие материалы давления свыше 50000 атм и температуры свыше 1200 С в присутствии катализатора, содержащего молибден, вольфрам,...

Номер патента: 294309

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Нобуюки, Тосио, Япони

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, искусственных

...выше 1200 С в присутствии катализатора - карбида ванадия - дает невысокий выход готового продукта и не позволяет получать прозрачные кристаллы алмаза.Для устранения указанных недостатков предлагается получать искусственные алмазы из углеродсодержащего сырья при давлении выше 50000 ат,к и температуре выше 1200 С в присутствии катализатора, в качестве которого применяют карбид ниобия в сочетании с элементами из группы, содержащей медь, серебро, золото.П р и м е р 1. Смесь из 3 ч, порошкообразного карбида ниобия, 3 ч. меди и 5 ч. графита загружают в реакционную камеру, через 20 мин проведения процесса при 1260 С и давленни 50000 атпт полученные кристаллы алмаза кипятят и промывают концентрированными серной, азотной и соляной...

Номер патента: 296712

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дер, Дзевицкий, Кочкин, Спицын, Эзсел

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, наращивания

...и увеличение скорости процесса. Для этого в качестве исходного углеродсодержащего материала используют элементоорганические соединения, например тетраэтилсвинец, диметилртуть, Процесс ведут при температуре 400 в 10 С.Пример 1. Образец алмазного порошка дисперсностью 0 - 1 лкл в количестве 51,20 лг помещали в кварцевый реактор, к последнему присоединяли с одной стороны испаритель тетраэтилсвинца, а с другой высоковакуумную откачивающую систему, Реактор откачивали до вакуума 2 10лтлт рт. ст. Затем испаритель охлаждали до температуры - 196 С и с помощью наружной печи образец алмазного порошка разогревали в вакууме до 980 С. Одновременно испаритель нагревали до температуры 23 С и поступающие из испарителя пары тетраэтилсвинца...

Номер патента: 329899

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вавилов, Ершова, Киселева, Краснопевцев, Милютин

МПК: C01B 31/06

Метки: изображения, материалах, прозрачных

...прозрачного материала ионами какого-либо элемента с последующим отжигом в вакууме.На поверхность монокристалла алмаза накладывают металлическую маску с требуемым изображением, а затем образец подвергают бомбардировке ионами. Толщину маски подбирают так, чтобы ее сплошные участки полностью задерживали ионы, тогда внедрение последних в образец происходит только через отверстия маски и конфигурация облучениых областей оказывается в точном соответствии с требуемым изображением, В результате этой 5 операции на поверхности ранее бесцветногообразца возникает изображение темно-бурого цвета, а внутри его создаются поля упругих искажений кристаллической решетки, контуры которых в точности совпадают с контурами 10 требуемого изображения. Прц...

Номер патента: 389836

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Озь

МПК: B03B 5/62, C01B 31/06

Метки: классификации, мелкодисперсных

...тем, что устройство снабжено регулируемым механизмом перемещения поверхности осаждения, а подающий и сливной патрубки снабжены соответственно всасывающим и нагнетательным клапанами и расположены коаксиально.На чертеже представлено описываемое устройство, содержащее емкость 1 с подвижной поверхностью осаждения 2, подающий патрубок 8, выход которого 4 расположен на фиксированном расстоянии от поверхности осаждения, сливной патрубок 5, регулируемый механизм перемещения 6 поверхности осаждения, нагнетательный клапан 7 и всасываю 5 щий клапан 8.Устройство работает следующим образом.Перед началом процесса классификацииповерхность осаждения устанавливают вкрайнем верхнем положении, все трубопрово 10 ды и оставшиеся зазоры заполняют...

