Хулугуров

Номер патента: 1634087

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Иншаков, Исаченков, Умнов, Харченко, Хулугуров

МПК: H01S 3/02, H01S 3/11

Метки: лазер

Лазер, содержащий резонатор, установленный на его оптической оси, оптический лазерный элемент, выполненный в виде призмы с многократным полным внутренним отражением от ее граней, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции лазера и уменьшения его габаритов, оптический лазерный элемент выполнен в виде шестигранной призмы, симметричной относительно плоскости, перпендикулярной оптической оси резонатора и установленной таким образом, что нормаль к ее входной грани составляет угол Брюстера с оптической осью резонатора, а тупой угол, примыкающий к входной грани, равен 292,5o - 2,5 Бр, три других...

Номер патента: 1459572

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Алексеев, Иванов, Иншаков, Тринчук, Хулугуров, Шуленин

МПК: H01S 3/09

Метки: лазер, ламповой, накачкой

1. Лазер с ламповой накачкой, содержащий кювету с люминесцирующей средой и с активным элементом, расположенным вдоль оси кюветы, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД лазера путем предотвращения развития суперлюминесценции в люминесцирующей среде в направлении, совпадающем с оптической осью активного элемента, в люминесцирующую среду вводят оптические неоднородности, препятствующие распространению излучения люминесценции.2. Лазер по п.1, отличающийся тем, что в качестве люминесцирующей среды использован раствор красителя, в который введены пузырьки газа, инертного по отношению к люминесцирующей среде, причем относительную объемную концентрацию газовых пузырьков выбирают в...

Номер патента: 1575585

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волочек, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристалла, лития, фторида

1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в концентрации 0,1 - 1,0 мас.%, а вытягивание ведут на воздухе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NH4F.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NiF2.

Номер патента: 1515981

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волкова, Иванов, Иншаков, Хулугуров, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерный, материал, пассивных, элементов

Лазерный материал для активных элементов и пассивных затворов на основе монокристаллического фтористого лития с примесными ионами гидроксила OH и рабочими F+2-центрами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь, он дополнительно содержит примесь натрия в количестве 0,5 - 3 мас.%.

Номер патента: 1565084

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чернышев, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, фторида

Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в инертную атмосферу при их парциальном давлении 20 - 30 мм рт.ст.

Номер патента: 762692

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Иванов, Лобанов, Максимова, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, лазера, элемент

АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЛАЗЕРА на основе фторида лития, содержащего ионы гидроксила, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления при комнатной температуре, он дополнительно содержит ионы магния.

Номер патента: 1396795

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Иванов, Иншаков, Махро, Хулугуров

МПК: G02B 5/00

Метки: волнового, волны, нелинейного, обращения, фронта, электромагнитной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОБРАЩЕНИЯ ВОЛНОВОГО ФРОНТА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ на основе монокристалла фторида лития с примесными ионами гидроксила, включающий облучение кристалла ионизирующим излучением до доз 2,5 103 1,25 105 Кл/кг, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности, затрачиваемой на создание динамической дифракционной решетки, путем заселения метастабильных состояний рабочих центров с одновременным увеличением набора частот обращаемых волн, кристалл дополнительно легируют примесными ионами гидроксила до достижения коэффициента поглощения на длине волны...

Номер патента: 845721

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Иванов, Кузаков, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО на основе фторида натрия с центрами окраски, отличающееся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров, излучающих при комнатной температуре, в него введена окись европия Eu2O3 в следующей концентрации 1 10-1 2 10-2 мас.

Номер патента: 1276207

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Ахвледиани, Иванов, Михаленко, Хулугуров, Шкадаревич

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерной, среды

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ на основе кристалла фторида лития с примесью магния, включающий облучение кристалла ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью получения генерации в области 0,64 0,72 мкм и увеличения срока службы лазера в указанном диапазоне, кристалл облучают при температуре от 196 до 40oС дозами 108 109 P, после чего выдерживают его при температуре 90 100oС в течение 1,5 2 ч.

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 1414266

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Иванов, Иншаков, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: излучения, когерентного, кристалле, лития, фтористого, центрах

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА F+2 -ЦЕНТРАХ В КРИСТАЛЛЕ ФТОРИСТОГО ЛИТИЯ, включающий облучение кристалла ионизирующим излучением и накачку его излучением импульсных газоразрядных ламп, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии излучения путем увеличения концентрации рабочих центров окраски при одновременном упрощении способа, облучают кристалл ионизирующим излучением при температуре 78 243 К.

Номер патента: 1331394

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Непомнящих, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА на основе кристалла фтористого лития LiF с примесью магния, включающий выращивание кристалла из расплава, облучение его ионизирующим излучением для создании центров окраски, отличающийся тем, что, с целью повышения фотоустойчивости рабочих центров окраски и расширения диапазона генерируемых длин волн, кристалл выращивают в инертной или восстановительной атмосфере, а его облучение производят при одной из температур в диапазоне 80 300oС.

