Патенты с меткой «алмаза»

Держатель для алмаза

Загрузка...

Номер патента: 44424

Опубликовано: 30.09.1935

Автор: Свинцов

МПК: B24B 53/12

Метки: держатель, алмаза

...разрез его со снятым молоточком.Корпус 7 держателя снабжен осевым продольным отверстием и одним концом прикрепляется к ручке, а на другом несет алмазное зерно. В продольном отверстии корпуса помещены цилиндрическая вставка 2 и прижимной винт З, несущий гайку 4, помещенную в вырезес корпуса 7, позволяющем этой гайке иметьлишь вращательное движение. На коническую часть корпуса надет молоточек 5.При вставлении алмазного зерна мо лоточек 5 снимается с конической части корпуса 7 и в боковое отверстие нижней части его вкладывается зерно, которое опускается в сужающийся открытый канал конической части корпуса; затем на коническую часть корпуса -7 надевается молоточек 5, после чего уже подбирается режущая грань зерна алмаза. Для...

Механическая ступка для дробления алмаза на шлифпорошки и шлифзерно

Загрузка...

Номер патента: 99752

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Соколов, Гумилевский, Красносельский

МПК: B02C 1/14, B28D 5/04

Метки: шлифпорошки, ступка, шлифзерно, механическая, алмаза, дробления

...аакрепится к установочной плите б прп помощи винта 7, Стакан о чаши ступки входит в отверстие плиты 6 и закрепляется в ней гайкой 9.Чатпя 1 снабжена термообработяпным вкладышем 10 и крьппкой 11, в направляющей части которой установлен подпруякипенный пестик 12. Собранный комплект своим стаканом 8 надевается на поворотно прикрепленную к плите И стойку 1 1. К валику 16 стойки 14 жестко прикреплен эксцентрик 16 с роликом 17, взаимодействующим с кулачком И, жестко связанным с приводным валиком 19 и предназначенным для передачи ступке с ситамп резких возвратно-поступательных двикопий.Встряхиванис ступки с ситамп в вертикальном на правлении осуществляется при помощи прикрепленного к плите 6 ролика 20, взаимодействующего с зубцами греоенки...

Способ изготовления алмазных инструментов из порошков алмаза на органической связке

Загрузка...

Номер патента: 133780

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Пеккер, Сторчак

МПК: B24D 3/20

Метки: порошков, инструментов, органической, алмаза, алмазных, связке

...хрупкость, что снижает их механические и эксплуатационные качества. Особенно опасна хрупкость у фасонного инструмента.Согласно изобретению предлагается использовать в качестве наполнителя алмазного инструмента на органических связках железный порошок, вводимый в количестве до 85 о/о вес. связки.)Келезный порошок при прессовании подвергается некоторой деформации,:,то обеспечивает, во-первых, жесткое закрепление алмаза и, вовторых, более прочную укладку самого наполнителя (по сравнению с недеформируемыми минеральными наполнителями).В отличие от алмазных кругов на металлической связке алмазный круг с железным наполнителем на органической связке не вызывает псвышенного нагрева твердосплавного инструмента, приводящего к его растрескиванию....

Наращивания алмаза

Загрузка...

Номер патента: 296712

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дер, Дзевицкий, Спицын, Эзсел, Кочкин

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, наращивания

...и увеличение скорости процесса. Для этого в качестве исходного углеродсодержащего материала используют элементоорганические соединения, например тетраэтилсвинец, диметилртуть, Процесс ведут при температуре 400 в 10 С.Пример 1. Образец алмазного порошка дисперсностью 0 - 1 лкл в количестве 51,20 лг помещали в кварцевый реактор, к последнему присоединяли с одной стороны испаритель тетраэтилсвинца, а с другой высоковакуумную откачивающую систему, Реактор откачивали до вакуума 2 10лтлт рт. ст. Затем испаритель охлаждали до температуры - 196 С и с помощью наружной печи образец алмазного порошка разогревали в вакууме до 980 С. Одновременно испаритель нагревали до температуры 23 С и поступающие из испарителя пары тетраэтилсвинца...

Способ соединения алмаза с металлом

Загрузка...

