Патенты с меткой «ртути-hgj2»

Номер патента: 1179699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Лях, Ножкина, Рагозина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ2, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см3 объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ2, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10-3 Торр.