Способ выращивания монокристаллов

Номер патента: 253778

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Ионов, Колосов, Проектный, Прокофьева, Рейфман

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбидакремния, монокристаллов

...цссодержащий гермдццй в пающем содержание в цсм есей в 1 О- - 10 рдз. Спосоо выращцв 15 бида кремния пер го легированного тсрцала через газ тем, что, с цель 1 о щцваемых моцокр 20 ходный м атерц ал количестве, превьп акцепторцых примИзвестен способ выращивания моцокристаллов карбида кремния перекрцсталлцзацией исходного легированного поликристаллического материала через газовую фазу.По предлагаемому способу используют исходный материал, содержащий германий в количестве, превышающем содержание в нем акцепторных примесей в 10- - 10" раз. Прц перекристаллизации материала, содержащего германий, повышается чистота получаемых монокристаллов.Способ выращивания монокристаллов карбида кремния осуществляется следующим образом. Исходный...

Номер патента: 1624064

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Абдуллаев, Азизов, Алексеев, Алиев, Петрова

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов

...канала.Получают соединение ТйпЯе 2. Готовые образцы размером 1 х 1 х 5 мм получают раскалыванием монокристаллического слитка по двум взаимноперпендикулярным естественным плоскостям кристалла, выращенно. го методом зонной плавки.Данный способ позволяет получать готовые образцы с минимаЛьной степенью де1624064 Составитель Н. ПономарегэТехред М,Моргентал Корректор С. Шекма Сеглян Редак Заказ 171 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5и ГКНТ ССС зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород арина, 10 формации и с воспроизводимой заданной кристаллографической ориентацией 110). При этом время, в течение которого инертный газ прогоняется через систему при Р 1 = 0,2...

Номер патента: 1701755

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: ароматического, выращивания, монокристаллов, соединения

...что сильно растягивает время выращивания монокристаллов, а при температурах выше 40 С усиливается разложениевещества, цвет раствора изменяется, Этипримеси входят в кристаллическуа решеткуманокристэллэ, ухудшая его оптическое качество. Температура (35 - 40 С выбрана в достаточной мере условно, зависит от степениочистки исходных веществ и растворителейи является усредненной из большого количества экспериментов,Экспериментально было установлночто монокристалль 1 3-метокси-аксибензальдегида вырастают из смеси бензола иэтилового эфира в соотношении 1:1 в видетонких(да 0,1 мм толщиной) гексагонэльныхпластин. Добавка пропиленкарбоната приводит к разращиванию монокристалла втолщину.В приведенном примере рассматривалось влияние...

Номер патента: 184246

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Витовский, Добржанский, Нете, Чернышев

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...4 и закрываются сверху крышкой Б,Порошкообразное кристаллизуемое вещество засыпается в конусную часть ампулы 6с крючком для крепления 7, затем плотно утрамбовывается. После этого в цилиндриче 5 ску 10 часть ампулы помещается спрессованноеьещество и закрывающий поршенек 8 (из материала ампулы). Подготовленная таким образом ампула откачивается или наполняетсянеобходимой газовой средой и запаивается,Запаянная ампула прикрепляется к стержню9, соединенному с механизмами вращения иперемещения ампулы, Благодаря теплопроводности стержень выполняет роль дополни.тельного теплоотвода от растущего кристал 15 ла,После включения нагрева печи ампула усганавливается так, чтобы центр теплоотводанаходился в зоне максимальной температуры,после чего...

Номер патента: 209417

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Булах, Ёт, Зад

МПК: C30B 23/00, C30B 29/50

Метки: выращивания, монокристаллов

...нагретого лав рный поверх паров и усл распо и инте я комп ности перевиях оженсив- енсаИзвестен способлов соединений спри температуре пфида кадмия, переровую фазу в герммой из зоны нагрепротивления, с верградиентом.Особенностью пляется то, что зонумощи ванны расплтого у поверхноституры, чем температрекристаллизуемоговыращивания, Этобильные и благопрзации, следовательнращивания.Сущность изобре Ампулу 1 с ют полностью греваемое печ создают верт диент с темпер ниже темпера кристаллизуем выращивания, ние ванны с р ность перемеш 8.Ч.1969, Бюллетень18 ции тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси.В расплаве ампула находится в течениевремени, необходимого для спекания и уплот нения загрузки. Затем ее начинают вытягиватьвверх со...