Номер патента: 346048

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бал, Белашова

МПК: B23K 1/20, C04B 37/02

Метки: соединения, металлом, алмаза

...пайки, прп котором на п 5 ность алмаза наносят слой тпомещают припой и производя пайку, отличающийся тем, что, шения качества спая, на слой размещением припоя наносят м ме- верхзазорпод повы- перед металлоаяемую поттана, вт нагревс цельютитанаслой мед Изобретение относится к области пайки, вчастности, к способу соединения алмаза сметаллом методом пайки.Известен способ соединения металла с неметаллом, в частности, с алмазом, при котором на паяемую поверхность алмаза наносятслой титана, в зазор помещают припой и производят нагрев под пайку. Однако титан вступает в реакцию с воздухом при пайке и на егоповерхности образуется окисная пленка, вследствие чего возникает необходимость проводитьпайку в вакууме или в высокочистой атмосфере...

Способ синтеза алмаза

Загрузка...

Номер патента: 487844

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Бакуль, Прихна

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, синтеза

...)к, ю / ) ) рол) ые. Способ разработан применительно к обычной реакционной камере, состоящей из двух матриц, контейнера ц теплоизоляцпонного материала. Реакционный состав, состоящий из 5 однородной смеси порошков графита, металлаили сплава, помещают непосредственно в контейнер без применения специального нагревателя. Нагрев реакционного состава осуцествляют методом сопротивления путем полклю ченця источника питания к матрице, Реакционная камера имеет диаметр 7 и высоту 8 мм. Наилучшие результаты получают при напряжении 2,15 - 2,35 В и последующей выдержке в течение 10 - 20 с. При напряжении, 15 превышающем указанное цлц меньшем его,выход алмазов очень низок.П р и м е р. В качестве реакционного составаиспользуют смесь чешуйчатого...

Способ шлифования и доводки изделий из кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 275776

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Бейлинсон, Шлионский, Куликов

МПК: B24B 9/16

Метки: кристаллов, шлифования, доводки, алмаза

...том, что для получения одина. ковой чистоты обработки на всех участках рабочей части алмазного иэделия с цилинщзической поверх. ностью, сопряженной с конической, изделию сооб. шается сложное движение относительно инструмента, состоящее из:1. Переносного перемещения по замкнутой траектории с сохранением относительного поло. жения обрабатываемого изделия параллельно заданной прямой, при этом ось вращения инструмента всегда находится внутри этой траектории (см.фиг. 1), где инструмент 1, траектория пере. мешения 2 изделия по инструменту, участок 3 обрабатываемой и зерхности, "мягкое" направление 4 на обрабатываемой поверхности, направление окружной скорости 5 инструмента в заданной точке, направление вращения 6 инструмента, направление...

Способ синтеза алмаза

Загрузка...

Номер патента: 411726

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Бакуль, Шульженко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, синтеза

...качестве соединений могут быть использованы окислы этих металлов, например Ъ 05, ХгО, или карбиды металлов, например ЮС, МоС. В качестве металлоэ могут быть использозаны их смеси и сплавы, например вольфрам - молнбдсз, ванадий - вольфрам титан.П р и м е р 1. Однородную смесь спектрально чистого графита и смеси молибде - зольфрам э объемном отношении 2:1 помещают загреэатель из спектрально чистого графита, закрывают с двух сторон графитовыми дисками, подвергают воздействию давления 95 в 1 кбар и температуры 2200 - 2700 С и зыдержпзают з этих условиях 2 яин. Проводят 1,5 опытоз, в каждом опыте обнаруживаются прочные поликристаллические ал м азы.П р и м е р 2. Диски из спектрально чис того графита и диски из 2 гО помещают послойно з...

Способ крепления алмаза

Загрузка...

