Способ выращивания монокристаллов ниобата лития

Номер патента: 1583479

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Педько, Сорокина

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления

...существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет...

Номер патента: 1275931

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Коршикова, Коток, Моисеенко, Романова, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата, танталата, шихты

...мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 С.в течение 4 ч пятискиси ниобия и 712,48 г прокаленного при130 С в течение 6 ч углекислого лития иперемешивают на валках мельницы в течение 4 ч, Смесь исходных компонентов загружают в платиновые лодки и обжигают вкамерной печи при 1100 С в течение 5 ч,Выход готового продукта 98,8 О.Стехиометрический состав шихты следующий, мас.о,МЬ 63,2.0 (теор. 63,19)4,46 (теор. 4,46)Содержание микропримесей, мас,о/,А 1,Ге,М 9210; РЬ,К 1,Сг,Ч1 10Я 1 10; Мп 5 10 , Длительность процесса16 ч,П р и м е р 5. В барабан мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 ОС о течение 4 ч пятиокиси ниобия и 712,48 г прокаленного при140 С в течение 5 ч углекислого лития...

Номер патента: 369748

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, ниобатов, танталатов, щелочных

...на установке Чохральского с нагревом тигля при помощи нагревателя сопротивления. Исходный материал в виде порошка помещают в платиновый тигель и расплавляют в проточной атмосфере, представляющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами. Для создания требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входомэкамеру через наполненныи водои сосуд при температуре 22 - 28 С. Скорость протекания газа должна обеспечивать его насыщение водяным паром при данной температуре и выбирается 5 в пределах 0,3 - 3,0 л/час, предпочтительно0,5 - 1 л/час.В процессе вытягивания между затравкойи расплавом создают короткое замыканиедля стекания поляризационных зарядов, возникаю щих при переходе в...

Номер патента: 1397555

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Аврутик, Алексиев, Атларски, Бончев, Бородин, Велков, Георгиев, Караризов, Козин, Курлов, Латев, Медко, Миха, Морев, Осипян, Редькин, Россоленко, Столяров, Татарченко, Топчийски, Трифонов, Шишков, Шопова, Яловец

МПК: C30B 15/00, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, расплава, тугоплавких

...37 на вал 38. На валу выполнены шпицевые пазы 39 для скольжения шестерни 40, находящейся в зацеплении с шестерней 41, жестко укрепленной на штоке. Полукольцо 42 соединяет верхние торцы вертикальных перегородок. Герметичная полость 43 непосредственно примыкает к датчику 44, имеющему тягу 45. Уплотнение 46 герметизирует полость весового датчика и штока, Штуцеры 47 и 48 служат для ввода и вывода воды.Установка действует следующим образом.Через индуктор, штоки и систему охлаждения камеры пропускают охлаждающую воду. Подают высокочастотное напряжение на индуктор 12, Увеличивают напряжения до расплавления загрузки н тигле 9. Расцепляют электромагнитную муфту 24 с винтом 18, Включают электродвигатель 29 ускоренного перемещения затравки,...

Номер патента: 1468025

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Ефремова, Космына, Левин, Машков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: крупногабаритных, лития, монокристаллов, ниобата

...после охлаждения, и, следовательно, предотвращает электрический пробой и образование трещин.Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционнаго лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.Способ получения состоит из следующей последовательности операций;1468025- вытягивание кристалла из расплава на затравку;- послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей...