Способ выращивания кристаллов алюминия

Номер патента: 949979

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Брантов, Татарченко, Хлесткин, Эпельбаум

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллических, ориентированных, слоев

...верхнего тигля по капиллярному зазору между пластиной питателя и подложкой-кристаллом проникает в нижний тигель, НедоСтатком устройства является то, что работа его верхней части возможна при использовании предварительно подготовленных подложек, при этом площадь контакта подложки с расплавом вследствие его затекания в щель между питателем и подложкой определяется площадью пластины питателя, вдоль которой протягивается подложка. Значительная величина зоны контакта расплава с подложкой приводит к ухудшению 25 качества выращиваемого слоя вследствие загрязнения расплава примесями.Цель изобретения - снижение загрязнения примесями выращиваемых сло- ЗО ев за счет уменьшения зоны расплава, контактирующего с подложкой, и увеличение...

Номер патента: 683065

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Дубовицкий, Половинкина

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ориентированных, разъемный, тигель

...И. Однако этот тигель не обеспечивает воспроизводимости структурного совершенства монокристаллов, так как пля каждой операции кристаллизации используется новая затравка.Кроме того, неопределенность пространственноя ориентациии затравочного кристал ла затрудняет выращивание монокрнстал 2лов зюпзцпой ориентации и точной геометррич ес к,1 й ф ч м м.Н лс 1 ц,306)гтеиия является повышениеструктурно о совера 1. яства моиокристаллов поср аством многократного использоваиия одной и той же затравки, управпения процессом затравливания и уменьщения напряжений при кристаллизации.Эго постигается тем, что разъемныйтигель цля выращивания ориентированныхмонокристаллов вертикальной направлеянвйкристаллизацией расплава на затравхевыполнен из...

Номер патента: 1798395

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, расплава

...с нижней опорой 17, приводом 19 кассета устанавливается в положение выращивания, После затравливания и выращивания монокристалла, приводом 21 затравкодержатель 7 поднимается в верхнее положение, приводом 19 кассета 9 поворачиваются в положение перегрузка, при этом как только ось гнезда совпадает с осью выращивания, срабатывает фиксатор 18, удерживая кассету в этом положении, При этом автоматически сраба 1798395тывает самозапирающееся захватное устройство 14, удерживая кристалл от падения, а приводом 21 кристалл 22 опускается в опору 15 нижнего корпуса кассеты 9, таким образом кристалл оказывается зафиксированным по оси выращивания, При дальнейшем повороте кассеты 9 происходит излом шейки кристалла и его отделение от затравки. Затем если...

Номер патента: 1820925

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Гусев, Каргин, Царев, Циглер, Чиркина

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом

...одного материала к другому в ходе одного циклакристаллизации при выращивании многослойного кристалла.Так, в эксперименте установлено, чтопри выращивании сложного кристалла, например лейкосапфир-рубин-лейкосапфира,.с постоянным диаметром при переходе отодного материала к другому расход кислорода, согласно программе автоматическогорегулирования расхода газов, меняется на 4 - 6 от общего расхода. кислорода центральной горелки и соответственно берется тем больший процент измерения расхода,. тем больше диаметр вцращиваемого кристалла.Процесс выращивания кристаллов повышенной оптической однородности диаметром от 10 до 100 мм с использованием вновь разработанных систем нагрева и расположения Фронта кристаллизации эффективно осуществляется при...

Номер патента: 1659535

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Антонова, Васильев, Веселинов, Кузнецов, Кунев, Малеев, Павлюк, Петров, Харченко

МПК: C30B 15/00, C30B 15/04, C30B 29/32

Метки: молибдата, монокристаллов, свинца

...м едл е н н о (1-2 ч), что бы избежать термоудара. Перед началом процесса вытягивания расплавляют 2-3 мм затравки для удаления поврежденной обработкой части. Начинают вытягивать монокристалп (скорость вращения затравки 12 об/мин) со скоростью 0,25 мм/ч. Разращивают со сбросом температуры в 0,5 С/см до диаметра 25 мм и убирают сброс постепенно после 40 мм вытягивания, Кристалл в конце опыта резко отрывают от расплава и охлаждают со скоростью 30,/ч, Кристалл имеет слабо желтую окраску, оптически однородный, без блоков и макровключений. В нижней части кристалл имеет диаметр 35мм при длине 70 мм, вес 791 г. П р и м е р Э. Шихту, приготовленнуюметодом осаждения, нагревают со скоро 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 стью 150/ч. Процесс...