Способ получения кристаллов со структурой берилла

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...

Номер патента: 480925

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: G01K 7/01

Метки: полупроводниковой, структуры, температуры

...или ее малых отклонений.Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 10 - зС в интервале температур от 50 до +100 С,В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у...

Номер патента: 600483

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: структуры, температуры, тиристоров

...о- ЯАЧр гт Ж)45 Между управяющим электродом и катодом испытуемого тиристора 1 1 см фиг .1) подключают источник постоЯнного упрааляюще).о тока 2 и уста- навливают.ток УЛРавлснин, достаточи)дй д)Я полив го включения береговой липин управляющего алек трода тиристора. Анод и катод испытуемого тирнс. тора 1 соединяют через измерительный прибор 3 для регистращти разности потенциалов Е ,. Между этими электродами В отсутствие специального источника аноДного напряже)пот. В качестт)е термо 10 чувствительного параметра используют 1 тазнс)сть по" тенциалов между анодом и катодом тиристора,Физическая сущность возникновения Е, следуеогцаяь.При протекппщ тока д по р-базе В нее )и. 15 жектируются избыточные электроны и и для со. хранения...

Номер патента: 1744690

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната

...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...

Номер патента: 56147

Опубликовано: 01.01.1939

Авторы: Голубев, Смирнов

МПК: G05D 21/02

Метки: величин, влажности, давления, других, концентрации, освещенности, переменных, плотности, поддержания, постоянства, скорости, температуры, физических

...переменного эталонного конденсатора С а цепи сеток тиратронов Т и Т 2, можно менять величину среднего значения анодного тока, проходящего через двигатель М, т. е. таким образом можно изменять число оборотов последнего.Второй выпрямитель с тиратронами Та и Т работает точно так же, как и первый, только в цепи сеток тиратронов Тз и Т включен конденсатор С, установленный на бумажной машине. Изменение влажности бумаги влечет изменение емкости этого конденсатора, благодаря чему происходит сдвиг фазы сеточного напряжения тиратронов Т, и Т 4 и изменяется среднее значение анодного тока, проходящего через эти тиратроны. Поэтому двигатель М 2, включенный в анодную цепь этого выпрямителя, работает с переменным в зависимости от влажности бумаги...