Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

Заявка
4193002/26, 04.01.1987
Лобанов Б. Д, Максимова Н. Т, Исянова Е. Д, Ломасов В. Н, Цирульник П. Н, Проворов А. М, Симин Б. А
МПК / Метки
МПК: C30B 29/12, C30B 33/00
Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида
Опубликовано: 20.08.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1443496-sposob-sozdaniya-lazernoaktivnykh-f-2-centrov-v-kristallakh-ftorida-litiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития</a>
Предыдущий патент: Стан для сборки и сварки прямошовных труб конечной длины
Следующий патент: Способ определения моды, ответственной за обратную связь, в релятивистском свч-генераторе черенковского типа
Случайный патент: Устройство для регулирования концентрации раствора