Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития

Описание

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Заявка

4193002/26, 04.01.1987

Лобанов Б. Д, Максимова Н. Т, Исянова Е. Д, Ломасов В. Н, Цирульник П. Н, Проворов А. М, Симин Б. А

МПК / Метки

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Опубликовано: 20.08.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1443496-sposob-sozdaniya-lazernoaktivnykh-f-2-centrov-v-kristallakh-ftorida-litiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития</a>

Похожие патенты