Номер патента: 409959

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: C01B 31/06

Метки: 409959

...1. Содержание азота в прозо дукте 3,1 вес.%, анионообменная емкость во1 сдактор Л, Ушакова Корректор Н. Торкииа Заказ 1035,1 Изд.377 Тираж 537 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. с.апунова, з локнистого анионообменпика составляет 2 мг экв./г. Продукт представляет собой волокна черного цвета, выдерживающие многократный изгиб,П р и м е р 3. Угольные волокна, полученные путем пиролпза при температуре 300 С, волокон хлопковой целлюлозы, окисленных двуокисью азота до содержания 7,9% СООН- групп, подвергают действию паров четырех- хлористого углерода в токе азота в течение 1 час при температуре 450 С в приборе, использованном в...

Номер патента: 411037

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Голянов, Демидов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, искусственных

...и подвергают его катодному распылению при следующих условиях: давление инертного газа-крептона 10- тор; парциальное давление водорода меньше 2 10 втор; парциальныс давления азота, кислорода и паров воды меньше 10 - " тор; напряжение между анодом и катодом 4 кв; ток разряда 4 ма; напряженность магнитного поля 700 эрст; температура стенок реакторной камеры около 78 К (температура жидкого азота); количество катодов 2 шт. При указанных условиях на меди образуется покрытие, пленка из искусственного алмаза со скоростью 5 а/мин,Предлагаемый способ обеспечивает полу О чение покрытий из искусственного алмаза типа карбонадо практически на любой твердой подложке. Возможно изготовление многослойных покрытий типа сэндвич, а также свободных пленок....

Номер патента: 485967

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Варфоломеева, Верещагин, Преображенский, Слесарев, Степанов, Штеренберг, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: материал, микрокристаллический, монолитный, углерода

...оснащенными крупными кристаллами алмазов. Предлагаемый материал получают заданной геометрической формы и в любом требуемом количестве идентичных экземпляров. Получение микрокристалического монолитного материала с заданной конфигурацией и чистотой поверхности сводит до минимума, а в некоторых случаях и полностью устраняет необходимость в дополнительной обработке его перед применением. Высокая температура начала окисления на воздухе материала существенноКорректор Т. Фнсенко Рсдактор Т. Пилипенко Заказ 3389/3 Изд,1861 Тираж 593 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, уК 35, Раущская нао., д. 4 5Типография, пр. Сапунова, 2 3язана с его монолитной плотной структурой малыми...

Номер патента: 487844

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Бакуль, Прихна

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, синтеза

...)к, ю / ) ) рол) ые. Способ разработан применительно к обычной реакционной камере, состоящей из двух матриц, контейнера ц теплоизоляцпонного материала. Реакционный состав, состоящий из 5 однородной смеси порошков графита, металлаили сплава, помещают непосредственно в контейнер без применения специального нагревателя. Нагрев реакционного состава осуцествляют методом сопротивления путем полклю ченця источника питания к матрице, Реакционная камера имеет диаметр 7 и высоту 8 мм. Наилучшие результаты получают при напряжении 2,15 - 2,35 В и последующей выдержке в течение 10 - 20 с. При напряжении, 15 превышающем указанное цлц меньшем его,выход алмазов очень низок.П р и м е р. В качестве реакционного составаиспользуют смесь чешуйчатого...

Номер патента: 487845

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Вепринцев, Клячко, Колчин, Фунтиков

МПК: C01B 31/06

Метки: материал, поликристаллический, сверхтвердый

...токшинского кварцита проходка на одну коронку диаметром 59 мм из этого материала составляет 2,7 - 2,8 погонных метров, износостойкость в 2 - 3 раза выше по сравнению с природными алмазами. При статическом сжатии на единичное зерно размером 630 мкм прочность составляет 20 - 21 кгс (по методике Киевского института сверхтвердых материалов). Материал может быть использован преимущественно для долот при бурении нефтяных и газовых скважин и оснащения буровых коронок для скоростного бурения шнуров в крепких горных породах при числе оборотов бурового снаряда до 3000 - 5000 в 1 мцн. Этим материалом можно также оснащать другие виды бурового института - коронки, расширители, камцережущие диски ц др.Материал можно получить следующим оо....

