Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов

Номер патента: 697801

Опубликовано: 15.11.1979

Автор: Кустов

МПК: G01B 7/06

Метки: полупроводниковых, слоев, толщины

...измерения, обусловленная наличием операции определения спектрального состава испаряющегося вещества и затруднениями при измерении глубины697801 Формула изобретения Составитель А. Куликов Редактор Л. Ьатанова Техред О. Луговая Корректор Н. Горват Заказ 5913/2 В Тираж 344 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4микроскола, так как он.имеет параболическую форму.Целью изобретения является упрощение процесса измерения.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу электрод устанавливают на поверхности материала, а ток пропускают импульсами.Кроме того, в качестве электрода используют жидкостный...

Номер патента: 1109578

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Асанов, Кустов

МПК: G01B 7/06

Метки: полупроводниковых, слоев, толщины

...толщины полупроводнико. вых слоев материала, заключающийся в том, что пропускают импульс электрического тока между материалом и жидкостным выпрямляющим электродом и измеряют глубину микроскола, вызванного локальным тепловым выбросом вещества 13. Недостатком известного способа являются недостаточно высокие точность и предел измерения,Целью изобретения является повышение точности и расширение пределов измерения толщины многослойных материалов.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу на исследуемом материале под жидкостным электродсм создают косой срез и после пропускания импульса электрического тока между материалом и жидкостным электродом измеряют расстояния между границами, соответствующими областям выброса вещества...

Номер патента: 951436

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Куфман, Марченко, Нестерова, Потапенко

МПК: H01G 13/00

Метки: аноды, конденсаторов, нанесения, полупроводникового, слоя

...1 с закрепленными на нем кассетами 2, на которых устанавливаются изделия 3 - аноды конденсаторов. На верхнейветви конвейера 1 расположены основная ванна 4, печь пиролиза 5 и дополнительная ванна 6, а на нижней ветви - дополнительная печь пиролиза 7. Каждая ванна 4 и 6 снабжена трубопроводами 8 дляподачи воды и противточного раствора, соединенными с ваннами патрубками 9, посредством отверстий 10.На каждой ванне 4 и 6 смонтирован механизм удаления излишков раствора, выполненный в виде эластичного скребка 11,шарнирно установленного над ванной посредством оси 12, в опорах 13. На свободном конце оси 12 установлен противовес 14.Устройство работает следующим образом,Кассеты 2 с анодами 3, установленнымивыводами вверх, закрепляют на...

Номер патента: 1397981

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Куфман, Марченко, Нестерова, Черкашина, Штеренберг

МПК: H01G 13/00

Метки: анодов, конденсаторов, нанесения, подформовки, полупроводникового, слоя

...устанавливают осямн 15 в плэы 16 эвеев 17 конвейера 1, который перемещает их в ванну 3 пропиткц. 1.еле пропцткинижнего ряда анодов 23 кассе ы 2 перемещаются кавееров 1 ц, вэлимодействуя с копирами 20 паворачиваоются ца 180 для пропитки верхнего ряда анодов 23, По окоцчлции пропитки обоих рядов анодов 23 клсссты 2 перемещаются конвейером 1 в вертика.ьную печь 9 пиролиэа для разложения пропиточцого раствора и формирования первого полупроводникового слоя, при этом вследствие стеклния раствора ца нижней части боковой поверхности ацодац образуется утолщенный слой (фиг10 Оложецие Т),При дальнейел движ Рии конвейера ка:сеть 2 с анодами 23 попадают в следующие ванны ч пропит;ц, гдэ пропитываются поочередно с двух сзороМ и входят в горизонтальную...

Номер патента: 671490

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Агеев, Петух, Розанцев, Янковский

МПК: G01N 1/00

Метки: микропробы, поверхностного, слоя

...подложки,которая должна быть прозрачна для 15излучения ОКГ, возможность ослабления потока энергии, передаваемогоповерхности анализируемого образцаиз-за, например, отражения частиизлучения подложкой. 20В предлагаемом изобретении с цельюсбора проб определенного фазовогосостава подложку устанавливают перпендикулярно поверхности образцанавстречу продуктам эрозии. 25Распределение пробы по фаэовомусоставу происходит по высоте подложки. Вращение анализируемого образцаприводит к искривлению траекториидвижения продуктов эрозии по мереудаления их от оси вращения образца,причем вследствие существенной разницы в скоростях удаления(точнеев моментах количества движения) продуктов эрозии в парообраэной и жидкой фазах, большее искривление...