Лобанов

Номер патента: 1245207

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, примесями, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями, включающий термическую обработку и последующее облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации -центров окраски и создания -центров окраски, монокристалл перед термической обработкой предварительно облучают ионизирующим излучением в интервале доз 5·107 - 108 P и проводят его термическую обработку в течение 30-60 мин в температурном интервале 220-250°С, затем монокристалл охлаждают...

Номер патента: 812131

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Лобанов, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: активная, среда

Номер патента: 1264795

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Григоров, Исянова, Лобанов, Максимова, Парфианович, Проворов, Цирулникк, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, лазера, твердотельного, элемент

Активный элемент твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента при одновременном повышении частоты следования импульсов генерации, монокристалл фторида лития дополнительно содержит Mg++ O---комплексы.

Номер патента: 1261534

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Овчинников

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных -центров окраски в монокристалле фторида лития, включающий охлаждение и облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения величины поглощения неактивных центров окраски при одновременном упрощении создания -центров окраски, перед охлаждением монокристалл облучают при комнатной температуре в интервале доз 5·108 - 5,1·108 P, затем охлаждают его до температуры -20°С - 0°С, ограничивающей подвижность анионных вакансий, и облучают при этой...

Номер патента: 1319645

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Исянова, Лобанов, Максимова, Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/42, C30B 33/00 ...

Метки: монокристаллов, натрия, фтористого

Способ получения монокристаллов фтористого натрия, содержащих лазерноактивные -центры окраски, включающий вытягивание исходного вещества с добавкой гидроокиси натрия на вращающуюся затравку, остающуюся в расплаве, и облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности монокристаллов и термической устойчивости -центров, в расплав дополнительно вводят азотнокислый натрий и фторид кальция при следующем содержании компонентов, мас.%:

Номер патента: 1380162

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Исянова, Кудряшов, Лобанов, Максимова, Цирульник

МПК: C01D 15/04

Метки: лития, фтористого

Способ получения фтористого лития, используемого для выращивания монокристаллов, включающий взаимодействие растворов гидроксида лития и фтористоводородной кислоты в присутствии добавки, отличающийся тем, что, с целью получения продукта, обеспечивающего высокую степень поглощения инфракрасного излучения в области спектра m=3720 см-1, в качестве добавки вводят гидроксид натрия в количестве 0,15-0,2% от массы получаемой соли и используют 8%-ные растворы исходных реагентов.

Номер патента: 1037818

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Исянова, Лобанов, Максимова

МПК: H01S 3/11

Метки: добротности, лазера, модулятор, пассивный, резонатора

1. Пассивный модулятор добротности резонатора лазера на основе монокристалла фторида лития, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии моноимпульса, формируемого модулятором, монокристалл содержит свободные ОН--ионы и Mg ++OH-OH-Vc--комплексы, где Vc- катионная вакансия.2. Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера, включающий облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии моноимпульсов после облучения, монокристалл подвергают термической обработке в температурном интервале 235-245°С в течение 1-1,5 ч.

Номер патента: 990052

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Волкова, Исянова, Лобанов, Максимова, Парфианович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

Способ изготовления активного элемента твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента в непрерывном режиме за счет повышения оптической устойчивости центров окраски, монокристалл после облучения ионизирующим излучением дополнительно подвергают термической обработке в температурном интервале 230-300°С в течение 30-60 мин.

Номер патента: 762327

Опубликовано: 10.10.2005

Авторы: Илюхин, Лобанов, Митриченко, Чернявский, Чикулаев

МПК: B64C 13/18

Метки: заходе, посадку, самолетом

Устройство для управления самолетом при заходе на посадку, содержащее управляемый коммутатор, радиовысотомер с блоком контроля, датчик нормальной перегрузки с подсоединенным к нему четвертым сумматором, второй вход которого соединен с источником опорного напряжения, первый, второй и третий фильтры высоких частот, первый фильтр низких частот, второй и третий сумматоры, датчик углового положения, соединенный через первый дифференцирующий фильтр и первый сумматор с сервоприводом и последовательно соединенные датчик отклонения от глиссады, второй дифференцирующий фильтр, второй масштабный усилитель и шестой сумматор, другой вход которого через третий масштабный усилитель соединен с датчиком...