Номер патента: 411725

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Верещагин, Вобликов, Преображенский, Степанов

МПК: C01B 31/06

Метки: агрегатов, алмазных, заданной, поликристаллических, формы

...угперодсодержащей модепи-заготовки, имеющей форму будущего издепия, в импульсном режиме нагрева при температуре 10овыше 1500 С и давлении выше 80 кбар в присутствии порошкообразного катализатора. Однако такой способ не обеспечивает получения деталей машин, инструмента и других изделий сложной формы, 15Предлагаемый способ отличается тем, что для изготовления указанных изделий заданных размеров и любой формы поверхности используют модель-заготовку с размерами, на 20-30% превышающими размеры буду щего изделия, а порошкообразный катализатор - с размерами частиц, меньшими минимальных деталей рельефа модели-заготовки,В реакционную камеру высокого давления помещают графитовую модель, выпол ненную, например, в виде гайки с линейными размерами,...

Номер патента: 411724

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бочарова, Верещагин, Дмитриев, Моденов, Семерчан

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазных, композиционных

...то и другое, т.е. в участках с излишним содержанием связки наблюдается нарушение контактов алмазных зерен, а с недостато .ным содержанием - микропористость и слабое скрепление зерен, Заполнение межэеренных микрообъемов жидкой связкой одновременно по всему объему шихты приводит к захвату газообразных продуктов, находящихся в порошкообразной шихте или появившихся при ее разогреве, и к изо ляции газообразных продуктов в пределах межзеренных микрообъемов от периферии получаемого изддлия, Это также приводит к появлению микропористости, а следовательно к снижению предела прочности на сжатие и изгиб и к снижению упругих свойств. По предлагаемому способуэа подвергают воздействию давлка 60 кбар и выше с последующЗаказ 1710/162 Тираж 658;...

Номер патента: 329761

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Варфоломеева, Верещагин, Преображенский, Слесарев, Степанов, Штеренберг, Яковлев

МПК: C01B 31/06

Метки: агрегатов, алмазных, заданной, поликристаллических, формы

...Составитель Н СеменоваРедактор О, Филипповн Техред О. Луговая Корректор С, Ц 1 екм арЗаказ 422 /2 Тираж 658 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров ССс Р по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж 35, Рауаская наб., д. 4/5филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 нагрев приводит к прибавке давления в камере, Это, по-видимому, облегчает кинетику превращения графита.в алмаз, увеличивая неустойчивость решетки графита. Нагрев заканчивают в момент быстрого нарастания электросопротнвления реакционной ячейки в несколько раэ. Расположение катализатора в виде порошка по периферии графитовой заготовки приводит к росту алмазного полнкристалла в направлении от поверхности к центру графита, который таким...

Номер патента: 600086

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Лукьянов, Ножкина, Отопковь, Сенчаков

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, химической

...металлГидроокись щелочногометаллаАмфотерный элементПроцесс осуществляется сле П р и м ер 1. Для обработки порошка природного алмаза А 250/200 в соотношении 1: 1 Готовят смесь из 97,9% хлористого цинка, 2% гидрсокиси натрия и 0,1% алюминия, Обработку ведут при температуре 600 С 1 ч.Стойкость алмазов к окисленио определяют по потере веса при нагревании в воздушной атмосфере при 900 С в течение 1 ч.Получены следующие результаты потери веса, : у алмазов, обработанных в предлагаемом расплаве 21,6; у алмазов, обработанных в расплаве, содержащем 99% ЕпС 1. и 1% ХаОН 37,2; у необработанных алмазов 4 8%П р и м е р 2. Для обработки синтетических алмазов АСО 160/125 в соотношении 1: 2 готовят с.,есь, состоящую из 94% хлористого...