Номер патента: 622623

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Зеликсон, Гречишникова, Шлиенский, Майоров

МПК: B23P 5/00

Метки: алмаза, крепления

...кристалла алмаза; на фиг. 2державка с коническим отверстием,подготовленным для установки алмазана фиг. 3 - схема эапрессовки кристалла алмаза в отверстие державки вЗ 3 осевом направлении; на фиг. 4 - схема обжатия вращающейся державки в зоне закрепления кристалла алмаза.Способ крепления алмаза состоит вследующем: закрепляемую часть крис 25 таяла алмаза 1 обтачивают,с помощьюдругого алмаза 2 до получения конической поверхности с углом 10-15в державке 3 для закрепления алмазного кристалла выполняется коническоеЗ 0 отверстие 4, максимальный диаметр ко622623 фможйость измерения наибольшей твердости свыше 100 единиц Н 5 и стойкостьболее 400000 циклов стабильных измерений прибора. Формула изобретения Составитель...

Способ контроля качества изделий алмаза и алмазоподобных материалов

Загрузка...

Номер патента: 498889

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Маликова, Семерчан

МПК: G01N 23/20

Метки: алмазоподобных, алмаза, качества

...выделением кристаллитов алмаза или алмазоподобных материалов из изделий, например, с помощью химического удаления связующего вещества.Используют дополнительный эталон, полученный путем обработки исходного порошка алмаза или алмазоподобного материала при тех же температурах и давлениях, которые применяют при изготовлении изделиИ, но без связующего вещества.Способ осуществляют следующим об 10 н 2 25 разом,Одно из которое выб механически рушают и пр образцы алм а Изобретение относится к способам контроля качества инструментов и аппаратов высокого давления, изготовленных из синтетических алмазов и алмазоподобных материалов типа карбонада, балласа, кубического нитрида бора, алмазных композиций и др,Известен способ нераэрушающего контроля...

Способ обработки поликристаллического алмаза

Загрузка...

Номер патента: 688430

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Захаров, Городецкий, Скворцов, Канаев, Львов, Бартенев

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, поликристаллического

...алмаза раствором азотной и соляной кислот при 20 - 100 С 31. Различные примеси, содержащиеся в алмазе после синтеза, растворяются, что позволяет получить абразивный поликристаллический материал более высокого качества,Однако известный способ обработки поликристаллического алмаза не позволяет бразивную способность и тения - разработка такого еской обработки поликриалмаза, который позволил роизводительность и снизить од алмаза при абразивной чет повышения абразивной абразивной стойкости алма688430 Составитель А. Скворцов Техред Н, Строганова Корректор Л. Орлова Редактор А. Соловьева Заказ 2101/6 Нзд. Ме 549 Тираж 591 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий П 3035, Москва, Ж, Раушская наб., д....

Способ определения концентрации металлических включений в образцах синтетического алмаза

Загрузка...

Номер патента: 714263

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Понизовский, Пел

МПК: G01N 27/76

Метки: образцах, концентрации, металлических, синтетического, алмаза, включений

...металла длиною 2 мм, что достаточно дляпроизводства качественных резцов.П р и м е р 2, Подкатализаторнаязона (фиг. 2,а-б) образца карбонадо2,2 мм, зона (а) с неоднородным распределением металла 1 мм, при сошлифовке этой области зона с однороднымраспределением металла равняется.1,1 мм. Режущая часть инструмента при использовании такого алмаза будет ослаблена.П р и м е р 3. Образец, характеризуемый кривой на фиг. 3, не пригоден для изготовления указанного типа резцов, так как подкатализаторная зона меньше 2 мм. Кроме. того, вся подкатализаторная зона резко неоднородна по содержанию металлических включений,и таким образом, рабочая часть любогоинструмента, в котором этот образец мог бы использоваться, будет ослаблена,ФС помощью...

Способ наращивания граней алмаза

Загрузка...

Номер патента: 339134

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Спицын, Дерягин

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, граней, наращивания

...практически неразвивается, Это,: позволяет наращивать с большой скоростью нестабильные кристаллы весом около килограмма., нпи СВ; окоп опыта 3 ч.Грань алма С 34 и СВГ н под микроскоп криствппическ нароста, Велич Сущность предлагаемого способа состоит в том, что соединения углерода С 34, СВг возгоняются при 110-120 С из ампулы и, проходя через термостатированную (продуванием воздуха 1 25 С)о трубку, попадает в виде потока молекул на грань кристалла алмаза, помещенного на нагреватель иэ танталовой ленты.Кристаллы представлятот собой плоскопаралпедьную пластину с размером 2,5 " за, обращенная к потокуаблюдаемая при увеличенииом к 1000, обнаруживаетое строение полученного ина образовавшихся полупрозрачных кристалликов в отдельных...

