Композиция для обработки монокристаллов силленитов
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Полирующий порошок - 0,1 - 5,0
Трилон Б - 0,5 - 5,0
Хлорид аммония - 1,0 - 15
Хлорид цинка - 1,0 - 50
Вода - Остальное
2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит поверхностно-активное вещество, например синтанол, в количестве 0,05 - 0,5 мас.%.
3. Композиция по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит стабилизатор суспензии, например оксиэтилцеллюлозу, в количестве 0,1 - 1,0 мас.%.
Заявка
4384408/26, 24.02.1988
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Некрасов Е. М, Копылов Ю. Л, Кравченко В. Б, Куча В. В, Чернушич А. П
МПК / Метки
МПК: C30B 29/32, C30B 33/10
Метки: композиция, монокристаллов, силленитов
Опубликовано: 27.01.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1577405-kompoziciya-dlya-obrabotki-monokristallov-sillenitov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Композиция для обработки монокристаллов силленитов</a>
Предыдущий патент: Автономное зарядное устройство емкостного накопителя
Следующий патент: Способ измерения параметров импульса ионизирующего излучения
Случайный патент: Способ штамповки точных разновесок и приспособление для осуществления этого способа