Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что охлаждение ведут до 1875 - 1880oC, после чего в расплав вводят затравку, нагретую до 1670 - 1770oC.
Заявка
4260652/26, 11.06.1987
Специальное конструкторско-технологическое бюро монокристаллов СО АН СССР, Институт геологии и геофизики СО АН СССР
Гуров В. В, Цветков Е. Г, Букин Г. В
МПК / Метки
МПК: C30B 15/02, C30B 29/20
Метки: монокристаллов, основе, хризоберилла
Опубликовано: 27.03.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1469918-sposob-polucheniya-monokristallov-na-osnove-khrizoberilla.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла</a>
Предыдущий патент: Способ прогнозирования адаптационных возможностей организма
Следующий патент: Сферический сосуд высокого давления
Случайный патент: Устройство для воспроизведения изображения