Номер патента: 411726

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Бакуль, Шульженко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, синтеза

...качестве соединений могут быть использованы окислы этих металлов, например Ъ 05, ХгО, или карбиды металлов, например ЮС, МоС. В качестве металлоэ могут быть использозаны их смеси и сплавы, например вольфрам - молнбдсз, ванадий - вольфрам титан.П р и м е р 1. Однородную смесь спектрально чистого графита и смеси молибде - зольфрам э объемном отношении 2:1 помещают загреэатель из спектрально чистого графита, закрывают с двух сторон графитовыми дисками, подвергают воздействию давления 95 в 1 кбар и температуры 2200 - 2700 С и зыдержпзают з этих условиях 2 яин. Проводят 1,5 опытоз, в каждом опыте обнаруживаются прочные поликристаллические ал м азы.П р и м е р 2. Диски из спектрально чис того графита и диски из 2 гО помещают послойно з...

Номер патента: 514482

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Бакуль, Вовчановский, Цыпин

МПК: C01B 31/06

Метки: основе, твердосплавной

...С ведут со скоростью 3000- 3500 С/ч. При 1400 С изделия выдерживают в течение не .более 10 мин, затем их охлаждают до комнатной температуры со скоростью 1000-1100 фС/ч,Использование предлагаемого способа позволяет повысить прочность изделий и у теизготовлениП р и м е р,Порошок металлрамической основы, состоящей икарбида вольфрама и 6 кобальтзасыпают в пресс-форму и при иШи фигурного пуансона прессуютлочку в форме стакана. После извлечения пуансона в образовавшийсяобъем засыпают предварительно подготовленную смесь алмазов с порошкомметаллокерамической основы, Затемв пресс-Форму засыпают навеску смеси б вес,Ъ кобальта и 94 вес.Ъ карбида вольфрама для образования верхнего слоя оболочки. После прессования заготовку извлекают из прессформы...

Номер патента: 688430

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Бартенев, Городецкий, Захаров, Канаев, Львов, Скворцов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

...алмаза раствором азотной и соляной кислот при 20 - 100 С 31. Различные примеси, содержащиеся в алмазе после синтеза, растворяются, что позволяет получить абразивный поликристаллический материал более высокого качества,Однако известный способ обработки поликристаллического алмаза не позволяет бразивную способность и тения - разработка такого еской обработки поликриалмаза, который позволил роизводительность и снизить од алмаза при абразивной чет повышения абразивной абразивной стойкости алма688430 Составитель А. Скворцов Техред Н, Строганова Корректор Л. Орлова Редактор А. Соловьева Заказ 2101/6 Нзд. Ме 549 Тираж 591 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий П 3035, Москва, Ж, Раушская наб., д....

Номер патента: 645505

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Верещагин, Вольпин, Калашников, Лысанов, Новиков, Фарафонтов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, синтетических

...группы в форме ионного соединения, разлагающегося при температурах 1200-2000 С до свободного металла. Во всех примерах, иллюстрирующих данный способ, .температуры синтеза превышают 1200 С, а отрезки времени, необходимые для проведения процесса, лежат в диапазоне 2-20 мин.Недостаток такого способа. состоит в большой продолжительности процесса . синтеза, который проходит при температурах, лежащих вблизи точек плавления катализаторов для обеспечения их высокой активности при превращении граФита в алмазЦель изобретения - ускорение про-, цесса образования алмаза.Достигается это тем, что в качестве катализатора используют слоистое соединение графита с металлом из 20 группы: железо, никель, кобальт, марганец, хром, а также смеси соединений этих...

