C30B 7/02 — выпариванием растворителя

Номер патента: 72801

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/02

Метки: аппаратах, выращивания, кристаллов, пересыщения, раствора, устранения

...в кристаллизатора и ра в аппа применени сенного вн ля устранения пересыщения раств ния кристаллов, о т л и ч а ю щ е е с де сосуда с растворителем, распол единенного с ним трубкой. При выращивании кристаллов в аппаратах, обычно примендля этой цели, часто наблюдается местное пересыщение расвызывающее образование паразитических кристаллов.Для предупреждения возможности подобных псресыщенийбретения предложил специальное приспособление - увл ажнлажнитель представляет собой сосуд с растворителем; он расн вне кристаллизатора и соединен с ним трубкой.Аппарат для выращивания кристаллов и расположение увлтеля показано на чертеже.Температура растворителя в увлажнителе 1 поддерживаетсядушным термостатом 2 постоянной, что обеспечивает...

Номер патента: 96144

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, способа, этого

...1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг...

Номер патента: 96229

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, растворов, способа, этого

...5 ГС)3(".,СП 1 И В 111151 )3.СГВОРс 3 15 СЛ" , - с Я С 1 ( П ОД В П Е 1 Н)103 с С П ОЛ 0 Ж (П 51 кристялгов) .1 ц)ьпЗе 3 Оячкс 1 ) я 55 ястся 0;(335 ИСМЕП 30 ЕПД(13 СсТО)30) ПЯ)ОВ Ря(Т ГСГ 51, 5, и 1(ГО (313 33 С 13 сОЖС 3 Я 1503;3 ЛИПЦ М: Г П ВО 5 ИЦ;1 (3(Г и ,1; 1".- ГГСГ 1 4 И С(3033;3(3135 531 С;(с,;,; , (3-) ж( ло я,б). 31(;рс ( (;о)31:3 к ) гстойник б - служит для задержания частиц нерастворешюго кристяллизусмого вещества. Вмонтированные в крышо воронки 7 и 8 предназначены для ввода В ко:дспсят твердого кр 1 Стал.1 изуе)Ог) вещества и растворителя.(.ОгсЯсн изоорстснию,вспиос выращивание кристаллов пз рдстьоря крпстяллпзуемого вещества ОСУ 1 ПССТВЛЯСТС 51 ПРИ ПОМОЩИ ОППСЯН- ного устройства следующим образом.Испаряясь из раствора,...

Номер патента: 196711

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Алемайкин, Ковалевский, Рез

МПК: C30B 7/02, G01N 25/50

Метки: величины, пересыщенияраствора

...неоольшую камеру емкостью в несколько миллилитров со стенками из вещества низкой теплопроводности, например из стекла, Внутри камеры размещают электронагрсва 1 ель и датчик для регистрации темпсрагуры в нец, головку ртутного термометра, тсрмопару, термометр сопротивления и т. п, Внутреннее про 2странство камеры сообщается с реактором.Это обеспечивает наполнение камеры рабочим раствором той же концентрации, что и в остальном объеме реактора. В конструкции 5 камеры предусмотрена возможность замератемпературы па,ыщения находчщегося в ней раствора каким-либо известным способом, например прецизионным методом огределения температуры насыщения прозрачных раство- О ров.Замер величины пересыщения рабочего раствора в реакторе производится...

Номер патента: 353469

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Овчинников, Урсул

МПК: C30B 7/02

Метки: 353469

...находятся сообщающиеся с камерами конденсаторы 9 и 10,которые связаны перешеиком 11 для перетока паров. Каждый конденсатор снабжен независимым нагревательным устройством 12.Камера 5 заполняется компонентами раст вора, а камера б - компонентами чистого растворителя или его летучей составляющей, Далее кристаллизатор закрывают крышкой и жидкостные затворы заполняют целетучим легкоплавким компонентом, температура плав лецпя которого ниже температуры плавлениячистого растворителя. Подготовленный кристаллизатор помещают в печь так, что конденсаторы находятся в наиболее холодной области.15 В процессе нагрева сначала расплавляетсялегкоплавкое вещество жидкостных затворов, прц более высоких температурах происходит расплавление растворителя в...

Номер патента: 412713

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Алфименков, Курцман, Суворов

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллизатор, монокристаллов, растворов

...выращивания монокриз растворов, содержащий термостат,емкость с магнитной мешалкой, для создания вращающегося маголя, отличающийся тем, что, исключения загрязнения раствора, я мешалка выполнена плавающей средственного механического контакдыми элементами рабочей емкости. Крист сталлов 5 рабочую средства нитного с целью магнитн 0 без неп та с твеИзобретение касается выращивания моно- кристаллов из растворов и может использоваться в химической и радиоэлектронной промышленностях,Известен кристаллизатор для выращивания монокристаллов из растворов, содержащий термостат, рабочую емкость с магнитной мешалкой, средства для создания вращающегося магнитного поля. Однако магнитная мешалка находится в контакте с твердыми элементами конструкций. Это...

Номер патента: 1503346

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Блистанов, Гераскин, Козлова, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, иодата, кристаллов, лития, модификации

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ, включающий приготовление водного раствора иодата лития и кристаллизацию на затравку Z-среза заданной формы изотермическим испарением раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области кристалла, затравку берут прямоугольной формы, ограниченной по периметру гранями {1010} и {1120} с соотношением сторон по плоскости {1010} и {1120} не менее 1/ . .2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов в виде пластин, затравку берут с соотношением сторон по плоскости {1010} и { 1120} более 1,5.

Номер патента: 1535077

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Беляева, Королихин, Котова, Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: кристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ - Li 103 , включающий приготовление исходного водного раствора соли Li103 с добавкой кислоты, фильтрацию раствора и рост кристаллов при выпаривании растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества кристаллов, в качестве добавки кислоты берут Н3РО4 или D3РО4 и перед фильтрацией раствор выдерживают не менее 2 ч при температуре toС, определяемой из интервала t1 < t < tкип, где t1 - температура роста кристаллов; tкип - температура кипения раствора.

Номер патента: 1309621

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, кристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ -LiIO3, основанный на методе испарения, включающий испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения себестоимости кристаллов, рост кристаллов проводят при температуре t, связанной с кислотностью исходного раствора соотношением 1,5 - 0,007 (t - t0), где

Номер патента: 1464516

Опубликовано: 10.04.1996

Автор: Рубаха

МПК: C30B 29/46, C30B 7/02

Метки: величины, граней, началу, пересыщения, призмы, раствора, роста, соответствующей

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ РАСТВОРА To, СООТВЕТСТВУЮЩЕЙ НАЧАЛУ РОСТА ГРАНЕЙ ПРИЗМЫ кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO3, включающий погружение микрокристалла в раствор, наблюдение за его ростом, уменьшение пересыщения T и определение To, при котором происходит прекращение роста грани призмы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, рост осуществляют до появления на грани пирамиды одиночных ступеней роста,...

Номер патента: 1605584

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Блистанов, Гераскин, Ермаков, Козлова, Мосиевский, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, йодата, лития, модификации, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ по авт. св. N 1503346, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов, размер грани затравки выбирают равной не менее 2d, где d толщина элемента.

Номер патента: 1290762

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Белов, Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/16, C30B 7/02

Метки: выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

Номер патента: 1294027

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени...