Способ получения кристаллов дийодида ртути-hgj2
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

Заявка
3755163/26, 16.04.1984
Новосибирский государственный университет, Институт физики полупроводников СО АН СССР
Ножкина И. Н, Залетин В. М, Рагозина Н. В, Лях Н. В
МПК / Метки
МПК: C30B 23/00, C30B 29/12
Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1179699-sposob-polucheniya-kristallov-dijjodida-rtuti-hgj2.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов дийодида ртути-hgj2</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления моп интегральных схем
Следующий патент: Способ определения концентрации азота
Случайный патент: Устройство для измерения удельного сопротивления