Номер патента: 1220475

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Бураков, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич

МПК: G02F 1/35

Метки: затворах, коэффициента, кристаллов, окраски, основе, остаточного, пассивных, поглощения, центрами

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 -ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ в спектральной области 0,9 1,15 мкм, включающий просвечивание кристалла излучением, измерение пропускания, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления способа, просвечивают кристалл излучением от стабилизированного источника, измеряют пропускание на длине волны 1,15 1,04 мкм, а коэффициент остаточного поглощения Kн определяют по формулеKн Al-1lnT-1,где l длина кристалла;A эмпирический коэффициент;T период.

Номер патента: 658638

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Лобанов, Максимова, Мартынович, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, окг, элемент

...содержащем ионыла, хорошо растворимого в воде. ОН, выше,Известен активный элемент, на основе . Проведены испытаййя работы двух ак-.монокристалла, содержащего центры окра- тивных элементов в оптическом квантовомски. Активный элемент, изготовленный из 40 усилителе на длине волны 928 нм, Измеремонокристалла фторида лития, содержащий ны коэффициенты усиления и полученнйеэлектронные центры окраски, обладает ши- данные сопоставлены с результатами исслерокой полосой люминесценции в ближней . дования активного элемента из монокриинфракрасной области спектра и позволяет сталла фторида лития, не содержащегоплавно перестраивать частоту ОКУ и ОКГ в 45 ионы гидроксила. Испытания проведены.напределах этой полосы, установке, схема которой представлена...

Номер патента: 1064835

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Янчук

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерной, пассивных, среды, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла фторида лития с F-2 центрами окраски, включающий облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентраций F-2 центров окраски, монокристалл облучают дозой (0,02 1) 109. Рентген при поддержании температуры кристалла -25 +25oС.

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 814225

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Бубнова, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития, включающий загрузку шихты, выращивание монокристалла из расплава с последующим облучением его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического коэффициента усиления за счет увеличения концентрации рабочих центров, шихту дополнительно измельчают и увлажнаяют, а облучение монокристаллов производят с дозой 107 4 107 рентген при температуре от 50 100oС.

Номер патента: 1440193

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Иншаков, Пономарев, Хулугуров

МПК: G02F 1/35

Метки: волнового, волны, материал, нелинейный, обращения, фронта, электромагнитной

НЕЛИНЕЙНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ОБРАЩЕНИЯ ВОЛНОВОГО ФРОНТА ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ путем создания в нем динамической дифракционной решетки на основе кристалла флорида лития, содержащего поглощающие центры окраски, включая F2 - центры, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности, затрачиваемой на создание в нем динамической дифракционной решетки, путем заселения метастабильных состояний, рабочих центров и расширения спектрального диапазона обращения волнового фронта, в материале дополнительно создают F+3 и F+3* центры в концентрациях, определяемых следующими выражениями:

Номер патента: 1102458

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чепурной, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазеров, пассивных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ на основе монокристалла фтористого лития, содержащего ионы гидроксила, включающий облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД генерации и эффективности модуляции лазеров, облучение производят при температуре от -195 до -40oС дозой в интервале 108 109Р.

Номер патента: 991841

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Иванов, Кузаков, Парфианович, Петухов, Хулугуров, Чепурной

МПК: G02B 5/22

Метки: аподизирующей, диафрагмы, материал

...также при длительном хранении при комнатной температуре разрущаются, 65 Цель изобретения-повышение коэффициента поглощения материала и термической устойчивости поглощающихцентров устройств.Поставленная цель достигается тем,что в материале для аподизирующейдиафрагмы, представляющем собой ионный кристалл с центрами окраски, вкачестве ионного кристалла использован фторид лития, содержащий примесьазотнокислого уранила при,следующемсоотношении компонентов, вес.Ъ:Фторид лития (Ь 1 Г) 99-99,99Азотнокислыйуранил (БО 2(ИО,), ) 1- 0,01 соответственно,На Фиг. 1 представлены спектральные характеристики коэффициента поглощения предлагаемого (кривая 1) иизвестного (кривая 2) материаловпосле их облучения-излучением видентичных условиях; на фиг. 2 -...

Номер патента: 818423

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Иванов, Лобанов, Парфианович, Титов, Хулугуров, Чепурной

МПК: H01S 3/11

Метки: добротности, лазера, модулятор, пассивный, резонатора

...нейтроны).Пассивные модуляторы из фтористого лития с центрами окраски выполнены в форме параллелепипеда размерами 39 10 10,26 13 13 и 30 10 10 мм. Рабочими поверхностями являются взаимопротивоположныеграни параллелепипеда, которые полируются до достижения цвета степень плоскостности поверхности) не более 1 кольца и непараллельности граней порядка 10 - 1 о угловых секунд. Пассивные модуляторы дооротности располагаются в лазерном резонаторе между 100 о зеркалом и лазернойголовкой осветителя с активным элементом.1-1 ачальное пропускание модулятора на длине волны лазерного излучения находится впределах 10 - 90%. Оптимальное значениепропускания зависит от конструкции лазера и подбирается экспериментально,Монокристаллы пассивного...