Патенты с меткой «f-2-центров»
Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития
Номер патента: 1443496
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник
МПК: C30B 29/12, C30B 33/00
Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида
Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.