Способ контроля плоскостности гранейтвердого тела, например, алмаза

Загрузка...

Номер патента: 815493

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Цебуля, Атаманенко, Лисица, Зозуля, Кожемякин, Гавинский

МПК: G01B 11/30

Метки: например, плоскостности, алмаза, гранейтвердого, тела

...осуществляется следующим образом. В начале получают интерференцион ные полосы, создаваемые пучком моно- хроматических лучей с длиной волныСветовой поток от источника 1 света проходит через дифрагму 2, фокусируется конденсором 3 на точечную диафрагму 5 через плоское зеркало 4. Затем световой поток монохроматизируется интерференционным светофильтром б и имеет длину волны Л.После прохождения через линзу 7 параллельный пучок лучей под действием одной наклонной плоскости зеркала 8 меняет свое направление и попадает на горизонтально расположенную эталонную пластину 9, где помещается контролируемое тело 11.Интерференцианные полосы, созда" ваемые лучами с длиной волны , возникающие в воздушном зазоре, контролируемым телом 11 и эталонной...

Способ размерной обработки алмаза

Загрузка...

Номер патента: 852586

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Григорьев, Лифщиц, Шамаев

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, размерной

...при температуре обработки. В качестве газов-реагентов могут быть использованы Н, НО, СО, и др. Процесс обработки с применением газареагента идет по механизму твердое - твердое - газ (алмаз - раствор углерода в месталле - газ), Обработку алмаза в атмосфере газов-реагентов ведут с применением инструментов очень небольших размеров, например выполненного из кусочков фольги определенной формы. При использовании размеров инструмента из фольги меньше размера обрабатываемого изделия становится возможным осуществление операций обработки, которые ранее не выполнялись известными способами, такие как изготовление П-образных или Г-образных глухих каналов и других выемок, полостей и наружных поверхностей сложного профиля. Способ размерной обработки...

Способ определения четности числа плоскостей двойникования в дендритах веществ со структурой алмаза

Загрузка...

Номер патента: 973676

Опубликовано: 15.11.1982

Автор: Кибизов

МПК: C30B 33/00

Метки: структурой, дендритах, числа, четности, веществ, двойникования, алмаза, плоскостей

...(111) дендрита 1 делаютцарапину перпендикулярно направлениюроста С 211 ) и затем растягивающимусилием производят разлом, обеспечим вающий качественный скол, При рассмотрении сколов либо невооруженнымглазом, либо.в лупу обнаружено, чтово всех случаях получаются сколыдвух типов: либо в виде двух взаимно наклонных плоскостей 2, пересекающихся в плоскостях двойникованияВ и образующих с одной стороны скола впадину, а с другой - выступ; либо в виде двух параллельных плоскосЗ 5 тей 3, образующих одну общую наклонную плоскость. Если скол представляет собой одну наклонную к.направлению роста плоскость, как показанона дендрите 4, то число плоскостей40 двойникования Д четное. Если жескол образуется в виде впадины -выступа, как показано на...

Способ изготовления волок из синтетического поликристаллического алмаза

Загрузка...

Номер патента: 990362

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Себов, Поздняк, Селюков, Кудрявцев

МПК: B21C 3/18

Метки: поликристаллического, синтетического, волок, алмаза

...в течение 3 - 30 мин при40частоте 20 - 30 кГц.В результате осуществления способа наповерхности канала вскрывается связкапо границам зерен алмаза и таким образом между алмазными зернами образуются 45свободные пространства, незаполненныесвязкой.Затем на поверхность канала наносят,например, электролитическим путем материал, адгезионно-активный к алмазнымзернам. Наносимый материал заполняетсвободные пространства между алмазнымизернами, а на поверхности волочильногоканала наносимый материал распределяется тонким равномерным слоем. Прочное сцепление наносимого материала и алмазных зерен обеспецивается вследствие адгезионной активности их друг к другу, С целью снижения усилий волочения в качестве наносимых подбирают материалы, которые...