Номер патента: 339134

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Дерягин, Спицын

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, граней, наращивания

...практически неразвивается, Это,: позволяет наращивать с большой скоростью нестабильные кристаллы весом около килограмма., нпи СВ; окоп опыта 3 ч.Грань алма С 34 и СВГ н под микроскоп криствппическ нароста, Велич Сущность предлагаемого способа состоит в том, что соединения углерода С 34, СВг возгоняются при 110-120 С из ампулы и, проходя через термостатированную (продуванием воздуха 1 25 С)о трубку, попадает в виде потока молекул на грань кристалла алмаза, помещенного на нагреватель иэ танталовой ленты.Кристаллы представлятот собой плоскопаралпедьную пластину с размером 2,5 " за, обращенная к потокуаблюдаемая при увеличенииом к 1000, обнаруживаетое строение полученного ина образовавшихся полупрозрачных кристалликов в отдельных...

Номер патента: 444448

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Дигонский, Друй, Сохор, Сыркин, Уэльский, Фельдгун

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, выращивания

...относится к синтезу алмазов, а именно к синтезу алмазов в метастабильных условиях из газовой фазы, и может быть использовано в химической и станкоинструментальной промышленностях. дИзвестен способ синтеза алмазов при давлении 0,01 - 1,0 мм рт. ст, и температуре 800 в 16 С на затравочных кристаллах алмаза с использованием газообразных источников углерода. 1Однако в известном способе синтеза в качестве источников углерода применяют окись углерода, углеводороды, что делает процесс малоэффективным.Цель изобретения - повысить эффектив ность процесса наращивания алмазов.Это достигается тем, что в качестве источника углерода используют карбонилы переходных металлов Ъ - И 11 групп периодической системы элементов или их производные, такие как...

Номер патента: 1114611

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Казанков, Себов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов, продукте, синтеза, содержания

...что в способе определения содержания З 5 алмазов в продукте синтеза, включающем взвешивание продукта синтеза, измерение его объема и расчет содержания алмазов после взвешивания продукта синтеза измеряют его объем, а 40 содержание алмазов рассчитывают по формуле а - пористость продукта синтеза, 7;М" масса посторонних примесейграфитовых шайб, контейнерови др. материалов, г;У - объем продукта синтеза,см;/; - объем посторонних примесейграфитовых шайб, контейнерови др, материалов, см.При статическом синтезе алмазов используется шихта, содержащая граФит и сплав металлов-катализаторов. Смесь загружается в контейнер иэ литографического камня (катлинита). При одном из способов снаряжения контейнера сверху и снизу шихты применя" ются шайбы из...

Номер патента: 1134119

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Джон, Дэвид, Ричард

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, наращивания

...который бомбардируется ионами углерода 1 в предлагаемом способе содер3 11341 жит образование промежуточных петель в кристалле ионами, которые в него проникают, посредством чего дополнительные промежуточные атомы, созданные таким образом, осаждаются в промежуточных петлях. Бомбардирование вводит один дополнительный промежуточный атом в кристалл для каждого иона, падающего на кристалл. Дополнительные промежуточные атомы пред О ,почтительно осаждаются в промежуточных петлях и не компенсируются ростом незанятых петель. Концентрация и размер промежуточных петель, однако, увеличиваются в процессе бомбардирования и наружные размеры кристалла, таким образом, увеличиваются, т.е. повыша тся скорость роста алмаза и чистота поверхности.Для...

Номер патента: 741539

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Богуславкий, Воронов, Джавадов, Дмитриев, Семерчан

МПК: B24D 3/06, C01B 21/06, C01B 31/06 ...

Метки: сверхтвердых

...ультразвуковых колебаний используют пьезоэлектрические материалы, преобразующие энергию приложенного переменногоэлектрического тока в механическиеколебания, Для изготовления пьезоэлектрических преобразователей применяют различные материалы: кварц,сег- .нетова соль, керамические поликристаллы титановых солей и др.Цля эффективной пропитки длина 35волны звука должна .быть много меньше размеров получаемого образца:Ъ(а, где Ъ - длина волны звука;И - частота звукового поля; а - размеры получаемого образца; С - скоСрость звука. Так как Я = -- тоЪ фусловие( а дает ограничение нанижний предел частоты, При частотахвыше 1 мГц ультразвуковые волны будут сильно поглощаться, а следовательно, эффект от наложения звукового поля очень мал,Способ...

