Устройство для выращивания многослойных эпитаксиальных полупроводниковых структур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР из газовой фазы, содержащее реактор, неподвижно установленный в нем подложкодержатель, источники исходных компонентов, каждый из которых соединен со средством ввода газов, и средство их вывода, отличающееся тем, что, с целью уменьшения толщины переходных слоев, устройство снабжено проточной камерой роста, в которой размещен подложкодержатель, при этом камера роста соединена с одним из источников поворотным коммутатором.
Описание
Целью изобретения является уменьшение толщины переходных слоев.
На чертеже представлено предлагаемое устройство, общий вид.
Устройство содержит реактор 1, в котором неподвижно установлен подложкодержатель 2, размещенный в проточной камере 3 роста. В реакторе размещены источники 4 исходных компонентов, размещенных в трубках 5. Проточная камера 3 роста и источники 4 соединены с помощью поворотного коммутатора 6. Поворотный коммутатор 6 выполнен в виде Ч-образной трубки и установлен с возможностью соединения с одним из источником 4 при помощи средства 7 перемещения. Проточная камера 3 имеет входной 8 и выходной 9 патрубки. Вывод газа из реактора 1 осуществляют через патрубок 10. Для уменьшения влияния диффузии в источники 4, в трубки 5 и выходной патрубок 9 помещают вкладыши 11.
Устройство работает следующим образом.
Через трубки 5 к источникам 4 подают газовые потоки. При помощи поворотного коммутатора 6 газовые потоки с ростовыми и легирующими компонентами поступают через входной патрубок 8 в проточную камеру 3, где происходит осаждение слоя на подложке. Отработанные газы через патрубок 9 выводят из проточной камеры 3 в реактор 1. Из реактора 1 газы через патрубок 10 выводят в атмосферу. Поворотный коммутатор 6 обеспечивает подачу к подложкодержателю 2 только тех газовых компонентов, которые необходимы для выращивания конкретного слоя. Газовые потоки от источников 4, не соединенных с проточной камерой 3, поступают в реактор 1, а затем в атмосферу, что исключает подачу газового потока неконтролируемого состава к подложке. Выращивают сверхрешетки арсенида галлия - фосфида галлия с толщиной переходных слоев не более 10
и периодом сверхрешеток 70-100 A 
(56) G. Beuchet, M. Bonnet, P. Thebault, J. P. Duchemin, Hydride multibarrel reactors suitable for microwave and optoelectronic (Ga, In) (As, P) heterostructure growth. - J. Gryst. Growth, 1982, v. 57, N 2, рр. 379-386.Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев. Устройство содержит реактор, внутри которого размещены источники исходных компонентов и проточная камера роста. В проточной камере роста неподвижно установлен подложкодержатель. Камера роста соединена одним из источников с помощью поворотного коммутатора. Поворотный коммутатор обеспечивает подачу к подложке только тех газовых компонентов, которые необходимы для наращивания конкретного слоя. Исключается подача газового потока к подложке неконтролируемого состава. Выращены сверхрешетки арсенида галлия - фосфида галлия с толщиной переходного слоя не более 10
и периодом сверхрешеток 70 - 100 
. 1 ил. Рисунки
Заявка
4253114/26, 01.06.1987
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Жиляев Ю. В, Кечек А. Г, Куликов А. Ю, Маркарян Г. Р
МПК / Метки
МПК: C30B 25/08, C30B 25/14
Метки: выращивания, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксиальных
Опубликовано: 15.03.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1462857-ustrojjstvo-dlya-vyrashhivaniya-mnogoslojjnykh-ehpitaksialnykh-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для выращивания многослойных эпитаксиальных полупроводниковых структур</a>
Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем
Номер патента: 1277840
Опубликовано: 27.06.1995
Авторы: Прохоров, Романова, Янсон
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.