Способ получения полупроводникового алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1083915

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Ричард, Дэвид, Джон

МПК: C30B 31/22

Метки: полупроводникового, алмаза

...приводящийк аморфности алмаза,Показатель рассеивания, т,е. число атомов, удаляемое с поверхностикристалла при ударе иона, менее единицы, поскольку в противном случаепроисходило бы сжатие кристалла,подвергаемого бомбардировке.Преимуществом предлагаемого способа является то, что поверхность алмаза, подвергаемая бомбардировке,не обязательно должна быть идеальной и может даже быть покрыта поверхностным слоем загрязняющего материала. Поэтому, как правило, нет 15необходимости прибегать к методамтщательной очистки, включающей, например, удаление смазки с последующим окислением для получения идеальной поверхности. На практике ионы20углерода, как правило, имеют единичный заряд и представляют собой изотоп С, однако могут представлятьсобой и иной...

Способ наращивания алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1134119

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Дэвид, Джон, Ричард

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, наращивания

...который бомбардируется ионами углерода 1 в предлагаемом способе содер3 11341 жит образование промежуточных петель в кристалле ионами, которые в него проникают, посредством чего дополнительные промежуточные атомы, созданные таким образом, осаждаются в промежуточных петлях. Бомбардирование вводит один дополнительный промежуточный атом в кристалл для каждого иона, падающего на кристалл. Дополнительные промежуточные атомы пред О ,почтительно осаждаются в промежуточных петлях и не компенсируются ростом незанятых петель. Концентрация и размер промежуточных петель, однако, увеличиваются в процессе бомбардирования и наружные размеры кристалла, таким образом, увеличиваются, т.е. повыша тся скорость роста алмаза и чистота поверхности.Для...

Способ установки вершины алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1136932

Опубликовано: 30.01.1985

Автор: Головкин

МПК: B24B 53/06

Метки: вершины, установки, алмаза

...через ось механизма поворота оправки с алмазом в плоскостиправки и ось оправки,Для достижения поставленной цели 25согласно способу установки вершиныалмаза, закрепленного в оправке,связанной с механчзмом профилирования шлифовальных кругов, по которому определяют величину смещения вер- З 0шины алмаза и перемещают оправкус алмазом на эту величину, величинусмещения вершины алмаза определяютотносительно оси оправки с помощьюизмерительного прибора, имеющегоподвижный измерительный наконечникс плоской измерительной поверхностью,выполненной перпендикулярно оси наконечника, которую располагают подуглом к оси оправки, причем измерительную поверхность прибора вводятв контакт с вершиной алмаза, послечего поворачивают оправку...

Способ центрирования кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1556924

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Скорынин, Корочкин, Севостьянов, Черных, Кирпиченко, Бочаров

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов, центрирования

...90 и смещают кристалл на величину 1 г. 2 ил. После этого поворачивают шпиндели на угол , смещают кристалл по линии ЮР системы координат станка на вел ич и ну Поворачивают шпиндели на угол 90 и смещают кристалл по линии ЫР на величину гг. Контроль величины смещения осуществляют с помощью датчика перемещений.В результате измерений значений локальных экстремумов расстояний четырех сторон основания по оси врагцения шпинделей повышается точность и и ронзводитльность ориентирования кристалла. так как на р- зультаты измерений не влияют морфологические особенности распыленных криталлов и погрешности профиля рундита.Пример. Кристалл гр) ппь; РОП с размером основания 5,0 Х 5,2 мм устанавливают г, оправки обточного станка модели ПО - 2, на...