Номер патента: 1528727

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Артыщенко, Базалий, Богатырева, Букало, Верник, Киришян, Маринич, Митрова, Нерсесян, Тер-Азарян

МПК: C01B 31/06, C25B 1/00

Метки: алмазов, рекуперации

...скоростьрастворения увеличивается. Однако, 40при достижении концентрации 157, поступает замедление скорости растворения металлической составляющей. При проведении электрохимического растворения в растворе азотной кислоты наблюдается образование большего количества мелкодисперсной медной фазы, которая не только замедляет процесс, но вносит загрязнения в алмазный концентрат и требует избежать добавления50 фтористого натрия, ион фтора которого образует растворимые комплексы меди и не препятствует проведению электролиза. Кроме того, мелкодисперсная медь может контактно высаживаться на рекуперированный инструмент.При рекуперации технологического передела проката иэ него изготавливают анод, представляющий собой диск диаметром 100-150 мм и...

Номер патента: 1490869

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Вольпин, Дубицкий, Исаев, Квачева, Новиков, Плотянская

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, порошков

...изобретения Составитель Л,РоманцеваТехред М.Дидык Корректор В,Гирняк Редактор Т.Пилипенко Заказ 1899 ъ аТираж 311 Подписное комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ВНИИПИ Государственного 113035, Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,10 ратуре, отмывают водой и сушат и100 С до постоянной массы. 0,15 г полученного соединения с содержанием1,5 мас./ лития помещают в камеру вы сокого давления и в течение 10 мннведут синтез алмазов при давлении12 ГИа и температуре 800 С. Выход алмаза 357., Содержание марганца 0,001 Х,железа 0,0043 и никеля 0,0063.П р и м е р 3. К 4 г графита в токе аргона при перемешивании добавляют0,16 г натрия и 1,0 г калия. За 3,5 чполучают...

Номер патента: 1443320

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Голубев, Дубицкий, Плотянская

МПК: C01B 31/06

Метки: лонсдейлита

...проводят по режиму второго цикла, Выход лонсдейлита - 27 мас.7. Лснсдейлит содержит следы алмаза и "заклиненного" графита, Вес конечного продукта 67,5 мг.П р и м е р 4. В контейнер из литограФического камня беэ нагревателя помещают 2,3 г природного высококристаллического графита. Подвергают воздействию давления 5,7 ГПа и температуры 1250 С. Повышают давление и температуру, соответственно, со скоростью 0,5 ГПа/с и 100 град/с, выдерживают 30 с, снижают температуРу и давление до атмосферных, соответственно, со скоростью 200 град/с и 0,5 ГПа/с, затем в контейнер каме" ры высокого давления меньшего объема без нагревателя помещают 0,35 г графита иэ образца, полученного в предыдущем цикле и подвергают воздействию давления 7,5 ГПа (407 от...

Номер патента: 853956

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Белоусова, Верещагин, Слесарев, Штеренберг

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

...как графитирующихся, так и неграфитирующихся угле родсодержащих материалов; выбранных из группы, включа(54)(57) 1, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗА обработкой углеродсодержащего материала под давлением 100 - 200 кбар при температуре 1200 - 2000 С,отл и ча ю щийс я тем, что, с целью повышения выхода алмаза, в качестве углеродсодержащего матеоиала используют термообработанную канальную сажу или кокс из поливинилиденхлорида.2, Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что канальную сажу предварительно термообрабатывают при температуре до 1200 С. ющей камфен, антрацен, газовую сажу, пирен, флуорен, полиэтилен, камфору, полифенилен, парафин.Однако выход алмаза недостаточно высок (15 - 700).Целью изобретения является повышение выхода...