Способ получения кристаллов дийодида ртути-hgj2

Номер патента: 1179699

Авторы: Залетин, Лях, Ножкина, Рагозина

Описание

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ2, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см3 объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ2, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10-3 Торр.

Заявка

3755163/26, 16.04.1984

Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР

Ножкина И. Н, Залетин В. М, Рагозина Н. В, Лях Н. В

МПК / Метки

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1179699-sposob-polucheniya-kristallov-dijjodida-rtuti-hgj2.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов дийодида ртути-hgj2</a>

Похожие патенты