Способ получения порошков алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1490869

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Дубицкий, Плотянская, Новиков, Вольпин, Исаев, Квачева

МПК: C01B 31/06

Метки: порошков, алмаза

...изобретения Составитель Л,РоманцеваТехред М.Дидык Корректор В,Гирняк Редактор Т.Пилипенко Заказ 1899 ъ аТираж 311 Подписное комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ВНИИПИ Государственного 113035, Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,10 ратуре, отмывают водой и сушат и100 С до постоянной массы. 0,15 г полученного соединения с содержанием1,5 мас./ лития помещают в камеру вы сокого давления и в течение 10 мннведут синтез алмазов при давлении12 ГИа и температуре 800 С. Выход алмаза 357., Содержание марганца 0,001 Х,железа 0,0043 и никеля 0,0063.П р и м е р 3. К 4 г графита в токе аргона при перемешивании добавляют0,16 г натрия и 1,0 г калия. За 3,5 чполучают...

Способ получения алмаза

Загрузка...

Номер патента: 853956

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Слесарев, Белоусова, Верещагин, Штеренберг

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

...как графитирующихся, так и неграфитирующихся угле родсодержащих материалов; выбранных из группы, включа(54)(57) 1, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗА обработкой углеродсодержащего материала под давлением 100 - 200 кбар при температуре 1200 - 2000 С,отл и ча ю щийс я тем, что, с целью повышения выхода алмаза, в качестве углеродсодержащего матеоиала используют термообработанную канальную сажу или кокс из поливинилиденхлорида.2, Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что канальную сажу предварительно термообрабатывают при температуре до 1200 С. ющей камфен, антрацен, газовую сажу, пирен, флуорен, полиэтилен, камфору, полифенилен, парафин.Однако выход алмаза недостаточно высок (15 - 700).Целью изобретения является повышение выхода...

Способ получения алмаза

Загрузка...

Номер патента: 687761

Опубликовано: 30.10.1991

Автор: Штеренберг

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

...температуру, а затем давление снижают и извлекают синтезированный алмаз.Для осуществления прямого превращения каустобиолитов в алмаз может быть использована любая аппаратура высокого давления, в которой можно создать давление не менее 10 кбар. Оценка этой граничной величины давления проводилась по шкале давления, принятой Международным бюро стандартов в 1968 г.На практике используют модифицированную аппаратуру типа "тороид" с диаметром центральной лунки 10 и 25 мм. Предпочтительно использование камеры высокогодавления с большим реакционным объемом с целью уменьшения градиентов давления и температуры и увеличения выхода алмаза,П р и м е р 1. 250 мг керита, на рентге нограмме которого отражения отсутствуют,зольностью 5, содержащего в...

Способ обработки кристаллов алмаза и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1757895

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Киселев, Герловский, Габец, Старовойтов, Марцинкевич, Савицкий, Минченя

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов

...ударного импульса, а следовательно, размер скалываемых микрочастиц, т,е, изменение амплитуды колебаний (или выключение одного из двух преобразователей) позволяет управлять качеством (высотой микронеровностей) поверхности рундиста,Способ по изобретению заключается в том, что перед началом обработки выбирается типоразмер оправки 4 (фиг,2-3) в зависимости от размера обрабатываемого сырья. Оправка 4 устанавливается в посадочное отверстие ультразвукового преобразователя 1. Далее в оправку 4 устанавливается алмаз-резец 11, который крепится прижимом 3 при помощи винта 9, Обрабатываемый кристалл алмаза устанавливаетсе в шпинделе станка между двумя оправками и центрируется, Инструмент устанавливается на опору обточного станка и подводится...

Способ очистки алмаза от графита

Загрузка...

Номер патента: 1770271

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Шебалин, Сакович, Тараненко, Молокеев, Петров, Лушникова

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, графита

...сверхтвердых матери и позволяет удешевить способ и улуч условия труда. Готовят окислительную с состава, мас.с: свободный ангидрид азотная кислота или нитрат щелочного м ла или аммония 1-16, серная кислота - ос ное, Полученную смесь смешива алмазсодержащим продуктом, нагрева 160-230 С и выдерживают 5-40 мин, 3 после охлаждения и роводят выделение а за, промывку и сушку, Способ позволяе ганизовать процесс очистки в непреры режиме с использованием малых обьемо акционного сосуда. 1 з.п. ф-лы, 1 табл,охлаждают до комнатнои температуры, отделяю на центрифуге твердую фазу (алмаз), промывают водой до нейтральной среды и сушат в сушильном шкафу при температуре 160 С. Идентификацию алмаза осуществляют рентгеноструктурным анализом на...