Коксовая камера с внутренним теплозащитным слоем
Номер патента: 863615
Опубликовано: 15.09.1981
Авторы: Казачанский, Кретинин, Сергеев, Тихонов
МПК: C10B 55/00
Метки: внутренним, камера, коксовая, слоем, теплозащитным
...на фиг.1 (укрепляющее кольцо в плане и гофрированная обечайка, поперечный разрез); 40на фиг.4 - узелна фиг.1 (монтажобечайки на укрепляющее кольцо)на фиг.5 - узелна фиг.1 (монтажнижней обечайки с помощью двух несущих колец); на Фиг.б - узелнафиг.2 (узел несущего кольца в плане),Коксовая камера состоит из теплоизолированного корпуса 1, теплозащитного слоя 2 из коксовой прокаленной мелочи, защитного кожуха 3, 0выполненного из каскадно установленных друг в друге конических обечаек4, снабженных снаружи укрепляющими.кольцами 5 с отверстиями б и несущими кольцами 7 с прорезями 8 понаружной и внутренней сторонам.Конические обечайки 4 установленыдруг в друге с образованием кольцевых карманов 9, открытых внутрь коксовой камеры и вверх так, что...
Способ эпитаксиального наращивания слоев ga as на подложках si и устройство для его осуществления
Номер патента: 1788871
Опубликовано: 20.01.1996
Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Третьяков
МПК: H01L 21/208
Метки: наращивания, подложках, слоев, эпитаксиального
...1, подложку и раствор-расплав некоторое время (обычно несколько минут) выдерживают в .контакте.Затем подложку с раствором-расплавом при помощи узла для ее закрепления, соединенного с молибденовым штоком, который приводится в движение электродвигателем, перемещают по поверхности нижней пластины графитового корпуса на заданное расстояние, обеспечивая тем самым эпитаксиальный рост в заданном температурном интервале.В качестве материала для изготовления предлагаемого устройства используют графит, При реализации способа нет необходимости удалять раствор-расплав с подложки.Управление толщиной выраженных слоев производят, варьируя толщину раствора- расплава над поверхностью подложки 9 путем изменения величины зазора между параллельными...
Патрубок с системой управления пограничным слоем
Номер патента: 428115
Опубликовано: 15.05.1974
МПК: F03D 9/00, F04D 29/68
Метки: патрубок, пограничным, системой, слоем
...свнутри дпффузора установс пнсвмонасосом, с входнынего. распов месс обполыеуста- входпред- етрос цилиндрическим 1 и диффуИзобретение относится к областитслсстроения и может быть использоваэродинамических трубах.Известны патрубки с системойция пограничным слоем, содержащиедричсскпй и диффузорный участки.Недостатком известных патрубковляется уменьшение их эффективности плах раскрытия диффузора, больш 1 гх 30которых характерно отрывное струйноение, развивающееся у входного сеченияфузорного участка.С целью повышения эффективностилагаемый патрубок снабжен камерой,ложенной на внешней его поверхностите сосдинеш 1 я участков, закрепленныхразоваццем щели, и соединенной черезстойки, на которых внутри диффузорановлено ветроколесо с пневмонасосом,...
Камера для проточного культивирования микроорганизмов
Номер патента: 514017
Опубликовано: 15.05.1976
Авторы: Войцеховский, Гашинский
МПК: C12K 1/00
Метки: камера, культивирования, микроорганизмов, проточного
...каналы 4 и 5 для подвода и отв питательной среды, внутреннюю полост ограниченную по периферии материалом виде кольца 7, препятствующим проникн нию микроорганизмов. Через стенку ко, 7 во внутреннюю полость 6 проведен ка няп 8 2Работа камеры осуществляется следующимобразом. Во внутреннюю полость 6 через сообщающийся с ней капилляр 8 вводят исследуемые объекты (чнстую культуру микроор гапизмов, ассоциации, отдельные клетки), спомощью каналов 4 и 5 для подвода и отвода питательной среды создают проток последней и производят наблюдения.Наличие внутренней полости 6. ограничен ной по периферии кольцом 7 пз полимерногоматериала, позволяет непрнкрепляющпмся к стеклу микроорганизмам свободно передвигаться в ней, не вымываясь нз камеры,...
Предыдущий патент: Штамм дрожжей saccharomyces cerevisial продуцент белка гена поверхностного антигена ( hbsag ) вируса гепатита b и способ его получения
Следующий патент: Вентиль
Случайный патент: Распределительное устройство