C30B 29/26 — с формулой BMe

Номер патента: 253953

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Готе, Рубальска, Рубинштейн, Титова

МПК: C30B 29/26, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...1100 С в течение 15 - 20 час для лучшего растворения исходных компонен тов в расплаве, Охлаждение расплава проводят со скоростью 0,5 - 1/час,до 500 С. Затем печь отключают, кристаллы из застывшего расплава извлекают кипячением в разбавленной азотной кислоте, Полученные монокрис таллы имеют октаэдрическую структуру, ИзмеСостав шихты для выращивания монокристаллов,вес, %1.1 зСОз 5,2 РезОз 14,7 ХпО 1,1 РЬО 68,4 ВзОз 10 6 1.1 0 3,0 ХпО 5,4 РеОз 91,6 1.10 2,8 Таблица 1 4600 Намаг- ниченность на- сыщения, гс Состав шихты для выращивания моно- кристаллов, вес. % Состав кристаллов,вес. %1.1,СОз Рез 03 ХпО РЬО ВзОз 5,2 14,4 1,3 68,5 10,6 4700 ХпО 7,3 РезОз 89 9 1.1,СОз 5,2 РезОз 12,0 ОазОз 4,3 РЬО 68,1 ВзОз 10 4 3,0 Ре,Оз 79,24400100...

Номер патента: 1696616

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Буш, Журов, Иванов, Косяченко, Романов, Стефанович

МПК: C30B 13/22, C30B 29/26

Метки: монокристалла, оксида, сложного

...мельнице а течение 1,0 ч, полученную смесь кальцинируют при 900 С 8 ч, Кальцинированный продукт гомогенизируютв шаровой мельнице в течение 2 ч и формуют из него стержни в специальной пресс-форме, Формованные стержни спекают при 1400 С в течение 8 ч. Часть охлажденного стержня(57) Изобретение относится к синтезу моно- кристаллов и может быть использовано в радиоэлектронной технике. Цель изобретения - получение монокристалла ЯГА 204 с высокой кислородно-ионной проводимостью. Способ включает бестигельную зонную плавку с оптическим нагревом поликристаллического вертикального стержня, спеченного из шихты стехиометрического состава, в воздушной атмосфере со скоростью, соответствующей скорости роста монокристалла, равной 3-10 мм/ч. В качестве...

Номер патента: 1746759

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Куриленко, Саенко

МПК: C30B 11/04, C30B 29/26

Метки: выращивания, марганец-цинкового, монокристаллов, феррита

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВОГО ФЕРРИТА, включающий размещение в тигле затравки и исходного материала, его расплавление и направленную кристаллизацию путем перемещения тигля в менее нагретую часть печи при периодической подпитке расплава гранулами исходного материала, расплавляемыми в питателе, нагретом до температуры выше температуры плавления гранул, отличающийся тем, что, с целью повышения монокристаллов и исключения нарушения процесса выращивания за счет поддержания постоянной требуемой температуры питателя, определяют интервал плавления гранул из соотношения:пл= (0,50-0,75)

Номер патента: 1732706

Опубликовано: 10.03.1995

Авторы: Абаренкова, Иванова, Саенко, Харинская, Эркес

МПК: C30B 11/02, C30B 29/26

Метки: материал, монокристаллический, ферритовый

ФЕРРИТОВЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе феррошпинели, содержащий марганец (II), цинк (II), железо (III) и кобальт (II), отличающийся тем, что, с целью повышения магнитной проницаемости на высоких частотах и удельного электросопротивления, он дополнительно содержит марганец (III) и имеет кристаллохимическую формулуMn2x+ZnyCoaMn3b+FezO4- ,где x = 0,683 - 0,853;y = 0,254 - 0,28;a = 0,003 - 0,018;b = 0,004 - 0,062;l = 1,873 - 2,001;g = 0 - 0,034