Способ очистки алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1770272

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Сатаев, Костюкова, Турицына, Рыжко, Плескач, Губаревич, Ларионова

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза

...условия труда из-за возрастающего выделения окислов азота.Нагревание до 50 - 100 С интенсифицирует процесс растворения примесей, повышает окислительные свойства НгчОз. При температуре ниже 50 С возможно неполное растворение металлов, что лишает способ преимущества в части качества очистки УДА, Верхний предел нагревания лимитируется температурой кипения смеси. После обработки раствором НИОз осадок шихты отделяют от кислотно-соленого раствора известными способами, например, центрифугированием, Содержание влаги в шихте составляет 60 - 980%. Снижение содержания влаги менее 60% приводит к нежелательным явлениям необратимой агрегации углеродных частиц и связанным с этим ухудшением технологичности процесса и качества очистки. Содержание влаги...

Способ контроля и сортировки кристаллов синтетического алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1787589

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Горшков, Решетняк

МПК: B07C 5/346, B07C 5/342

Метки: алмаза, кристаллов, сортировки, синтетического

...полосы ФЛ 69010 нм. Появление красной полосы ФЛ 690 + 10 нм связано с неазотными дефектами кристаллической решетки алмаза, которые в значительной мере определяют его прочность, Однако, при сравнении абсолютной интенсивности ФЛ возникают ошибки, обуслов 5 10 15 20 25 30 35 40 ленные сложностью учета ряда трудноконтролируемых факторов (характера поверхности образцов, их формы, цвета, размеров, качества юстировки оптики и т,п.).Для предупреждения этих ошибок абсолютные измерения заменяют относительными, используя в качестве реперной линию пика полосы КР в диапазоне 1330 чсм, которая высвечивается в процессе отклика кристалла на монохроматическое возбуждение наряду с ФЛ, С этой целью и вводится безразмерный параметр К, отмеченный...

Устройство для контроля теплопроводности кристаллов алмаза и алмазных изделий

Загрузка...

Номер патента: 1804618

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Зезин, Храброва, Шемиот, Концевой, Дмитриев

МПК: G01N 25/18

Метки: теплопроводности, алмазных, алмаза, кристаллов

...55 Ь 0=1 э а ЬО,1 э - ток эмиттера транзистора;а- коэффициент передачи по току транзистораа;ЛО - изменение напряжения на коллекторе транзистора, измеряемое измерительным прибором (16 на фиг. 3).Тепловое сопротивление тракта междуэмиттером транзистора-нагревателя и датчикомтемпературы 6 равно увеличивается. В соответствии с этим увеличивается коллекторное напряжение ЧТ 1 до значения, при котором уходящий поток тепла компенсируется приростом мощности 5 рассеяния тепла на коллекторе, изменениетемпературы транзистора уменьшается и она устанавливается на первоначальном уровне. Прирост напряжения на коллекторе транзистора измеряется измерительным 10 прибором(16 на фиг. 3).Транзистор ЧТ 4 находится в механической и тепловой связи с теплоотводом...

Способ получения поликристаллического алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1533218

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Боровикова, Вобликов, Преображенский, Каличкина

МПК: C01B 31/06

Метки: поликристаллического, алмаза

...продукт.В результате графитовая пластинаполностью переходит в поликристаллический алмаз. Образовавшийся алмазсветло-желтого цвета сохраняет формупластины 1,53,53,5 мм, имеет мелкозернистую структуру (размер зерна5 мкм и менее), не содержит пор,трещин. Примеси материала оболочкинагревателя по данным элементногоанализа составили, мас,Х: Са 0,02;Бд 0,01 МВ "0,01; 01 0,05; Тд .- 0,01. Термическая прочность алмаэных поликристаллов составляет9000, а электросопротивление поряд"ка 10 Омсм,И таблице предСтавлены данныепо чистоте алмазов, полученных поизобретению и результаты сравнитель"ных примеров.Иэ представленных в таблице данных следует, что изобретение позволяет получить поликристаллическийалмазный материал с суммарным содер.жанием...