Номер патента: 1113989

Опубликовано: 27.09.2005

Авторы: Лобанов, Митриченко

МПК: B64C 19/02

Метки: аппаратов, защиты, летательных, полета, системы, скоростью

Устройство для защиты систем управления скоростью полета летательных аппаратов, содержащее датчик отклонения скорости полета от заданной, датчик продольного ускорения, выходы которых соединены с входом вычислительного блока, выход которого соединен с первым входом сервопривода, механически связанного с входом исполнительного элемента, пороговый блок, выход которого соединен с вторым входом сервопривода, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности защиты, в него введены дополнительный датчик отклонения скорости полета от заданной, концевые выключатели, суммирующий усилитель, выпрямители, причем выход сервопривода механически связан с подвижными контактами концевых выключателей,...

Номер патента: 1048651

Опубликовано: 27.09.2005

Авторы: Лобанов, Митриченко, Михайлов

МПК: B64C 13/18

Метки: заходе, полетом, посадку, самолета

Система управления полетом самолета при заходе на посадку, содержащая блок датчиков, последовательно соединенные блок формирования заданного ускорения, вход которого соединен с выходом блока датчиков по сигналу отклонения от глиссады, первый коммутатор, блок амплитудно-фазовой коррекции, второй вход которого соединен с выходом блока формирования заданного ускорения, и исполнительный блок, а также блок формирования вертикального ускорения, первый, второй и третий входы которого соединены соответственно с выходами блока датчиков по сигналам нормальной перегрузки, угла крена и компенсирующему, а выход подключен к третьему входу блока амплитудно-фазовой коррекции, четвертый вход которого...

Номер патента: 705782

Опубликовано: 20.06.2005

Авторы: Лобанов, Маркин, Трушкин, Фомин, Штандель

МПК: C03B 37/025

Метки: оптических, стекловолокна, устройств

1. Способ изготовления оптических устройств из стекловолокна, преимущественно фоконов, включающий нагревание середины волоконной заготовки до размягчения и деформации ее вдоль продольной оси, вращение заготовки за противоположные концы, отличающийся тем, что с целью исключения закрутки волокон и искривления их оптической оси и повышения качества фоконов, во время нагревания осуществляют синхронное вращение противоположных концов заготовки, прикладывают к противоположным концам заготовки растягивающее усилие до полного ее разрыва и производят дополнительное вращение образованных фоконов до их затвердевания.2. Устройство для осуществления способа по п.1, включающее станину, два...

Номер патента: 1104791

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Игнатьев, Карпов, Ларкина, Лобанов, Малютина, Нестеров, Орлова, Смирнов, Черечукин

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

1. Способ очистки алмаза, включающий обработку алмаза при нагреве смесью азотной и соляной кислот при повышенном давлении в реакционной емкости из фторопласта, отличающийся тем, что, с целью полной очистки природных алмазов от примесей и сокращения длительности процесса, в смесь дополнительно вводят фтористоводородную кислоту при объемном соотношении концентрированных азотной, соляной и фтористоводородной кислот 3 : 1 : 1 - 2 соответственно.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что алмаз обрабатывают при 220 - 250oC в течение 1,5 - 3 ч.

Номер патента: 1391202

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Андреев, Габдуллин, Лобанов, Муслимов, Чепик

МПК: E21B 43/11

Метки: вскрытия, пласта, продуктивного

Устройство для вскрытия продуктивного пласта, включающее корпус с фильтрационными отверстиями, заглушенными химически разрушаемыми пробками, отличающееся тем, что, с целью предотвращения загрязнения продуктивного пласта при перерывах в добыче, оно снабжено размещенными на наружной стороне корпуса камерами с шарами, зафиксированными в исходном положении химически разрушаемыми элементами, выполненными из материала, химически менее активного, чем материал разрушаемой пробки, причем каждая из камер выполнена с каналами, верхний из которых сообщен с фильтрационным отверстием, а нижний - с заколонным пространством, шар размещен над верхним каналом, а в нижнем канале выполнено седло под шар.

Номер патента: 722285

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Брандман, Вяткин, Гулякин, Лобанов, Оверин, Патраков, Снежко

МПК: C22B 34/12

Метки: губки, титановой

Способ очистки титановой губки вакуумной сепарацией при 1100 - 1500oC с индукционным нагревом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества титановой губки, перед сепарацией проводят дополнительную сепарацию при 980 - 1020oC до содержания магния 0,2 - 2%, а сепарацию при 1100 - 1500oC с индукционным нагревом осуществляют при размещении губки с зазором между стенками аппарата и на титановом поддоне.

Номер патента: 774074

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Буянов, Лобанов, Храмов, Шубин

МПК: B23K 9/167

Метки: газах, горелка, дуговой, защитных, неплавящимся, сварки, электродом

Горелка для дуговой сварки неплавящимся электродом в защитных газах, содержащая корпус с укрепленным в нем держателем электрода, выполненным с каналом для размещения электрода и полостью охлаждения, а также сопло, отличающаяся тем, что, с целью ведения процесса сварки плоским электродом с боковым его фиксированием на токах свыше 250 А непрерывно в течение длительного периода времени за счет эффективного охлаждения нагревающихся частей горелки, полость охлаждения расположена от канала для размещения электрода со стороны, противоположной стороне фиксирования электрода, и выполнена с С-образным поперечным сечением, обхватывающим канал для размещения электрода с трех сторон, при этом отношение...

Номер патента: 1318050

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Лобанов, Ушаков

МПК: G01M 3/04

Метки: жидкости, обнаружения, утечки

Способ обнаружения утечки жидкости, заключающийся в том, что поверхность испытуемого изделия покрывают целлюлозной пленкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения надежности обнаружения утечки раствора щелочи из изделий в условиях воздействия радиации, подвергают целлюлозную пленку терморадиационной деструкции путем воздействия на нее -излучением и повышенной температурой и по образованию карбонатов на поверхности изделия определяют место и степень утечки раствора щелочи.

Номер патента: 1172347

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Белявский, Лобанов, Наседкин, Плотников, Снимщиков

МПК: F42B 1/02

Метки: взрывом, выполнения, отверстий

Устройство для выполнения отверстий взрывом без удаления вырезанной части, содержащее удлиненный кумулятивный заряд и инициирующее устройство, отличающееся тем, что, с целью повышения прочности удержания вырезанной части, заряд выполнен в виде не менее трех лучей, исходящих из одного центра, в котором размещено инициирующее устройство.

Номер патента: 1463098

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Лобанов, Лурье, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центров, активной, лазера, окраски, создания, среде

Способ создания F-2-центров окраски в активной среде лазера на основе LiF, включающий обучение -квантами в интервале доз 5 105 - 106 Gy, отличающийся тем, что, с целью формирования осесимметричного профиля поглощения F-2-центров окраски в активной среде, перед облучением -квантами проводят облучение электронами в интервале доз 106 - 5 106 Gy...

Номер патента: 1579164

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Кошелев, Лобанов, Прокопьев

МПК: F42C 19/12

Метки: электродетонатор

Электродетонатор, содержащий корпус, в котором размещены заряд бризантного взрывчатого вещества и мостик, установленный на дне корпуса и соединенный с электродами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов при сохранении инициирующей способности и минимальной энергии задействования путем создания оптимального распределения плотности запрессовки бризантного взрывчатого вещества по заряду, в него введена диэлектрическая вставка с поперечным сквозным пазом, жестко соединенная с корпусом, при этом мостик расположен внутри паза, а размеры вставки и паза выбраны в соответствии с соотношением0 < a D - l,

Номер патента: 1443496

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Номер патента: 1660520

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Анисимов, Архаров, Журавлев, Лобанов, Митрохин, Рождественский, Фотиев

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературного, порошка, сверхпроводящего

Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего порошка, при котором измельчают спеченный керамический материал на основе купрата щелочноземельного элемента, иттрия или скандия или редкоземельного элемента или их смеси и разделяют полученный порошок на фракции, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности устройств на основе порошка путем увеличения количества сверхпроводящей фазы и сужения ширины перехода в сверхпроводящее состояние в процессе измельчения, на стадии разделения на фракции или после разделения на фракции проводят отмывку в этиловом спирте в объемном отношении порошок-спирт от 1:9 до 1:10, причем после разделения на фракции выделяют фракцию с...

Номер патента: 1642730

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Лешкин, Лобанов, Постнов, Родионов, Ушаков

МПК: C08J 3/28

Метки: него, политетрафторэтилена, радиационной, уплотнительных, устройств

Способ радиационной обработки политетрафторэтилена или изделий из него для уплотнительных устройств гамма-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения дозовременного ресурса эксплуатации уплотнительных устройств в условиях воздействия проникающих ядерных излучений при сохранении при этом их исходных механических свойств, облучение осуществляют в инертной среде при 50 - 55oC дозой 0,05 - 0,8 Мрад с последующей выдержкой в той же инертной среде при 50 - 55oC в течение не менее 10 сут.

Номер патента: 1575726

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Лобанов, Ушаков

МПК: G01T 1/02

Метки: дозиметрии, излучений, ионизирующих

1. Способ дозиметрии ионизирующих излучений, заключающийся в определении дозы облучения из градуировочной зависимости изменения относительной вязкости дозиметрической жидкости от дозы облучения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых доз излучения, повышения стабильности дозиметрической жидкости и уменьшения ее токсичности, в качестве дозиметрической жидкости используют эпоксидиановую смолу, либо дибутилфталат, либо их смесь с содержанием дибутилфталата не более 40 мас.ч.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной чувствительности, дозиметрическую жидкость предварительно облучают гамма-излучением дозами 50 - 600 Мрад.

Номер патента: 1679876

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Лобанов, Ушаков

МПК: G01T 1/02

Метки: дозиметрирования, излучения, ионизирующего

Способ дозиметрирования ионизирующего излучения, основанный на измерении параметров дибутилфталата (ДБФ), зависящих от дозы облучения, и последующем определении дозы облучения из градуировочных зависимостей "доза облучения - измеряемый параметр", отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых доз облучения и обеспечения при этом во всем измеряемом диапазоне доз 300 - 30000 Мрад постоянства абсолютной дозовой чувствительности, измеряют в качестве параметра, зависящего от дозы облучения, температуру размягчения облученного ДБФ, а дозу облучения определяют по предварительно полученной градуировочной зависимости температуры размягчения от дозы облучения.

Номер патента: 1500118

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Лобанов, Ушаков

МПК: G01T 1/04

Метки: гамма-облучения, дозы, интегральной

Способ определения интегральной дозы гамма-облучения путем измерения оптических параметров дозиметрической жидкости, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых доз, в качестве дозиметрической жидкости используют дибутилфталат, определяют зависимость величины пропускания облученного дибутилфталата от волнового числа и по величине пропускания при постоянном волновом числе определяют дозу облучения области малых доз - в интервале до 4 Мрад из градуировочной кривой зависимости дозы облучения от пропускания, а по величине волнового числа при постоянном пропускании определяют дозу облучения в области больших доз - в интервале до 1000 Мрад из градуировочной кривой зависимости...

Номер патента: 982359

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Бирюков, Гончаренко, Леванов, Лидерман, Лобанов, Лутцев, Мальцев, Мальшин, Мушков, Скорик, Яценко

МПК: C22B 34/12

Метки: восстановлении, магния, металлотермическом, режимом, сливов, титана, хлористого

1. Способ автоматического контроля и управления режимом сливов хлористого магния при металлотермическом восстановлении титана, основанный на периодическом сливе хлористого магния по заданной программе, включающий измерение количества выводимого из реактора хлористого магния по изменению веса реактора во время слива, измерение количества поданного в реактор тетрахлорида титана и корректировку текущего веса реактора в период слива на величину подаваемого в реактор тетрахлорида титана, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля и управления, дополнительно фиксируют моменты начала и окончания слива хлористого магния, запоминают интегральный расход тетрахлорида титана в моменты...

Номер патента: 1800879

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Лобанов, Федорещенко

МПК: F16F 7/10

Метки: гашения, колебаний, системы

Способ гашения колебаний системы путем изменения одного из параметров, определяющего ее собственную частоту, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности гашения колебаний системы за счет формирования оптимального процесса изменения ее параметра, в качестве изменяемого параметра используют длину рабочего органа, определяемую по законугде l0 - исходная длина рабочего органа;X - координата незакрепленного конца рабочего органа;X - координата закрепленного конца рабочего органа;a1 и...

Номер патента: 1622972

Опубликовано: 10.04.1999

Автор: Лобанов

МПК: A61B 17/00, A61K 35/16

Метки: желудка, лечения, рака, хирургического

Способ хирургического лечения рака желудка, включающий мобилизацию и удаление органа в необходимом объеме, отличающийся тем, что, с целью снижения интенсивности распространения опухолевых клеток по брюшной полости, перед мобилизацией на серозной оболочке желудка, проращенной опухолью, осаждают фибриновую пленку из плазмы больного.

Номер патента: 1704562

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Колотушкин, Крамеров, Лобанов, Шаргородский

МПК: G01N 29/22

Метки: демпфера, материал, пьезопреобразователя

...изобретения - расширение функциональных возможностей преобразователя,Материал демпфера пьезопреобразователя содержит полимер и наполнитель. В качестве полимера использован тройной сополимер акрилонитрила-бутадиена-стирола (АБС) с содержание каучуковой фазы 20 - 26 мас.ч. Соотношение составных частей материала демпфера следующее, мас, : АБС 90-95; наполнитель 5 - 10.В качестве наполнителя может быть использован тальк или слюда с размером частиц 0,1 - 0,5 мкм.Сочетание тройного сополимера АБС с данным содержанием каучуковой фазы с 1. Материал демпфера пьезопреобразователя, содержащий полимер и наполнитель, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей преобразователя, в качестве полимера...